披露了一种用于确定一组校正权重以校正量测数据的方法。所述方法包括：获得与用于执行测量的测量辐射的多个照射设置相关的第一量测数据，其中每个照射设置包括不同的波长、偏振或其组合；将量测数据拟合到用于表示所述量测数据的模型，并且确定拟合残差；...

一种辐射源，包括：中空芯部光纤，所述中空芯部光纤包括本体，所述本体具有用于限制工作介质的中空芯部，所述中空芯部光纤能够操作以接收脉冲泵浦辐射，使得所接收的脉冲泵浦辐射通过所述中空芯部从所述中空芯部光纤的输入端传播至所述中空芯部光纤的输出...

一种测量装置(100)，被配置为用于在待研究样品(1)的表面的多个表面区段(2)上进行粗糙度和/或缺陷测量，包括：照射设备(10)，具有至少两个光源(11A、11B、11C、11D)，该至少两个光源(11A、11B、11C、11D)被布...

一种用于夹持物体的静电夹具，该静电夹具包括电粘附层，该电粘附层包括涂覆有绝缘材料的多个导电性可压缩材料元件，其中，电粘附层被配置为以电气方式改变对物体的粘附性，以用于夹持及松开物体，其中，所述元件具有在1nm至100nm的范围内、优选地...

描述了用于基于另一图案化过程的结果来配置图案化过程的方法。所述方法包括通过使用处于第一定向的设计布局模拟第一图案化过程来获得轮廓的第一集合。所述轮廓满足与所述设计布局相关联的设计规格，并且对应于过程窗口条件的第一集合。基于所述设计布局的...

本发明提供了用于检测反向散射带电粒子的各种技术，包括沿着子束路径加速带电粒子子束到达样品、从检测器阵列排斥二次带电粒子，以及提供可以在用于主要检测带电粒子的模式与用于主要检测二次粒子的模式之间切换的装置和检测器。置和检测器。置和检测器。

一种衬底限位系统，包括：衬底台、和多个周向布置的限位器，所述多个周向布置的限位器中的每个限位器包括弹簧，其中，所述弹簧具有近端和远端，其中，所述弹簧的所述远端是能够径向移位的，并且其中所述弹簧的所述近端的基部在固定部位处固被定至所述衬底...

一种碳纳米管隔膜，包括具有预先选择的结合构型或(m，n)手性的碳纳米管，其特征在于，该碳纳米管隔膜包括大量的具有锯齿形(m，0)手性和/或扶手椅形(m，m)手性的碳纳米管。还描述了一种处理碳基隔膜的设备、一种处理碳基隔膜的方法、包括碳基...

公开图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品。图案形成装置包括图案形成装置基板图案化层。图案化层的第一部分具有第一水平的反射率、吸收率或透射率，图案化层的第二部分具有不同的第二水平的反射率、吸收率或透射率，和图案化层的第三部...

本文公开了用于表示控制参数数据的方法，控制参数数据用于在曝光场在衬底上进行扫描曝光期间，控制光刻设备，方法包括：获取周期性基函数集，所述周期性基函数集中的每个基函数具有不同的频率以及比与曝光场相关联的尺寸更小的周期，需要跨曝光场控制光刻...

公开了一种用于生成合成缺陷图像的改进的系统和方法。一种用于生成合成缺陷图像的改进的方法包括获取基于机器学习的生成器模型；向所述生成器模型提供无缺陷检查图像和缺陷属性组合作为输入；以及由生成器模型基于无缺陷检查图像生成具有符合缺陷属性组合...

本文涉及一种用于带电粒子束检查的样本预充电方法、设备和计算机可读介质。设备包括：带电粒子源，被配置为沿设备的主束轴发射带电粒子束；聚束透镜，被配置为使得束围绕主束轴集中；孔径；第一多极透镜；第二多极透镜；其中第一多极透镜相对于聚束透镜处...

披露了一种用于从目标测量所关注的参数的方法和相关联的设备。所述方法包括获得与所述目标的测量相关的测量采集数据和能够操作以校正所述测量采集数据中的至少有限尺寸效应的有限尺寸效应校正数据和/或经训练的模型。所述测量采集数据中的至少有限尺寸效...

本文中描述一种用于确定与图案化过程的掩模模型相关联的电磁场的方法。所述方法包括：获得关注的掩模叠层区和与所述关注的掩模叠层区相对应的相互作用阶数。所述关注的掩模叠层区被划分成多个子区。所述关注的掩模叠层区具有与电磁波穿过所述关注的掩模叠...

披露了一种用于在对包括至少两个形貌级的曝光区域进行曝光的光刻曝光过程的控制中确定光刻曝光设备的一个或更多个致动器的聚焦致动轮廓的方法。所述方法包括：根据目标函数来确定所述至少两个形貌级的连续单聚焦致动轮廓，所述目标函数包括基于级的分量，...

公开了一种确定性能参数或从所述性能参数导出的参数的方法，所述性能参数与用于在经受光刻过程的衬底上形成一个或更多个结构的所述光刻过程的性能相关联。所述方法包括：获得包括所述性能参数的多个概率描述的概率描述分布，每个概率描述对应于所述衬底上...

一种检测带电粒子的方法可以包括当初级带电粒子束沿着第一方向移动时，检测束强度；当初级带电粒子束沿着第二方向移动时，获取次级束点投射图案；以及基于所获取的次级束点投射图案来确定次级束点的参数。一种补偿检测器上的束点变化的方法可以包括获取检...

根据本公开的一个实施例，提供了一种用于产生宽带辐射的辐射源，所述辐射源包括输入组件和中空芯部光子晶体光纤，所述输入组件用于提供输入辐射，所述中空芯部光子晶体光纤被配置成接收和限制被耦合到所述光纤中的所述输入辐射以用于通过光谱加宽产生宽带...

一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层...

一种用于从光刻装置的光学元件去除污染物的装置，所述装置包括：用于接纳光学元件的腔室、被配置为提供气体的供气源、以及从气体生成等离子体或离子的等离子体生成器和/或电子/离子源，其中该气体包括约0.01％体积含量至约10％体积含量的一种或多...