ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有2653项专利

  • 本文中描述了一种用于确定半导体制造时随时间的工艺漂移或异常值晶片的方法。该方法包括:获得表征半导体工艺随时间的性能的关键性能指标(KPI)变化(例如,LCDU)、以及与和半导体工艺相关联的因子集合相关联的数据。KPI和数据的模型被用来确...
  • 本文中描述一种光学元件,和一种将所述光学元件用于对衬底上的结构进行的测量的量测工具或系统。所述光学元件包括:第一部分,所述第一部分被配置成将从所述照射源接收的光朝向所述衬底反射,和第二部分,所述第二部分被配置成透射从所述衬底或所述光学工...
  • 公开了一种确定可靠性度量的方法以及相关联的设备,可靠性度量描述量测信号和/或从其导出的感兴趣参数值的可靠性。方法包括:获取经训练的推算模型,用于根据测量信号推算感兴趣参数值,并获取一个或多个测量信号和/或使用所述经训练的推算模型从一个或...
  • 描述了用于确定对至少一个控制参数的校正的方法和相关联的计算机程序和设备,所述至少一个控制参数用于控制半导体制造工艺以便在衬底上制造半导体器件。所述方法包括:获得与所述半导体制造工艺或所述半导体制造工艺的至少一部分相关的量测数据;获得与所...
  • 一种用于诊断包括多个模块的系统的计算机实施方法。所述方法包括:接收因果图表,所述因果图表定义:(i)多个节点,每个节点表示所述系统的模块,其中,每个模块由一个或更多个信号表征;和(ii)连接在所述节点之间的边,所述边表示性能在模块之间的...
  • 一种用于带电粒子装置的检测器,该带电粒子装置用于评估工具,该检测器用于检测来自样品的信号粒子,检测器包括基板,基板包括:半导体元件,其被配置为检测高于第一能量阈值的信号粒子;以及基于电荷的元件,其被配置为检测低于第二能量阈值的信号粒子。
  • 一种光刻工具包括:第一区域,所述第一区域包括第一部件;第二区域,所述第二区域包括第二部件;和屏蔽设备,被布置于所述第一区域和所述第二区域之间。屏蔽设备配置成减少污染物在所述第一区域和所述第二区域之间的转移。所述屏蔽设备包括在所述第一区域...
  • 一种在用于评估装置的带电粒子设备中使用的检测器用于检测来自样品的带电粒子,其中检测器包括:被设置至反向散射偏置电势并且被配置为检测高能量带电粒子的反向散射检测器组件;以及被设置至次级偏置电势并且被配置为检测低能量带电粒子的次级检测器组件...
  • 所描述的是用于标识由模拟模型(例如,机器学习模型)预测的图像中的误差聚类,并且通过将误差聚类信息反馈给模拟模型来进一步训练或调整模拟模型以改进具有误差聚类的图像的区域中的预测的实施例。此外,公开了用于基于误差聚类中的误差的严重性对预测图...
  • 一种量测系统,包括光装置、检测装置和控制装置,该控制装置与检测装置通信。该光装置被配置为生成光学探针,该光学探针沿着探针光轴传播,该探针光轴在探针区域处与目标轴向路径相交,该目标轴向路径主要沿着X、Y、Z坐标系中的X轴延伸。检测装置被配...
  • 一种用于生成针对图案化过程的量测采样方案的方法,所述方法包括:获取用于衬底的图案化过程的参数的参数图;由硬件计算机系统分解所述参数图以生成对所述图案化过程的设备和/或所述图案化过程的设备的组合特定的指纹;和基于所述指纹,由所述硬件计算机...
  • 一种用于保持结构部分(特别是半导体晶片(1)或光刻掩模)的保持装置(100),所述保持装置包括:基体(10),所述基体由具有上侧的至少一个板(11)形成,和多个突出立柱(12),所述多个突出立柱被布置在所述板(11)的所述上侧上并且形成...
  • 一种系统包括具有一个或更多个突起的支撑台、和压力装置。所述一个或更多个突起接触并且支撑所述衬底,使得所述衬底相对于所述支撑台是悬浮式的。当所述衬底由所述支撑台支撑时,所述衬底的下垂基于所述衬底的材料和/或尺寸。所述压力调整所述衬底的一侧...
  • 公开了用于确定投影系统的像差图的相位步进测量系统的衍射光栅。光栅是二维衍射光栅,用作EUV光刻设备中的晶片级光栅。特别地,衍射光栅包括衬底并且是自支撑的,该衬底设置有圆形贯通孔径(51)的二维阵列。在一些实施例中,可以选择圆形孔径的半径...
  • 本文中的实施例描述了用于对光刻设备处的图案形成装置进行热调节的系统、方法和装置。描述了一种用于对光刻设备的图案形成装置(202)进行热调节的图案形成装置冷却系统,所述冷却系统包括:热调节器,所述热调节器对所述图案形成装置进行热调节;和控...
  • 本文公开了一种用于评估光刻设备的部件中的一个或更多个孔的孔性质的工具,所述工具包括:评估基底;流体供应装置,所述流体供应装置被配置为从所述一个或更多个孔中的每个孔向评估基底的第一表面供应流体射流,其中,在一流体温度下供应所述流体,使得一...
  • 本发明公开了一种生产光子晶体光纤(PCF)的方法,所述方法包括以下步骤:1)获得具有小于1.0mm的初始光纤外径的中间光子晶体光纤;和2)拉长所述中间光子晶体光纤以便可控地减小中间光子晶体光纤的至少一个尺寸。
  • 本发明提供了一种位置测量系统,所述位置测量系统用于测量物体在相对于参考物的移动方向上的位置,所述位置测量系统包括:衍射光栅,和干涉仪,其中所述干涉仪被配置成在与所述物体的所述移动方向正交的测量方向上将测量束引导至所述衍射光栅,并且其中所...
  • 本发明提供了一种在衬底保持件的基部表面上使用的结构,其中:该结构是实质上平面的,该结构具有面向衬底保持件的表面,该面向衬底保持件的表面能够固定到衬底保持件的基部表面,并且还能够从衬底保持件的基部表面移除;以及该结构包括通过该结构的多个孔...
  • 公开了一种EUV系统,其中,建立了源控制回路以维持和优化碎片通量,同时不会过度影响最佳EUV生成条件。可以在容器中安装一个或多个温度传感器,例如热电偶,以测量相应局部气体温度。由所述一个或多个热电偶测量的相应局部温度可用作所述源控制回路...