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本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在对应于晶体管的源极和漏极的金属硅化物接触区的位置上的绝缘介质层中形成通孔，并在通孔内填充金属半导体混合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体混合物的电阻率较低，因此可以使...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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