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一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法技术
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文档序号:8490761
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本发明提供的一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法,包括在双大马士革工艺的光刻预定区域的通孔图形时,在非预定区域的光罩上形成通孔的测量图形,所述测量图形的大小与所述定义通孔图形的大小一致;进行通孔刻蚀工艺,在预定区域和非预定区域刻蚀出通孔;在刻蚀...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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