衬底拓扑可知的光刻模型化制造技术

本发明专利技术公开了一种衬底拓扑可知的光刻模型化方法，具体公开了用于模拟由入射辐射导致在衬底上的抗蚀剂内形成的图像的方法，所述衬底具有在抗蚀剂层下面的第二特征和第一特征，所述方法包括步骤：在不使用入射辐射和第二特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第一特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第一分图像；在不使用入射辐射和第一特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第二特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第二分图像；由第一分图像和第二分图像计算在抗蚀剂层内形成的图像；其中，入射辐射和第一特征的相互作用与入射辐射和第二特征的相互作用不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种衬底拓扑可知的光刻模型化方法。
技术介绍
例如，可以将光刻投影设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，掩模可以包含对应IC的单层的电路图案，并且该图案被成像到已经涂覆有辐射敏感材料(抗蚀齐IJ)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上。通常，单个晶片将包含通过光刻投影设备的投影系统一次一个地被连续照射的相邻目标部分的整个网络。在一种类型的光刻投影设备中，通过将整个掩模图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；这种设备通常被称为晶片步进机。在替换的设备中，通常称为步进-扫描设备，通过沿给定的参照方向(“扫描”方向)在投影束下渐进地扫描掩模、同时同步地沿与该方向平行或反向平行的方向扫描衬底台来辐射每一个目标部分。因为通常投影系统将具有放大因子M(通常< I)，因此衬底台扫描的速度V将是掩模台扫描速度的因子M倍。有关如这里所述的光刻装置的更多信息可以参考例如美国专利US6046792，这里通过参考合并于此。在使用光刻投影设备的制造过程中，掩模图案被成像到至少由辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层部分地覆盖的衬底上。在该成像步骤之前，衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于模拟由入射辐射导致在衬底上的抗蚀剂内形成的图像的方法，所述衬底具有在抗蚀剂层下面的第一特征和第二特征，所述方法包括步骤：在不使用入射辐射和第二特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第一特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第一分图像；在不使用入射辐射和第一特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第二特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第二分图像；由第一分图像和第二分图像计算在抗蚀剂层内形成的图像；其中，入射辐射和第一特征的相互作用与入射辐射和第二特征的相互作用不同。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：兰崧，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：