光刻设备、衬底台和器件制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光刻设备、衬底台和用于制造器件的方法。一种具有传感器的衬底台包括：设置有对辐射不透明的材料层的材料块体。所述材料层具有配置成允许辐射透过的至少一个窗口。所述传感器包括位于所述窗口处的波长转换材料；和波导，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射。所述波导嵌入在所述材料块体中并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备、一种衬底台和一种用于制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。光刻术被广泛地认为是在IC及其它器件和/或结构的制造过程中的关键步骤中的一个。然而，随着使用光刻术制成的特征尺寸变小，光刻术正在成为能够制造微IC或其它器件和/或结构的更关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由如式⑴所示的分辨率的瑞利准则给出CD = L *—(I) 'NAw其中λ是所使用的辐射波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依赖于过程的调整因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。根据式(I)可知，特征的最小可印本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有传感器的衬底台，所述传感器包括：设置有对辐射不透明的材料层的材料块体，所述对辐射不透明的材料层具有配置成允许辐射透射的至少一个窗口；位于所述窗口处的波长转换材料；和波导，所述波导定位成接收由波长转换材料发出的辐射，所述波导嵌入在所述材料块体中，并配置成引导由波长转换材料发出的辐射穿过所述材料块体并将其朝向探测器引导。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：V·普洛斯因特索夫，J·M·范本特恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：