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本发明公开了一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，该方法通过先调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽，并进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；然后根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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