光学临近效应修正在线监控的方法技术

本发明专利技术公开了一种光学临近效应修正在线监控的方法，包括步骤：收集产品的数据并进行统计分析；选择出需要监控的关键尺寸和空间周期；在硅片上添加监控图形，监控图形位于所述硅片的划片槽区域、或者芯片区域内部；通过监控所述监控图形来监控光学临近效应修正程序的预测的准确性。本发明专利技术能良好的监控光学临近效应修正程序对各种不同产品的图形的预测的准确性，从而能很方便的提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制集成电路工艺方法，尤其是涉及一种。
技术介绍
现有技术中，光学临近效应修正(OPC, Optical Proximity Correction)技术作为一种分辨率增强技术(RET, Resolution Enhancement Technology)普遍应用于 0. 13um 技术节点以上的关键层工艺，且普遍使用基于模型的OPC (Model based 0PC)方法。这种方法对于模型范围内的各种图形有比较好的预测性，能够很大程度的提高光刻的工艺窗口。但是随着半导体工艺尺寸的日益缩小，图形的设计规则(design rule)越来越复杂，而OPC技术的修正也越来越复杂。在OPC修正过程中，最小关键尺寸(criticaldemension,⑶)和最小空间周期(Pitch)处的OPC表现不一定是影响最终良率的位置。现有技术中，同一技术平台的OPC程序通常要应用于多种不同的产品中，产品不同时，结果也可能差异明显，例如，同一设计规则，最小线宽CD即最小关键尺寸相同，但当最小关键尺寸对应的图形的长度不同时，工艺窗口大小也不同，最终良率也可能会不同；再比如，同一设计规则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学临近效应修正在线监控的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、收集产品的数据，所述产品的设计规则处的关键尺寸为最小关键尺寸、设计规则处的空间周期为最小空间周期，所述产品的数据包括所有大于等于所述最小关键尺寸的关键尺寸、和所有大于等于所述最小空间周期的空间周期，各所述关键尺寸和各所述空间周期都分别有对应的取值；按照所述取值的不同分别对所有的所述关键尺寸和所有的所述空间周期进行统计分析；步骤二、根据步骤一的统计分析结果，选择出需要监控的所述关键尺寸和所述空间周期；步骤三、在要形成所述产品的硅片上添加监控图形，所述监控图形用于监控步骤二中选定的需要监控的所述关键尺寸和所述空间周期；所述监控图...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：