用于测量光刻装置中元件表面污染物的方法和设备制造方法及图纸

一种用于确定光刻投影装置中元件表面污染物的测量设备。该测量设备具有用于将辐射投射到至少一部分所述表面上的辐射发射器设备和用于接收来自该元件的辐射的辐射接收器设备。处理器设备与辐射接收器设备通信连接，用于得到接收辐射的一个属性，并根据辐射的该属性得到污染物的一个属性。以及一种用于测量光刻投影装置中元件表面污染物的属性的方法，包括；将辐射投射到表面上；接收来自该元件的辐射，以及根据接收的辐射得到污染物的属性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于测量光刻投影装置中元件表面污染物的方法。本专利技术还涉及一种光刻投影装置。本专利技术进一步涉及一种器件制造方法和一种计算机程序产品。
技术介绍
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案对应于要在基底的靶部上形成的图案；本文中也可使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相对应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型和衰减的相移型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的透射(在透射掩模的情况下)或者反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，其对应的支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模保持在入射辐射束中所希望的位置，并且如果需要该台会相对于光束移动；-可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置背后的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光作为衍射光反射，而非寻址区域将入射光作为非衍射光反射。利用一个适当的滤光器，可以从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案受到构图。可编程反射镜阵列的另一实施例采用微小反射镜的矩阵排列，通过施加适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，以使寻址的反射镜沿不同的方向将入射的辐射束反射到非寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的寻址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图部件可以包括一个或者多个可编程反射镜阵列。关于这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和美国专利US5,523,193，以及PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构例如可以是框架或者工作台，所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的；以及-可编程LCD阵列。在美国专利US 5,229,872中给出这种结构的例子，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构例如可以是框架或者工作台，所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的靶部(例如包括一个或者多个电路小片(die))上。一般地，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片步进器或者步进重复(step-and-repeat)装置。另一种装置，通常称作步进扫描装置，通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献在这里引入作为参考。在使用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种构图后的层然后可进行各种处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一个单层所需的所有处理。如果需要多层，那么必须对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微芯片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw HillPublishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其他台用于曝光。例如在US5,969,441和WO98/40791中描述的两级光刻装置，这里作为参考引入。尽管特定的参考文件在文中给出，用以在IC的制造中使用根据本专利技术的装置，但是应该明确，这种装置可以具有许多其他的应用。例如，可以用于集成光学系统，制导和探测磁畴存储器的构图，液晶显示板，薄膜磁头等的制造中。技术人员知道，在这些其他应用的情况下，文中所用的术语“划线板”、“晶片”或“电路小片”应该认为分别由更普通的术语“掩膜”、“基底”和“靶部”代替。在本申请中，术语“辐射”和“光束”用于包含所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如波长为365，248，193，157或126nm)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，如离子束或电子束。一般地，光刻投影装置的元件表面在使用过程中，例如由于装置中总是存在烃分子，即使大多数装置在真空中工作也会受到污染。应该注意，一般EUV光刻投影装置是一个封闭的真空系统。污染物也可以由其他物质产生，例如但不限于，六甲基二硅氮烷或如硅氧化物的其他含硅物质受辐射导致裂化的反应物。特别是在利用DUV或EUV的装置中，元件可受到由于烃分子裂化导致的辐射产生的含碳物质的污染。特别地，光刻投影装置中如反射镜的光学元件的污染对装置的性能有不利影响，因为这些污染影响光学元件的光学性质。光学元件的污染例如因增加对辐射的吸收而导致该元件变热；致使损失反射率和透光度，并引入波前误差。这导致光学器件的寿命缩短。因为产生例如碳的污染物的辐射将会出现在大部分照射区域，即光学元件附近，所以，当使用EUV辐射时，光学元件的污染尤其是一个问题。因此，希望控制和了解污染物。
技术实现思路
本专利技术的一般目的是提供一种用于测量光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测量光刻投影装置中元件表面污染物的至少一个属性的测量设备，包括：.辐射发射器设备，用于将投射的辐射投射到至少一部分所述表面上；.辐射接收器设备，用于响应于投射辐射而接收来自该元件的辐射；以及.与辐 射接收器设备通信连接的处理器设备，用于得到接收辐射的至少一个属性，并根据所述接收辐射的至少一个属性来确定所述污染物的至少一个属性。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：R库尔特，MC范贝克，AE迪斯特温克，ER基夫特，H梅林，BM默滕斯，JHJ穆尔斯，LHJ斯蒂芬斯，BT沃尔施里恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，卡尔蔡司SMT股份公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]