用于被氧化的污染材料的化学还原或污染材料的氧化物还原方法及其调节系统技术方案

设备内的氧化物被还原，所述设备具有腔体，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物。在所述方法中，至少在腔体的一部分中提供含氢的气体。在腔体内形成预定的最小局部氢气压力和预定的最大局部氧化剂压力。在所述腔体内，保持温度以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少１０倍。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光刻设备和一种用于生产器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于 生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯) 上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括步进机，在所述步进机中，通过将全部 图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在 所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图 案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。在光刻设备中，可以成像到所述衬底上的特征尺寸受到辐射束的波长 限制。要生产具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种还原设备中的氧化物的方法，所述设备包括腔体，所述腔体内含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤：　在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；　在腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；　在腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；以及　保持在腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少１０倍。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：ATW肯佩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]