设备内的氧化物被还原，所述设备具有腔体，所述腔体含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物。在所述方法中，至少在腔体的一部分中提供含氢的气体。在腔体内形成预定的最小局部氢气压力和预定的最大局部氧化剂压力。在所述腔体内，保持温度以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少１０倍。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光刻设备和一种用于生产器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于 生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯) 上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括步进机，在所述步进机中，通过将全部 图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在 所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图 案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。在光刻设备中，可以成像到所述衬底上的特征尺寸受到辐射束的波长 限制。要生产具有更高密度器件的集成电路，以至获得更高的操作速度， 就期望能够对更小特征进行成像。然而大部分的现有光刻投影设备采用由 汞灯或者准分子激光器产生的紫外光，但是也已提出使用更短波长的辐 射，例如，大约13nm。这种辐射称为极紫外(EUV)或者软x射线，其可 能的来源包括，例如，激光诱导等离子体源、放电等离子体源或者来自电 子存储环的同步加速器辐射。不久之后，EUV源可以使用锡或者其它的金属蒸汽来产生EUV辐射。所述锡可能渗漏到所述光刻设备的其它部分中，并且将以锡或者锡氧化后 的锡氧化物沉积在光学元件上，例如，反射镜。
技术实现思路
期望提供一种用于还原在设备中的气体混合物中一定量氧化物的方法。本专利技术提供了一种用于还原设备中一定量的氧化物的方法，所述设备 包括腔体，所述腔体含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所述氧化 物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤在该腔体的至少一部分中提 供含氢的气体；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压 力；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力； 保持在该腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在 热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂气体压力和最小局部 氢气压力下的温度高，至少局部被氧化的污染材料的量比氧化物的量高至 少10倍。本专利技术还涉及一种器件制造方法，所述方法包括步骤将图案化辐射 束投影到衬底上，其中所述方法包括提供光刻设备，所述光刻设备包括辐 射源、照射系统和投影系统；采用照射系统提供辐射束；在辐射束的横截 面上使辐射束图案化以提供图案化辐射束，其中在光刻设备的使用中，通 过根据本专利技术的方法控制照射系统内的环境。本专利技术还涉及一种计算机程序产品，所述产品包括要被光刻设备的处 理器加载的数据和指令，所述产品被配置使光刻设备在所述光刻设备内实 现根据本专利技术的方法。本专利技术还涉及一种用于还原一定量的氧化物的调节系统，所述调节系 统包括腔体和控制单元，所述腔体内含有一定量的污染材料和一定量的氧 化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述腔体包括入口，所述入口配 置用于在腔体的至少一部分中提供含氢的气体；待清洁的元件，设置在所 述腔体的所述至少一部分中；温度测量装置，配置用于测量所述腔体的所 述至少一部分中的温度；加热元件，用于加热待清洁的单元，其中控制单 元配置用于控制加热元件的启动以保持腔体内的温度，所述温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的局部氧化剂气体压力和局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。本专利技术还涉及光刻设备，所述光刻设备包括照射系统，配置用于调 节辐射束；支撑件，配置用于支撑图像形成装置，所述图像形成装置配置 用于将图案赋予所述辐射束的横截面上，以形成图案化辐射束；衬底台， 配置用于保持衬底；以及投影系统，配置用于将图案化辐射束投影到所述 衬底的目标部分上，其中所述照射系统包括前面提到的调节系统。本专利技术还涉及一种半导体器件制造方法，所述方法包括步骤使用光 刻设备将图案从图案形成装置转移到衬底上。本专利技术还涉及一种用于去除置于设备的腔体内的元件上的污染材料 的沉积物的方法，所述腔体含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所 述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤在腔体的至少一部分 中提供含氢的气体；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢 气压力；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压 力；保持在该腔体的至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在 热力学平衡下给定的所形成的预定局部氧化剂气体压力和局部氢气压力 下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍；提供一种含卤素的 气体，所述含卤素的气体用于去除所述元件上的至少一部分沉积物。本专利技术还涉及一种用于还原光刻设备中的气体混合物中的一定量的 锡氧化物的方法，所述光刻设备包括含有气体混合物的腔体，所述气体混 合物包含一定量的锡材料和一定量的锡氧化物，所述方法包括在所述腔体 的至少一部分中提供氢气；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力；在该腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂 气体压力；保持在该腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温 度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定局部氧化剂气体压力和局部氢气压力下的温度高，锡材料的量比锡氧化物的量高至dno倍。附图说明在此仅借助示例，参照所附示意图对本专利技术的实施例进行描述，在所 附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中-图l示意性示出根据本专利技术的实施例的光刻设备；图2示意性更详细地示出图1中的光刻设备的结构；图3示意性地示出根据本专利技术的实施例的调节系统；图4a-d示出四张仿真图，所述仿真图示出作为对于不同的氢气和氧气 的局部气体压力下的温度的函数的锡和锡氧化物的可得到的量；以及图5示意性地示出包括如在本专利技术的实施例中所使用的处理器的计算机。具体实施例方式图l示意性地示出根据本专利技术的实施例的光刻设备l。所述设备l包括 照射系统(照射器)IL，所述照射系统配置用于调节辐射束B (例如，紫 外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)。支撑件(例如掩模台)MT，配 置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数 精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。衬底台(例如晶片台) WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于 根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连。投影系统(例 如折射式投影透镜系统)PL，所述投影系统PL配置用于将由图案形成装 置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多 根管芯)上。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、 磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、 成形、或控制辐射。所述支撑件支撑图案形成装置，例如，承担所述图案形成装置的重量。 其以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置 是否保持在真本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种还原设备中的氧化物的方法，所述设备包括腔体，所述腔体内含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步骤： 在腔体的至少一部分中提供含氢的气体； 在腔体的所述至少一部分中形成预定的最小局部氢气压力； 在腔体的所述至少一部分中形成预定的最大局部氧化剂气体压力；以及 保持在腔体的所述至少一部分中的温度，以使得所保持的温度至少比在热力学平衡下给定的所形成的预定最大局部氧化剂压力和最小局部氢气压力下的温度高，污染材料的量比氧化物的量高至少１０倍。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：ATW肯佩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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