公开了一种光刻投影装置１及其方法，其中干涉仪系统６，８，１４，１５，１６具有在第一测量工位４和第二曝光工位２上延伸的作用范围。装置初始存储掩模ＭＡ相对于掩模台ＭＴ的位置。通过平面电动机将晶片台ＷＴａ从第一工位传送到第二工位，同时完全处于...

在干涉位移测量系统中，对光束切变进行修正。该修正可以是与测量光束穿过的光学路径长度以及测量镜的角成比例的变量的多项式。该修正补偿了由测量光束波前的非平面性造成的误差。

本发明提供了一种装置制造方法，包括：利用图案形成装置进行第一次曝光，以给辐射束的横截面赋予第一图案，所述第一图案包括所需的在局部亮区的暗分离特征且在所述局部亮区周围是暗的；并且将带图案的辐射束投影到辐射敏感材料层的靶部上，及利用图案形成...

通过用二维校正核心或两个一维校正核心旋绕器件特征将灰度级光学接近式校正器件特征添加到一掩模图案以便生成灰度级ＯＰＣ特征。该结果图案可以用在具有适于生成三个或更多强度等级的可编程构图装置的投影光刻设备中。模拟由图案产生的空间图像、比较对希...

用于减小波前像差的方法，用于光刻工艺，所述减小处理基于待印的选定图案和用于曝光的选定照射模式。通过计算投影系统的光学元件的调节、并且将已计算的调节应用于投影系统，来测量和减小光刻设备的投影系统的波前像差。调节的计算是基于有关对辐射敏感层...

本发明公开了一种光刻系统、一种器件制造方法、一种定点数据优化方法和一种生产设备。所述定点数据优化方法包括产生用于控制无掩模系统中的独立可控元件阵列的元件动作的优化的定点数据。所述优化基于器件结构和／或剂量图案的估计，所述估计可以利用一种...

本发明公开了一种控制系统、光刻投影设备、控制方法和计算机程序产品，其中所述控制系统包括：设置用于测量由支撑结构所支撑的衬底的位置的第一测量系统，所述位置在第一坐标系中被测量；用于测量支撑结构在第二坐标系中的位置的第二测量系统，第一测量系...

本发明公开了一种用于光刻设备的台系统，所述台系统包括：台；超定数量的致动器，所述致动器用于对台进行作用；至少两个传感器，用于测量台的位置依赖参数，并用于提供各个传感器信号。所述至少两个传感器设置用于测量在相同的自由度上的各个位置依赖参数...

本发明提出了校正光刻曝光衬底的热致区域形变的方法和装置。在一个实施方案中，该方法包含，按照预定曝光信息把图形曝光到衬底的多个区域，并测量所述区域的属性以评估曝光过程的热效应引起的区域形变。该方法进一步包含基于测得的属性确定校正信息，并基...

浸入光刻设备的投射系统的末级元件构制用于折射率高于末级元件的折射率的液体。在一个实施例中，末级元件包括弯月形凸透镜。此类末级元件使得能够增大光刻设备的有效数值孔径并且减小投射光束在其经过末级元件到达液体时的总体内部反射。

公开了用于浸入式光刻投影装置的液体供给系统，其中在投影系统、隔离件和衬底之间界定出空间。隔离件没有被密封，使得在使用中允许浸液从该空间和在隔离件和衬底之间流出。

公开了一种光刻装置。该装置包括提供辐射光束的辐射系统，和支撑图案形成结构的支撑结构。图案形成结构构造成可根据所需的图案图案化辐射光束。该装置还包括支撑衬底的衬底支撑，和将图案化的光束投影到衬底的目标部分的投影系统。该投影系统包括具有光束...

一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；用于至少部分地将所述投射系统末端...

本发明描述了一种浸没光刻设备以及用于清洁光刻设备的方法，该光刻设备的一个入口设置成提供清洁流体到位于衬底台上的对象物体，例如衬底，和衬底台之间的空间上。

公开了一种冷却设备，所述冷却设备具有第一冷却结构（２２０），所述第一冷却结构与温度高于冷却结构（２５０）的热源进行热接触，并包括冷却流体所流经的通道；在所述热源和所述冷却结构之间的隔离器（２３０），所述隔离器与所述第一冷却结构进行热接触...

本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。

一种光刻装置，包括：构造成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统；将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间的流体供给系统；以及检测浸没流体从流体供给系统的泄漏的泄漏检测系统，所述泄漏检测系统包括布...

一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；用于至少部分地将所述投射系统末端...

本发明公开了一种测量系统以及一种光刻设备。所述测量系统包括传感器，该传感器配置成与设置在测量系统的结构上的第一图案协同操作用以确定所述传感器相对于所述结构的第一位置量，以及与设置在所述结构上的第二图案协同操作用以确定所述传感器相对于所述...

本发明公开了一种具有主动阻尼组件的光刻设备，包括用以将图案化的辐射束投影到衬底的投影系统，和用于衰减至少一部分该投影系统的振动的阻尼系统，所述阻尼系统包括界面阻尼块体和用以衰减至少一部分该界面阻尼块体振动的主动阻尼子系统，所述界面阻尼块...