半导体器件制造方法技术

一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：在对半导体器件的待电镀部件进行电镀金属的过程中，对所述半导体器件施加双脉冲电源，并且，在所述电镀的过程中对所述半导体器件施加超声波。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，半导体器件(特别是逻辑器件)的关键尺寸不断减小。相应的，后端工艺中的通孔(via)和沟槽的尺寸也不断减小。这意味着金属(诸如铜)的电镀工艺变得越来越困难。另外，在现有技术的铜的电镀工艺中，可能会在铜塞中产生空洞(void)，如图1中所示。从而，可能会导致WAT(晶片接受测试)不通过，并可能导致工艺能力(CP)及成品率低的问题。并且，还会导致EM失效的问题。·因此，存在对克服上述问题的技术的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于改善金属电镀工艺。本专利技术的另一目的在于改善后端工艺中孔(包括贯穿孔和通孔(或者，盲孔))和沟槽的缝隙填充。本专利技术的另一目的在于抑制或消除金属电镀过程中的空洞的发生，从而改善WAT通过率，提高CP成品率，并提高可靠性。根据本专利技术的一个实施例，提供了一种，其特征在于，所述方法包括在对半导体器件的待电镀部件进行电镀金属的过程中，对所述半导体器件施加双脉冲电源，并且，在所述电镀的过程中对所述半导体器件施加超声波。优选地,所述待电镀部件是电介质层或衬底中的开口，所述开口包括沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：在对半导体器件的待电镀部件进行电镀金属的过程中，对所述半导体器件施加双脉冲电源，并且，在所述电镀的过程中对所述半导体器件施加超声波。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：