一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明专利技术中，通过在对应于晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区的位置上的绝缘介质层中形成通孔，并在通孔内填充金属半导体混合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体混合物的电阻率较低，因此可以使得通孔内物质本身的电阻尽量小；而且，由于通孔内的填充材料与源极和漏极接触区的材料均为金属半导体混合物，因此可以使通孔内物质与源极和漏极接触区之间的接触电阻尽量小。此外，由于通孔内填充的是金属半导体混合物，使得通孔内的材料与绝缘介质层的材料之间具有良好的界面和粘附性，又不破坏介质层材料的结构，因此也无需在通孔内的填充材料和绝缘介质层之间形成阻挡层。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
随着半导体工业朝着更小、速度更快的器件发展，半导体器件的特征横向尺寸如栅长和深度如源/漏区结深逐渐减小，器件的工作速度也越来越快。为了抑制短沟道效应，要求源/漏以及源/漏极扩展区相应地变浅，当前工艺水平要求半导体器件的源/漏极结的深度小于30纳米，未来技术节点器件的超浅结的深度会小于15纳米。在半导体器件的后道(Back-endofLine，简称“BEOL”)制程中，需要通过在通孔(Via)中填充金属如钨等把源极和漏极引出，以进行后续的连接各个器件的金属互连。如本领域众所周知的，该通孔作为连接后道金属层如铜等和器件源/漏及栅电极之间的电气通路，通常通过在介电层中蚀刻开口和沟槽并用金属填充开口和沟槽来形成。随着半导体器件的尺寸越来越小，该通孔也越来越小，而且通孔里的金属沿电流方向的长度与垂直于电流方向的横截面积之比会变大，从而导致通孔内金属本身的电阻变大；另外，还需要通孔内的金属与介质层的二氧化硅的界面良好，具有好的粘附性，而又不破坏二氧化硅的结构；此外，通孔内的金属与源极和/或漏极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包含：A.在至少一个晶体管上覆盖绝缘层；其中，在每一个晶体管的源极和漏极形成金属硅化物接触区；B.对所述绝缘层进行刻蚀，在所述晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区上形成通孔；C.在所述通孔内形成金属半导体混合物，将所述晶体管的源极和漏极引出。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包含：A.在至少一个晶体管上覆盖绝缘层；其中，在每一个晶体管的源极和漏极形成金属硅化物接触区；B.对所述绝缘层进行刻蚀，在所述晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区上形成通孔；C.在所述通孔内形成金属半导体混合物，将所述晶体管的源极和漏极引出；其中，在所述步骤C中，包含以下子步骤：C1.在所述通孔的内壁淀积金属薄层；C2.在所述金属薄层之上淀积一层硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构；C3.将所述淀积了金属层的晶体管放置在微波加热设备的腔体内，进行加热退火，得到金属半导体混合物。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤C3之后，还包含以下步骤：进行CMP，去除通孔外的金属层及金属半导体混合物，保留所述通孔内形成的金属半导体混合物。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤C2之后，在所述步骤C3之前，还包含以下步骤：在所述硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构之上，淀积金属层。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤C2之后，在所述步骤C3之前，还包含以下步骤：进行CMP，将所述通孔外的金属、硅、锗硅SiGe、或者硅和锗硅Si/SiGe的叠层结构去除；在所述步骤C3中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东平，皮朝阳，赵娜，张卫，张世理，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：