光刻装置的浸没损坏控制制造方法及图纸

一种光刻装置，包括：构造成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统；将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间的流体供给系统；以及检测浸没流体从流体供给系统的泄漏的泄漏检测系统，所述泄漏检测系统包括布置在流体供给系统的潜在泄漏区的两个相互绝缘的电导体，所述泄漏检测系统构造成通过测量相互绝缘的电导体之间的电容来检测泄漏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种浸没型光刻装置。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装 置。光刻装置可以用于例如集成电路UC)的制造。在这种情况下，构图 部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独 层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的靶部上(例 如包括一部分， 一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成像在 涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。 一般地，单一的基底将包含 被相继构图的相邻粑部的网格。常规的光刻装置包括所谓的步进器，它通 过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，常规的光刻装置还包括 所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向("扫描"方向)扫描 所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射 每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的 液体中，如水中，从而填充投影系统的最后一个元件即投影系统的底部与 基底之间的空间，由此提供浸没光刻装置的实例。由于曝光辐射在该液体 中具有更短的波长，从而能够更加精确地投影和对更小的特征进行成像。液体的作用也可以认为是增大了系统的有效数值孔径(M )和增加了焦深。 也有人提议其它浸没液体，包括其中悬浮有固体微粒(如石英)的水。因 此，光刻装置具有流体供给装置，其布置成提供浸没液体或使液体保持在 其位置。液体可以流动以避免局部发热。可以将基底或基底和基底台浸没在浸液浴槽中。美国专利No. 4， 509，852中公开了一个这种布置的实例，在此将该专利全文引入作为参考。可替换地，浸没液体可以使用液体限制系统由液体供给系统仅仅提供到基底 的局部区域以及投影系统的最后一个元件和基底之间，通常该基底具有比投影系统的最后一个元件更大的表面区域。在国际专利申请案No. 99/49504中公开了一个这种布置的实例，在此将该文献全文引入作为参 考。通过至少一个入口将液体提供到基底上，优选地沿基底相对于投影系 统的最后一个元件的移动方向提供，并通过与低压源连接的至少一个出口 去除液体。围绕最后一个元件周围定位的入口和出口的各种定向和数量都 是可能的。此外，液体供给系统可以具有密封元件，其沿投影系统的最后 一个元件和基底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。该密封元件在XY 平面中大体上相对于投影系统静止，但是在Z方向(投影系统的光轴方向) 可以有一些相对移动。在密封元件和基底表面之间形成密封。优选地，该 密封是非接触密封，如气密封，其可以进一步用作一个气体轴承。欧洲专 利申请No. 03252955. 4公开了这种布置的一个实例，在此将该文献全文引入作为参考。在欧洲专利申请案No. 03257072. 3中，公开了一种双或两平台浸没 光刻装置，在此将该文献全文引入作为参考。这种装置具有两个支撑基底 的台。不使用浸没液体在第一位置用一个台进行水准测量，而在其中提供 了浸没液体的第二位置使用一个台进行曝光。可替换地，该装置仅有一个在如上所述利用浸没的已知光刻装置的实施中，通过气体轴承使提供 浸没液体的液体供给系统相对基底和/或基底台导引。气体轴承可在液体 供给系统和基底或基底台之间的间隙中提供气流。有效地，液体供给系统 可以保持在间隙中流动的这种气体层上。通过利用这种气体轴承，由于气 体轴承通常可以在液体供给系统和基底或基底台之间提供最d、间距，因此 可以获得一定的安全性。此外，为了避免基底表面和围绕基底的基底台围 绕部的表面之间的高度差，可以实施一选择机构以便选择基底的厚度。当 基底具有的厚度过大或过小时将不被允许进入光刻装置，因为在光刻装置 中处理这种基底可能会在基底和围绕基底的基底台表面之间导致高度差， 当液体供给系统穿过基底到基底台或者相反时，这将使液体供给系统撞击 到基底以及基底台。在基底表面和围绕基底的基底台表面之间的高度差达 到基底以及基底台和液体供给系统之间的间隙高度或者更大的情况下，就 可能发生这种碰撞
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供一种光刻装置，包括构造成保 持基底的基底台，测量基底台的位置量的基底台位置测量系统，配置 成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统，将浸没液体提 供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间的流体供给系统，测量流 体供给系统的位置量的流体供给系统位置测量系统，以及防止流体供 给系统和保持基底的基底台之间的碰撞的损坏控制系统，所述损坏控 制系统包括根据基底台的位置量和流体供给系统的位置量计算流体供 给系统和保持基底的基底台之间的间隙的尺寸量(dimensional quantity)的计算器，以及当尺寸量超过预定的安全水平时产生报警 信息的损坏控制系统。在本专利技术的另一个实施例中，提供一种光刻装置，包括构造成 保持基底的基底台，配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的 投影系统，将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间 的流体供给系统，控制流体供给系统的位置的流体供给系统位置控制 系统，以及防止流体供给系统和保持基底的基底台之间的碰撞的损坏 控制系统，所述损坏控制系统将驱动流体供给系统位置控制系统的致 动器的致动器驱动信号与预定阀值比较，所述致动器用于改变流体供 给系统的位置，从而当致动器驱动信号超过阀值时产生报警信号。根据本专利技术的又一个实施例，提供一种光刻装置，包括构造成 保持基底的基底台，配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的 投影系统，将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间 的流体供给系统，以及检测从流体供给系统的浸没流体泄漏的泄漏检 测系统，所述泄漏检测系统包括布置在流体供给系统的潜在泄漏区的 两个相互绝缘的导体，所述泄漏检测系统构造成通过测量相互绝缘的 导体之间的电容来检测泄漏.附图说明现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本专利技术的各个 实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，其中 图1示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置； 图2示出了根据本专利技术的一个实施例的部分光刻装置的示意图； 图3a和3b示意性地示出了根据本专利技术的另一个实施例的光刻装 置的基底台和液体供给系统；图4示意性地示出了根据本专利技术的另一个实施例的光刻装置的液 体供给系统和基底台的定位，其用于执行校准；图5示意性地示出了根据本专利技术的一个实施例的部分光刻装置；图6a和6b示意性地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置 的泄漏检测器。具体实施例方式图1示意性地表示了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置。该装 置包括照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射光束B (例如UV 辐射或其他合适的辐射)；掩模支撑结构(例如掩模台)MT,其配置 成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数精确定位 该构图部件的第一定位装置PM连接.该装置还包括基底台(例如晶 片台)WT或"基底支座"，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶 片)W，并与配置成依照某些参数精确定位基底的第二定位装置PW连 接。该装置还包括投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其配置成 利用构图部件MA将赋予给辐射光束B的图案投影到基底W的靶部C(例 如包括一个或多个管芯)上。照射系统可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，包括：　构造成保持基底的基底台；　配置成将带图案的辐射光束投影到基底靶部上的投影系统；　将浸没液体提供到投影系统的下游透镜和基底之间的空间的流体供给系统；以及　检测浸没流体从流体供给系统的泄漏的泄漏检测 系统，所述泄漏检测系统包括布置在流体供给系统的潜在泄漏区的两个相互绝缘的电导体，所述泄漏检测系统构造成通过测量相互绝缘的电导体之间的电容来检测泄漏。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F范德穆伦，HHM考克西，M侯克斯，RJ范维烈特，S尼蒂亚诺夫，PWJM坎帕，RPH哈尼格拉夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]