浅沟槽隔离结构制造方法技术

本发明专利技术公开了一种浅沟槽隔离结构制造方法，该方法在形成氮化硅保护层之前，先形成特定填充物，然后利用化学机械研磨工艺去除衬垫氮化硅上的特定填充物以及氧化硅保护层，并利用湿法刻蚀工艺去除隔离沟槽内的特定填充物，因此，利用化学机械抛光工艺去除氧化硅填充层之后，仅需要利用湿法刻蚀工艺去除氮化硅保护层、衬垫氮化硅和衬垫氧化硅，即，在该湿法刻蚀工艺中仅需要依次去除氮化硅和氧化硅，降低了该湿法刻蚀工艺的难度，可有效改善隔离沟槽边缘凹陷的效果，并提高晶圆表面的平坦度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体制造工艺向小线宽的工艺节点发展，半导体器件间的隔离工艺也已由早期的局部氧化(Local Oxidation of Silicon,LOCOS)工艺发展到浅沟槽隔离(ShallowTrench Isolation, STI)工艺。由于浅沟槽隔离工艺直接影响到半导体衬底上的半导体器件之间的漏电流以及其它电学性能，因而业界总是通过各种方法来提高浅沟槽隔离结构的性能。请参考图IA至图1F，其为现有的一种的各步骤相应结构的剖面示意图。如图IA所示，在半导体衬底110上形成衬垫氧化硅(pad oxide) 120和衬垫氮化娃(pad nitride) 130,其中，衬垫氧化娃120作为半导体衬底110的保护层,衬垫氮化娃130作为后续刻蚀和化学机械抛光(CMP)工艺的阻挡层；如图IB所示，依次刻蚀所述衬垫氧化硅130、衬垫氮化硅120和部分半导体衬底110，以在所述半导体衬底110中形成隔离沟槽110a，所述隔离沟槽IlOa的深度一般在300nm 700nm 之间；如图IC所示，利用热氧化法在所述隔离沟槽IlOa的内壁上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成衬垫氧化硅和衬垫氮化硅，并刻蚀所述衬垫氧化硅、衬垫氮化硅和部分半导体衬底，形成隔离沟槽；利用热氧化法在隔离沟槽的内壁以及衬垫氮化硅上形成氧化硅保护层；形成特定填充物以填充所述隔离沟槽并覆盖氧化硅保护层的表面；利用化学机械研磨工艺去除衬垫氮化硅上的特定填充物和氧化硅保护层；利用湿法刻蚀工艺去除隔离沟槽内的特定填充物；在隔离沟槽的内壁以及衬垫氮化硅上形成氮化硅保护层；形成氧化硅填充层以填充隔离沟槽并覆盖氮化硅保护层的表面；利用化学机械抛光工艺去除氮化硅保护层上的氧化硅填充层；利用湿法刻蚀工艺依次去除氮化硅保护层、衬垫氮化硅和衬垫氧化硅...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方精训，邓镭，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：