ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有2676项专利

  • 用于检测被定位的样品的位置的系统、装置和方法可以包括:静电保持器,该静电保持器被配置为保持样品并且当该静电保持器保持样品时在样品的外侧边缘与该静电保持器的结构之间形成间隙区域,其中间隙区域涂覆有第一涂层,该第一涂层被配置为反射具有第一亮...
  • 一种用于光刻设备的表膜隔膜,其中,所述表膜隔膜包括金属硅化物和增强网络。所述增强网络可以位于金属硅化物层之间。所述增强网络可以是不规则的。所述增强网络包括最大尺寸为高达20微米的窗口。所述增强网络包括平均尺寸为至少5微米的窗口。
  • 提供了用于校正对准测量结果或重叠误差的系统、设备和方法。示例性方法可以包括测量响应于由辐射束对表面的区域的照射的可观察量,诸如从该区域衍射的辐射之间的干涉。示例性方法还可以包括生成指示可观察量的测量信号。在一些方面中,该测量信号可以包括...
  • 提供了用于使用离轴照射来测量强度的系统、设备和方法。示例方法可以包括:用第一辐射束以第一入射角照射衬底的表面的区,并且作为响应,测量从所述区域衍射的第一组光子。示例方法还可以包括:用第二辐射束以第二入射角照射所述区,并且作为响应,测量从...
  • 公开了一种计算机实现方法,该计算机实现方法确定与一个或更多个特征在光刻过程中在衬底上的放置相关的放置度量。该方法包括:获得设置数据,该设置数据包括放置误差贡献项数据和良率数据,该放置误差贡献项数据与多个放置误差贡献项参数相关,该良率数据...
  • 用于通过光谱加宽产生宽带辐射的辐射源组件和方法。该辐射源组件包括泵组件,该泵组件被配置为提供宽带输入辐射。该泵组件包括泵浦源,被配置为提供泵浦波长的第一辐射,和宽带组件,被配置为提供包括连续波长范围的第二辐射,其中第一辐射和第二辐射形成...
  • 一种系统包括辐射源、光学系统、光学元件、检测系统和处理器。所述辐射源被配置成产生辐射束。所述光学系统被配置成将辐射束朝向目标结构引导并且接收散射辐射。所述目标结构被配置成产生包括一个或更多个散射束的散射辐射。所述光学元件被配置成控制一个...
  • 一种用于向样品投射带电粒子多射束的方法,包括:使用控制透镜阵列来操纵带电粒子多射束的相应子射束,该控制透镜阵列包括用于相应子射束的多个控制透镜;控制控制透镜阵列以操纵子射束,使得子射束由射束成形孔径阵列的相应孔径成形,使得小于阈值电流的...
  • 一种用于清洁光刻设备中所使用的部件的设备,该设备包括至少一个清洁模块或多个清洁模块,其中至少一个清洁模块或多个清洁模块包括多个清洁机构,并且其中,多个清洁机构包括:至少一个准备机构和至少一个去除机构,该准备机构用于减小粒子对部件的粘附力...
  • 一种衬底处理设备包括:衬底装载装置,配置为在相对于与衬底上的场的布局相关联的栅格的预定方向上装载所述衬底;校正元件,配置为使得能够局部校正在衬底上执行的过程的特性;其的特点是所述校正元件被沿着具有除了与所述栅格的X轴或Y轴平行之外的方向...
  • 一种用于物体处置器的夹持器包括:用于接合物体的表面的接合表面、以及连接到第一出口的第一通道,所述第一出口被配置为在使用期间作为真空夹具而操作,所述真空夹具被布置为将所述接合表面固定到所述物体的所述表面。所述夹持器还包括:被布置为连接到压...
  • 公开了一种用于检测掩模上的(多个)缺陷的改进的方法和系统。改进的方法包括:在晶片被使用掩模的光刻系统曝光以所选工艺条件曝光之后检查曝光晶片,该所选工艺条件是基于所选工艺条件下的掩模缺陷适印性确定的;以及基于检查标识由掩模上的缺陷引起的晶...
  • 用于光刻工具的光源包括:被配置为发出第一光束和第二光束的源,第一光束具有第一波长,并且第二光束具有第二波长,第一波长和第二波长不同;放大器,被配置为将第一光束和第二光束放大,以分别产生第一放大光束和第二放大光束;以及光源与放大器之间的光...
  • 披露了一种用于测量衬底上的位于至少一个层下方的目标的方法。所述方法包括:利用包括至少一种泵浦波长的泵浦辐射激发所述至少一个层,以便在所述至少一个层内产生从所述目标反射的声波,由此在所述衬底的表面处产生所述目标的声学复制品;以及利用包括至...
  • 一种带电粒子装置,被配置为将带电粒子多射束朝向样品投射,包括:带电粒子源,其被配置为发射带电粒子射束;光源,被配置为发射光;以及带电粒子光学设备,其被配置为向样品投射从带电粒子射束导出的带电粒子多射束的子射束;其中,光源被布置为使得光沿...
  • 披露了一种用于确定针对光刻过程的至少第一过程的过程校正的方法,所述光刻过程至少包括使用至少第一设备在至少第一衬底上执行的所述第一过程和使用至少第二设备在至少所述第一衬底上执行的第二过程,其中,所述第一设备的校正致动能力不同于所述第二设备...
  • 披露了一种用于对与在光刻过程中被曝光的衬底相关的衬底区域上的对准数据进行建模的方法。所述方法包括:获得与所述衬底相关的对准数据;并且将所述对准数据分离为在不同衬底之间相对稳定的系统分量和在不同衬底之间相对不稳定的非系统分量。所述系统分量...
  • 一种确定衬底的套刻测量的方法,包括:将电荷注入到衬底的电荷注入元件中;确定第一对元件的第一电容和第二对元件的第二电容;以及基于第一电容和第二电容确定电容比。套刻测量可以基于电容比来确定,电容比可以指示不平衡。
  • 本发明涉及一种静电保持器,包括本体和夹持元件,该夹持元件附接到本体,所述夹持元件包括电极,该电极用于在夹持元件与第一待夹持物体之间施加吸引力,其中本体的外边缘被配置为在本体的外边缘与第一待夹持物体之间提供间隙,该间隙被配置为用于输出用于...
  • 描述了用于产生针对与光刻系统的光学系统相关的像差灵敏度而优化的设计(例如,待印制在衬底上的量测标记或器件图案)的实施例。通过将所述量测标记的像差灵敏度与所述器件图案的像差灵敏度匹配,针对给定器件图案来优化了量测标记(例如,透射图像传感器...
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