温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构制造方法，该方法在形成氮化硅保护层之前，先形成特定填充物，然后利用化学机械研磨工艺去除衬垫氮化硅上的特定填充物以及氧化硅保护层，并利用湿法刻蚀工艺去除隔离沟槽内的特定填充物，因此，利用化学机械抛光工艺去除氧化硅...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。