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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
确定光刻设备上的基准劣化的方法技术
公开了一种确定光刻设备上的基准劣化的方法,所述方法包括:从所述光刻设备的测量侧获得第一基准度量数据;从所述光刻设备的曝光侧获得第二基准度量数据;确定描述所述第一基准度量数据与所述第二基准度量数据之间的相关性的相关性度量;以及确定基准是否...
种子激光器系统技术方案
一种用于EUV辐射源的种子激光器系统,所述种子激光器系统包括:激光器,所述激光器被配置成发射脉冲式激光束;至少一个电光调制器,所述至少一个电光调制器位于所述激光器的下游;以及光学放大器,所述光学放大器位于所述至少一个电光调制器的下游,其...
预测电磁系统对照射电磁辐射的响应的方法技术方案
一种预测电磁系统对来自照射配置的电磁辐射的响应的计算机实现的方法。系统包括位于辐射路径中的像差元件和辐射路径上的物体平面处的与电磁辐射相互作用的物体,像差元件引起对沿着辐射路径透射的电磁辐射的、由像差函数描述的像差。方法包括各种步骤。
用于最小化热应变的掩模版设计制造技术
一种用于减小掩模版中的热应变的方法,包括:确定掩模版在所述掩模版的使用期间的目标操作温度;基于所述掩模版的所述目标操作温度来调整所述掩模版的热膨胀(TE)性质;以及将所述掩模版曝光于辐射以执行制造过程。
用于控制光刻设备的方法和相关设备技术
公开了一种用于控制光刻设备的方法以及相关设备。该方法被配置为在光刻过程中向衬底提供产品结构,并且包括确定优化数据。优化数据包括至少一个性能参数的被测量的数据和/或被模拟的数据,该至少一个性能参数与将要在光刻过程中施加到衬底上的产品结构和...
光学测量标记制造技术
一种用于成像系统的光学测量标记,包括反射区和被配置为降低由成像系统形成的光学测量标记的图像的强度的亚结构。所述亚结构能够有效地降低在使用该光学测量标记进行测量时可能发生的碳污染速率。
用于光刻应用的掩模版调节制造技术
一种用于调节掩模版的方法,包括确定所述掩模版在使用期间的目标操作温度。所述方法包括控制所述掩模版的温度以趋近于所述掩模版在使用期间的所述目标操作温度。所述方法包括将所述掩模版曝光于辐射以执行制造过程。
光刻设备、和排出光刻设备中的污染物的方法技术
一种光刻设备(LA),包括:第一环境(11),污染物(9)的源位于所述第一环境中;第二环境(12);通道(10),所述第一环境与所述第二环境之间的光学路径被设置为通过所述通道,其中,所述通道至少部分地由第一壁区段和第二壁区段(21、22...
衬底支撑件制造技术
衬底支撑件包括具有上表面的主体和在上表面之上突出的多个支撑构件,其中支撑构件中的一个或多个支撑构件包括由第一材料形成的第一部分和由第二材料形成的第二部分,第二部分被设置在第一部分与主体之间,并且第二材料在与上表面平行的方向上的杨氏模量小...
液滴发生器制造技术
提供了一种液滴发生器,该液滴发生器包括:导管,该导管包括孔口,该孔口被配置成流体地联接到贮存器并且在熔融目标材料方向上发射熔融目标材料;多个压电元件,该多个压电元件至少部分地包围导管,其特征在于,压电元件中的至少一个压电元件被配置成在剪...
用于选择基本不规则图案布局的图案参考特征的方法技术
公开了一种选择用于表征图案化工艺中的随机效应的一个或多个参考特征的方法,所述方法包括:获得与用于在所述图案化工艺中在衬底上图案化的图案相关的多个产品特征;获得与表征所述多个产品特征的随机效应的一个或多个随机参数相关的产品分布数据;选择一...
用于预测全芯片应用的显影后随机效应的方法和系统技术方案
本文中描述一种用于模拟光刻过程中的随机效应的方法和系统。获得图案区域的图像,并且基于在所述图案区域的每个部位处的图像强度来确定在相对应的部位处的光子概率分布(PD)。基于所述光子PD来确定所述图案区域的显影后图像的失效概率图。所述失效概...
绘制衬底表面的高度的方法以及用于该方法的设备技术
一种绘制衬底表面的高度的设备和方法。该方法包括:控制移动机构以产生辐射束的多个测量斑点在衬底表面上的测量位置的单行程移动,衬底由不可旋转的衬底台支撑,其中移动在衬底的平面内进行,多个测量斑点通过用于绘制衬底的高度的水平传感器而入射到所述...
用于产生宽带辐射的辐射源组件制造技术
一种用于产生宽带辐射的辐射源组件。该辐射源组件包括气室,该气室包封中空芯部光纤,其中气室包括被布置成接收泵浦辐射的输入端口和被布置成输出所述宽带辐射的输出端口,其中所述气室和所述中空芯部光纤的中空芯部填充有气体组合物。该辐射源组件还包括...
用于控制和清洁表膜隔膜的方法技术
一种用于控制表膜隔膜的组件,所述组件包括:至少一个磁性元件,所述至少一个磁性元件被配置成提供磁场;和导电表膜隔膜,所述导电表膜隔膜能够电连接至电压源且被配置成在预定方向上传导电流,其中,所述至少一个磁体和导电表膜隔膜被配置成使得施加电位...
光刻系统技术方案
一种光刻系统,包括光刻设备和辐射源,其中,所述辐射源包括能够操作以在等离子体形成区处提供燃料目标的燃料发射器,并且所述辐射源还包括能够操作以提供激光束的激光系统,所述激光束入射到所述燃料目标上以产生用于曝光衬底的EUV辐射,其中,所述激...
使用强化学习来确定光学系统的最优对准技术方案
对光刻设备、量测设备和/或其他设备的光学系统的校正和/或其他调整通常基于来自先前制造和/或量测操作的信息、所述光刻和/或量测系统和/或过程的用户经验、基础光学物理原理和/或其他信息。有利地,本系统和方法使用强化学习来优化数十、数百、数千...
像差确定制造技术
一种确定光刻设备的投影系统的像差的方法包括:照射位于投影系统的物平面中的掩模光栅,在传感器光栅处形成掩模光栅的图像,使用检测器检测所得到的干涉图案并且输出测量强度信号;使用波前拟合算法来对测量强度信号进行拟合并且获得像差的估计,该算法包...
用于测量对象的表面的形貌的方法和装置制造方法及图纸
一种用于确定针对衬底的高度轮廓的校正的方法,包括:将衬底固定到衬底保持器;获取第一高度轮廓的第一测量值;将衬底绕表面的全局法线旋转;获取第二高度轮廓的第二测量值;针对衬底保持器的形状,校正第一测量值和第二测量值,以分别确定第一经校正测量...
用于训练预测模型以生成掩模图案的二维元件表示的方法和系统技术方案
本文描述了用于预测掩模图案的二维元件表示的方法和系统。向预测模型提供与目标图案相对应的输入掩模图案。所述预测模型生成与所述输入掩模图案相对应的输出掩模图案的二维元件表示。所述二维元件表示包括表示所述输出掩模图案的掩模特征的多个二维元件,...
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