一种用于基本上均化辐射束并从该辐射束去除至少一些相干性的系统和方法。

一种光刻装置包括构造成支撑构图部件的支撑件。该构图部件能够给图案在其截面赋予辐射光束以形成带图案的辐射光束。该支撑件包括沿支撑件的移动方向将力施加在构图部件上的力致动器装置。该力致动器装置包括一活动部件，该活动部件可围绕一枢转轴枢转并由...

在第一侧使用第一夹持装置，在不同于第一侧的第二侧使用第二夹持装置来夹持光刻设备中的掩模。优选使用薄膜片施加夹持力。第一夹具沿平行于构图装置的平面的方向、垂直于构图装置的平面的方向并可旋转地夹持衬底。第二夹持装置仅沿平行于衬底的平面的方向...

以比用常规光刻技术更高的密度形成特征例如接触孔的方法包含形成牺牲正特征阵列、共形地沉积牺牲层以便与正特征交错地形成负特征、定向地蚀刻牺牲层和移除牺牲特征。结果是孔阵列的密度比原始牺牲特征高。然后利用所希望的处理使这些转移到下面的衬底中。...

一种光刻投影装置，它具有带极化元件的照明系统。多个定向元件将入射束的不同子束反射到可调节的且独立可控的方向上。利用再定向光学器件，可在辐射束的横截面平面内产生任何所需要的极化空间强度分布。

一种光刻装置包括测量系统，用来测量基底支撑件相对于参考框架的位置和／或移动。该测量系统包括：靶子，其安装在该部件和参考框架中的一个上；辐射源，其安装在该部件和参考框架中的另一个上；和传感器，用来检测从靶子传播出的辐射的图案，所述图案指示...

本发明涉及光刻装置及器件制造方法，更具体说本发明提供物品支撑构件，制造物品支撑构件的方法以及增加Ｃｏｒｄｅｒｉｅｔｅ的断裂韧度的方法，所述物品支承构件构造为支撑一物品使之在所述物品支架上位于光刻装置的辐射束的路径中所述物品支撑构件包括：...

一种对准标记的保持方法，包括在基底上准备一下对准标记结构的步骤。在本发明的一种配置中，对准标记结构包括下沟槽。在另一个步骤中，硬掩模涂层被施加到包括对准标记的基底上。优选地，硬掩模材料是无定形碳材料。在另一步骤中，位于下对准标记结构之上...

一种利用碳基硬掩模的双图案化系统和工艺。该双图案化系统提供在单硬掩模蚀刻步骤中形成具有比在基于单曝光的硬掩模中可印刷的最小间隔小的特征间隔的硬掩模特征的装置。

给出一种根据设定点分布图来移动部件的系统，该设定点分布图包括部件的多个目标状态，所述多个目标状态中的每个基本上在相应序列的目标时间之一处获得。该系统包括：根据设定点分布图移动部件的位移装置；包含前馈数据库的数据存储装置；信号产生部分，其...

设置一活动元件，其使基底台的顶表面在平面图中延伸超过碰撞期间保护基底台的缓冲器。该活动元件可以缩回至缩回位置，在缩回位置，活动元件不再延伸超过缓冲器。这样，可以一起移动两个基底台，并且允许可缩回元件经过该液体供给系统下面，而不用关掉液体...

一种光刻装置包括：液体限制系统，用于将液体限制在投影系统的最末元件和基底之间的空间内；以及第一和第二基底平台，各基底平台设置成相互配合以便进行联合移动，用于使得光刻装置从第一状态朝着第二状态变化，在该第一状态中，该液体被限制在由第一基底...

公开了一种光刻装置，其包括测量系统或预测系统，分别用于测量和／或预测与浸液的温度波动相关的影响；还包括控制系统，用于分别根据由测量系统和／或预测系统获得的测量结果和／或预测结果来控制与浸液相关的所述影响或其它影响。还公开了一种相关的控制...

公开了一种光刻投影装置，其中在基底交换过程中利用遮蔽构件来遮挡该液体供给系统，从而在基底交换过程中确保液体与投影系统的一元件保持接触。该遮蔽构件与支撑投影系统的计量框架连接。通过这种方式，遮蔽构件的位置总是已知的。

一种位移测量系统，其构造成提供对两个部件在六个自由度上的相对位移的测量，其改善了一致性，并且不需要太大的空间。

一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和／或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。

记载了光刻投影装置中的排放装置的各个实施例，这些实施例例如具有一特征，当在排放装置中不存在液体时该特征可减小流入排放装置的气体。在一个示例中，提供一被动型液体去除装置，使得该排放装置中的气体压力等于环境气体压力，在另一个实施例中，提供一...

公开了一种光刻装置，该光刻装置将图案从构图部件投影到基底上，该光刻装置具有用于保持基底的基底台，该基底台包括调节系统，该调节系统用于保持调节流体并调节该基底台，其中，该调节系统包括压力阻尼器，该压力阻尼器与该调节系统成流体连通，并且布置...

公开了一种用于器件制造的双重处理技术，包括，执行第一图案形成步骤，以便在光刻胶层中形成孔，在第一光刻胶层被剥离并被第二次曝光中所用的第二光刻胶层取代之前，对所述孔进行填充。在一个实施例中，光刻单元包括集成在一起的填充和／剥离单元，并且其...

一种浸渍光刻曝光设备，其中浸渍液体顶部涂层的ｐＨ值选择为最大化部分液体供给系统和衬底Ｗ彼此相对运动的相对速度而不毁坏在这些部件之间延伸的弯月面。