【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻方法,特别涉及一种。
技术介绍
具有台阶衬底的光刻工艺是一种比较常见的光刻工艺,通常在注入层比较多见,比如栅极形成以后的源漏注入;另外在具有多层膜的结构中形成不同台阶的图形也经常使用。和传统的平面光刻工艺相比,当台阶存在时,其边界成为一个反光面,导致光刻时的光强分布和普通的平面相比,沿垂直方向衰减很快,因此台阶底部无法得到有效的光强形成足够光酸,因此通常在台阶边缘的底部很容易形成光刻胶残留。图I为一个具有台阶 衬底的光刻示意图,其中图Ia中的Olc为台阶,相应于版图中有源区(即AA区),10为光刻胶,版图中的NBL为N型埋层区域。曝光显影后形貌如图Ib所示,台阶底部有光刻胶残甶°为了解决台阶边缘底部的光刻胶残留的这个问题,业界通常使用三种方法I、放大光刻图形与台阶之间的距离;2、使用抗反射层以降低台阶处的光反射率;3、使用掺杂染料的光刻胶来增强光的吸收以降低对光强的需求。上述第一种方法,对器件面积影响很大,只适用于较大设计尺寸的器件。第二种方法则引入了额外的抗反射层,需要增加刻蚀抗反射层来打开图形窗口,以及光刻后的抗反射层去除工艺,制作流程 ...
【技术保护点】
一种具有台阶的衬底的光刻方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,在衬底表面涂光刻胶,将曝光机的焦点设置在台阶底部位置,而后采用光刻掩膜版进行曝光;步骤二,在步骤一中的光刻胶上再涂一光刻胶层,之后将所述曝光机的焦点设置在所述光刻胶层表面,进行全面曝光;步骤三,对所述衬底进行加热处理,使形成的光酸扩散均匀,所述加热处理的温度小于所述光刻胶分解的温度;步骤四,对衬底进行显影,形成最终图形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王雷,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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