用于湿浸式光刻装置的液体供给系统可以在投影系统的最后一个元件和基底之间提供层流的浸液。控制系统可使溢出的概率最小化，并且引出装置包括配置成使振动最小化的出口阵列。

本发明公开了一种检验方法和设备、光刻处理单元和器件制造方法。所述检验方法为目标建立模型轮廓。该方法的实施例包括输入已知对象的图像并且既可以手工也可以自动的在该图像上添加估计的轮廓。该估计的轮廓被以数学方式定义，并且被逐段地调整以便与该图...

本发明公开了一种器件制造方法、一种计算机程序和一种光刻设备。在采用光刻设备的器件制造方法中，在场内和／或场之间采用对剂量的修正，以补偿由于光刻设备的投影系统的元件的预测的加热所造成的ＣＤ变化。

本发明公开了一种用于光刻设备的照射器以及一种光刻方法。所述照射器包括照射方式限定元件和多个偏振调节器，所述偏振调节器是可移入或移出与辐射束的一些部分相交的位置，所述辐射束具有由照射方式限定元件支配的角度分布和空间分布。

本发明公开了一种光刻设备，包括：照射系统，被构建并设置用于调节辐射束；以及支撑结构，被构建并设置用于支撑图案形成装置。所述图案形成装置被配置用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束。所述设备也包括衬底台，所述衬底台被构建并设置用于保持衬底...

本发明公开了一种光刻装置及其方法。本发明还公开了一种器件制造方法，所述方法包括采用照射系统调节辐射束。所述调节包括：控制照射系统的独立可控的元件的阵列和相关的光学部件，以将辐射束转换成所需的照射方式，所述控制包括将不同的独立可控元件根据...

本发明公开了一种编码器类型的测量系统、一种光刻设备和一种测量方法。所述测量系统被配置用于测量可移动对象的位置依赖信号，包括：可安装在所述可移动对象上的至少一个传感器；传感器目标对象，其可安装在基本静止的框架上；以及安装装置，其被配置用于...

公开了一种光刻装置和器件制造方法，所述光刻装置设有至少部分地限定用于容纳位于投影系统和基底之间的液体的空间的液体限制结构。为了减小基底边缘在成像时的交叉，在基本平行于基底的平面内所述空间的截面面积应制成尽可能小。最小的理论尺寸是投影系统...

为了补偿在量测工具中依赖于取向的变化，本发明提供一种用于校准量测工具的衬底及其形成方法，以及量测工具校准方法。

本发明公开了一种角度分解散射仪和一种检验方法，其中在角度分解散射仪中，设置孔板，所述孔板包括至少一个遮挡部分，所述遮挡部分延伸入光瞳平面的像中。根据在所述遮挡部分的像的最内点和光瞳的像的名义中心之间的径向距离确定目标图案的离焦量的值。通...

公开了一种具有配置用于清洗表面的兆声换能器的浸没式光刻投影设备以及采用兆声波通过液体清洗浸没式光刻投影设备的表面的方法。在液体中产生液流，期望为径向液流。还公开了一种用于清洗光刻投影设备的部件的表面的清洗装置。

公开了一种用于校准辅助传感器系统的方法以及一种光刻设备。所述辅助传感器系统测量光栅相对于参考物的位置，所述光栅形成编码器测量系统的一部分。所述编码器测量系统适用于测量光刻设备的衬底台的位置，并且还包括安装到衬底台上的传感器。所述方法包括...

公开了一种用于提供投影辐射束的辐射系统。所述辐射系统包括：极紫外源（３），所述极紫外源（３）用于提供极紫外辐射（２）；以及污染物阻挡件（４），所述污染物阻挡件（４）包括多个紧密排布的箔片板（５），所述箔片板（５）用于俘获来自辐射源的污染...

本发明一种光刻设备、控制方法以及标定方法。所述光刻设备包括衬底支撑件的位置控制系统，所述位置控制系统包括：位置测量系统，配置以确定衬底支撑件上传感器或传感器目标的位置；控制器，配置以基于衬底目标部分的期望位置和所确定的位置提供控制信号；...

一种用于透射图像感应的装置和方法，所述装置用于感应光刻曝光设备中的空间图像，所述装置包括：投影系统，所述投影系统设置用于在投影系统的图像侧形成物体标记的空间图像，所述装置还包括检测器，所述检测器包括狭缝图案，所述狭缝图案具有设置成与空间...

本发明公开了一种光刻设备和污染物去除或防止方法。浸没式光刻设备通过使用清洁液体进行清洁，所述清洁液体主要由超纯净水以及（ａ）过氧化氢和臭氧的混合物、或（ｂ）浓度高达５％的过氧化氢、或（ｃ）浓度高达５０ｐｐｍ的臭氧、或（ｄ）浓度高达１０ｐ...

本发明公开了一种光刻设备，所述光刻设备包括编码器型传感器系统，所述编码器型传感器系统配置用于测量光刻设备的衬底台相对于参考结构的位置。所述编码器型传感器系统包括编码器传感器头和编码器传感器目标，而所述光刻设备包括用于容纳所述编码器传感器...

一种光刻设备，包括：　阻挡构件，所述阻挡构件设置用于在投影系统和衬底之间围成空隙并且至少部分地将液体限制在所述空隙中，所述阻挡构件包括：　抽取器，所述抽取器用于将液体从所述阻挡构件和所述衬底之间去除，以及　板，所述板设置在所述抽取器和所...

设备内的氧化物被还原，所述设备具有腔体，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物。在所述方法中，至少在腔体的一部分中提供含氢的气体。在腔体内形成预定的最小局部氢气压力和预定的最大局部氧化剂压力。在所述腔体内，保持温度以...

一种用于确定光刻投影装置中元件表面污染物的测量设备。该测量设备具有用于将辐射投射到至少一部分所述表面上的辐射发射器设备和用于接收来自该元件的辐射的辐射接收器设备。处理器设备与辐射接收器设备通信连接，用于得到接收辐射的一个属性，并根据辐射...