【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体的制造工艺,尤其是一种制作嵌入式存储器(embedded memory)的接触插塞(contact plug)的方法。请参考附图说明图1至图8,图1至图8为习知于一半导体晶片10上制作一嵌入式存储器的转接介层与带接触的方法示意图。如图1所示,半导体晶片10的硅基底16表面已定义有一存储阵列区12以及一周边电路区14,且存储阵列区12中包含有至少一单胞井(cell-well)18,而周边电路区14中包含有至少一N型井(N-well)20以及至少一P型井(P-well)22。习知方法是先同时于存储阵列区12以及周边电路区14上分别形成复数个栅极24、26、28,且各栅极24、26、28周围均设有一侧壁子30以及一轻掺杂漏极(lightly doped drain,LDD)32,而栅极26、28周围则另形成有一源极34与漏极36,并相绝缘以一浅沟隔离(STI)15。接着如图2所示,于半导体晶片10表面形成一介电层38,例如一二氧化硅层。然后再利用一黄光制程于介电层38表面定义数个浅金属连接区(metal connection region)40的图案,如图3所示。随后利用另一黄光制程于介电层38中定义第一44、第二42、及第三接触窗(contactwindow)46,如图4所示。其中第一接触窗44是用来连接电容(capacitor),第二接触窗42是用来连接位元线(bit line),即为转接介层(landing via)。第三连接窗46是周边电路区14的带接触(strip contact)中连接源极或漏极的部分。第一44、第二42与第 ...
【技术保护点】
一种嵌入式存储器的接触插塞的制作方法,其特征是:该制作方法包含有下列步骤: 提供一半导体晶片,且该半导体晶片的硅基底表面已定义有一存储阵列区以及一周边电路区; 于该半导体晶片表面依序形成一第一介电层以及一未掺杂多晶硅层; 对该存储阵列区上方的该未掺杂多晶硅层进行一第一离子布植制程,以使该存储阵列区上方的该未掺杂多晶硅层形成为一掺杂多晶硅层; 于该半导体晶片表面依序形成一保护层以及一第一光阻层; 进行一第一黄光制程,以于该存储阵列区上方的该第一光阻层中定义出复数个栅极的图案; 利用该第一光阻层的图案当作硬罩幕,以蚀刻该存储阵列区上方的该保护层以及该掺杂多晶硅层,直至该第一介电层表面,以于该存储阵列区上形成各该栅极; 去除该第一光阻层; 进行一第一离子布植制程,以于该存储阵列区中的各该栅极周围形成一轻掺杂漏极(LDD); 于该半导体晶片表面依序形成一氮硅层、一第二介电层以及一第二光阻层; 进行一第二黄光制程,以于该存储阵列区上方的该第二光阻层中定义出复数个接触插塞的图案; 利用该第二光阻层的图案当作硬罩幕,蚀刻该存储阵列区上 ...
【技术特征摘要】
US 2001-6-21 09/885,0491.一种嵌入式存储器的接触插塞的制作方法,其特征是该制作方法包含有下列步骤提供一半导体晶片,且该半导体晶片的硅基底表面已定义有一存储阵列区以及一周边电路区;于该半导体晶片表面依序形成一第一介电层以及一未掺杂多晶硅层;对该存储阵列区上方的该未掺杂多晶硅层进行一第一离子布植制程,以使该存储阵列区上方的该未掺杂多晶硅层形成为一掺杂多晶硅层;于该半导体晶片表面依序形成一保护层以及一第一光阻层;进行一第一黄光制程,以于该存储阵列区上方的该第一光阻层中定义出复数个栅极的图案;利用该第一光阻层的图案当作硬罩幕,以蚀刻该存储阵列区上方的该保护层以及该掺杂多晶硅层,直至该第一介电层表面,以于该存储阵列区上形成各该栅极;去除该第一光阻层;进行一第一离子布植制程,以于该存储阵列区中的各该栅极周围形成一轻掺杂漏极(LDD);于该半导体晶片表面依序形成一氮硅层、一第二介电层以及一第二光阻层;进行一第二黄光制程,以于该存储阵列区上方的该第二光阻层中定义出复数个接触插塞的图案;利用该第二光阻层的图案当作硬罩幕,蚀刻该存储阵列区上方的该第二介电层、该氮硅层以及该第一介电层,直至该硅基底表面,以于该第二介电层中形成复数个接触插塞洞;去除该第二光阻层;于各该接触插塞洞中填满一多晶硅层,以于该存储阵列区上方形成各该接触插塞;去除该周边电路区上方的该第二介电层、该氮硅层以及该保护层;于该半导体晶片表面形成一第三光阻层;进行一第三黄光制程,以于该周边电路区上方的该第三光阻层中定义出复数个栅极的图案;利用该第三光阻层的图案当作硬罩幕,蚀刻该周边电路区上方的该未掺杂多晶硅层直至该第一介电层表面,以于该周边电路区上形成各该栅极;去除该第三光阻层;于该周边电路区中的各该栅极周围及侧壁分别形成一轻掺杂漏极以及侧壁子;于该周边电路区中的各该栅极周围形成一源极与漏极;以及进行一自行对准金属硅化物制程,以于各该接触插塞顶面、该周边电路区中的各该栅极的顶面以及各该源极与各该漏极表面形成一金属硅化物层。2.如权利要求1所述的制作方法,其特征是该第一介电层由二氧化硅所构成,用来作为各该栅极的栅极氧化层。3.如权利要求1所述的制作方法,其特征是该保护层由一氮硅化合物所构成,且该保护层底部另生成有一氮氧化硅层,用来做为一抗反射层。4.如权利要求1所述的制作方法,其特征是在该半导体晶片表面形成该第三光阻层之前,另可先于该半导体晶片表面形成一氮氧化硅层当作抗反射层。5.如权利要求4所述的制作方法,其特征是在去除该第三光阻层之后,亦须去除形成于该第三光阻层下方的该氮氧化硅层。6.如权利要求1所述的制作方法,其特征是该自行对准金属硅化物制程另包含有下列步骤于该半导体晶片表面形成一金属层,且该金属层覆盖于该存储阵列区上的各该接触插塞以及该周边电路区上的各该源极、漏极以及栅极表面;进行一第一快速热处理制程;去除于该半导体晶片表面未反应的该金属层;以及进行一第二快速热处理制程。7.如权利要求6所述的制作方法,其特征是该金属层由钴、钛、镍或钼所构成。8.如权利要求1所述的制作方法,其特征是各该接触插塞用来作为该嵌入式存储器的位元线接触以及接触电极...
【专利技术属性】
技术研发人员:简山杰,郭建利,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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