【技术实现步骤摘要】
各实施例涉及。技术背景 半导体器件中的衬底的有源区域经由接触塞可以电气地连接至另一结构。由于此 种半导体器件的小尺寸，已经对微小区域中的可靠的接触塞的形成进行了研究。在这点上， 已经对形成自对准接触(SAC)的方法进行了研究，通过该方法可以首先形成位线接触塞和 位线，并且然后可以使用可以覆盖位线的间隔物作为掩模形成存储接触塞。
技术实现思路
各实施例涉及，其基本上克服了现有技术的 不足、局限性、以及/或者缺点中的一个或者多个。本实施例的特点在于提供一种包括接触塞的半导体器件，其能够提供与衬底的有 源区域的优异的电气接触。通过提供下述半导体器件可以实现上述和其它的特点和优点中的至少一个，该半 导体器件包括半导体层，该半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，该第一接触塞 布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域；第二接触塞，该第二接触塞布置在半导体 层上并且电气地连接至第二区域；导电层，该导电层电气地连接至第一接触塞，该导电层具 有侧面和底面；以及绝缘层，该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便将导电层与第 二接触塞绝缘，该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体层，所述半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，所述第一接触塞布置在所述半导体层上并且电气地连接至所述第一区域；第二接触塞，所述第二接触塞布置在所述半导体层上并且电气地连接至所述第二区域；导电层，所述导电层电气地连接至所述第一接触塞，所述导电层具有侧面和底面；以及绝缘层，所述绝缘层布置在所述导电层和所述第二接触塞之间，以便使所述导电层与所述第二接触塞绝缘，所述绝缘层面对所述导电层的底面的一部分和所述侧面。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：尹在万，秦教英，洪亨善，吉田诚，金奉秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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