一种干涉曝光装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种干涉曝光装置，包括：一光源，用于提供曝光光束；一干涉头，用于将所述曝光光束形成至少两束干涉光束并会聚于基底表面形成一干涉曝光图形，所述干涉头沿垂向做一维运动；一运动承载单元，用于提供所述基底至少三自由度运动；一测量单元，用于获得所述干涉头坐标系与所述运动承载单元坐标系的夹角，以便在对所述基底曝光之前依据所述测量单元的测量结果对所述运动承载单元的曝光位置进行调整。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装备制造
，尤其涉及一种应用于大范围周期图形加工的干涉曝光装置及方法。
技术介绍
干涉 光刻技术利用光的干涉和衍射特性，通过特定的光束组合方式，对干涉场内的光强分布进行调制，并用感光材料记录下来，产生光刻图形。干涉光刻兼具高分辨率(可以相对容易地达到曝光波长的1/4)、大焦深(接近光源的相干长度)的优点，可用于几十纳米 几个微米尺寸的周期性图形加工。目前，大范围周期性图形结构，如超长光栅、图形化蓝宝石衬底、光子晶体、太阳能吸收器、FED(Field Emmition Display)等,都需要在2英寸 6英寸的衬底上,制造均勻密布的周期性结构。这些结构不仅包含一维结构，还有二维结构。如何保证这些特征图形在较大面积的衬底上做到均匀分布(即很高的拼接精度)是一个很关键的技术问题。现有技术的解决方案之一是美国专利US6285817提出了一种基于球面波的多光束干涉光刻技术方案，该方案使用若干个放置在离待曝光衬底很远处的点光源，产生扩散球面波，以一定传播角度会聚在涂胶衬底之上，形成大面积的干涉图形。由于球面波本身具有波前畸变，因此会导致衬底中心和边缘处图形分布不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干涉曝光装置，其特征在于，包括：一光源，用于提供曝光光束；一干涉头，用于将所述曝光光束形成至少两束干涉光束并会聚于基底表面形成一干涉曝光图形，所述干涉头沿垂向做一维运动；一运动承载单元，用于承载所述基底，并提供所述基底至少三自由度运动；一测量单元，用于获得所述干涉头坐标系与所述运动承载单元坐标系的夹角，以便在所述基底曝光前依据所述测量单元的测量结果对所述运动承载单元的曝光位置进行调整。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许琦欣，王帆，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：