【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种辐射系统和光刻设备。具体地,本专利技术涉及一种用于 提供投影辐射束的辐射系统。所述辐射系统包括用于提供极紫外辐射的 极紫外辐射源;以及污染物阻挡件,所述污染物阻挡件包括用于俘获来自 辐射源的污染物材料的多个紧密排布的箔片板。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部 分上)的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在 这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于 生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、 一个或多个管芯) 上。典型地,经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常,单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机,在所述步进机中,通过将 全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓扫 描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所 述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述 ...
【技术保护点】
一种用于提供投影辐射束的辐射系统,所述辐射系统包括:极紫外辐射源,所述极紫外辐射源用于提供极紫外辐射;以及 污染物阻挡件,所述污染物阻挡件包括多个紧密排布的箔片板,用于俘获来自所述辐射源的污染物材料,所述污染物阻挡件包围所述极紫外辐射源。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:德尔克简威尔弗雷德克朗德尔,马丁玛瑞纳斯约翰内斯威尔赫尔姆斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[]
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