用于增强的光刻图案化的方法和系统技术方案

一种利用碳基硬掩模的双图案化系统和工艺。该双图案化系统提供在单硬掩模蚀刻步骤中形成具有比在基于单曝光的硬掩模中可印刷的最小间隔小的特征间隔的硬掩模特征的装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在光刻中增强图案转移的系统和方法。更具体地，本专利技术涉及一种具有可变掩模性质的硬掩模系统。
技术介绍
本专利技术涉及光刻和光刻投影设备领域，光刻投影设备包含用于提供辐射投影束的辐射系统、用于支撑图案化装置的支撑结构、用于保持基板的基板台和用于将图案化的光束投影到基板的目标部分上的投影系统，图案化装置用于根据所希望的图案来图案化投影束。这里采用的术语“图案化装置”应当广义解释为指的是可以用于对应于在基板的目标部分中建立的图案将图案化截面赋予入射辐射束的装置。在上下文中也可以使用术语“光阀”。通常，该图案对应于在目标部分中建立的装置中的特定功能层，例如集成电路或其它器件。这种图案化器件的实例包括-掩模。掩模的概念在光刻方面是公知的，并且包括例如二元、交替相移和衰减相移掩模类型以及各种混合掩模类型。根据掩模上的图案，在辐射束中上述掩模的布置会导致撞击在掩模上的辐射的选择性透射(在透射掩模的情况下)或反射(在反射掩模的情况下)。在掩模的情况下，支撑结构通常是掩模台，其确保掩模保持在入射辐射束的所希望位置，并且如果希望的话则可以相对于该光束移动；-可编程反射镜阵列。这种装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于图案转移的方法，包括：　　　　朝着提供在基板上的硬掩模层提供图案化的辐射束，　　　　将硬掩模层的第一部分暴露到来自图案化的辐射束的第一剂量的辐射，第一剂量足以增强第一部分的蚀刻特征；　　　　将与硬掩模层的第一部分不同的第二部分暴露到来自图案化的辐射束的第二剂量的辐射，第二剂量足以增强第二部分的蚀刻特征；和　　　　对硬掩模层进行蚀刻处理，其中基本移除了第一和第二部分，并且其中除了第一和第二部分之外的硬掩模层的部分基本完整。

【技术特征摘要】
US 2006-3-7 11/3692221.一种用于图案转移的方法，包括朝着提供在基板上的硬掩模层提供图案化的辐射束，将硬掩模层的第一部分暴露到来自图案化的辐射束的第一剂量的辐射，第一剂量足以增强第一部分的蚀刻特征；将与硬掩模层的第一部分不同的第二部分暴露到来自图案化的辐射束的第二剂量的辐射，第二剂量足以增强第二部分的蚀刻特征；和对硬掩模层进行蚀刻处理，其中基本移除了第一和第二部分，并且其中除了第一和第二部分之外的硬掩模层的部分基本完整。2.如权利要求1的方法，其中在暴露到辐射束之前，硬掩模层是具有主要含量为类金刚石碳的非晶碳。3.如权利要求2的方法，其中图案化的辐射束包括由受激准分子激光器产生的248nm、193nm和157nm UV辐射之一。4.如权利要求2的方法，其中第一和第二剂量基本相同。5.如权利要求2的方法，其中第一和第二剂量每个都足以基本石墨化相应的第一和第二部分。6.如权利要求2的方法，其中蚀刻工艺是O2反应性离子蚀刻工艺，并且其中硬掩模层的照射部分与未照射部分的蚀刻率比约大于2。7.如权利要求1的方法，进一步包括在曝光第一部分之后和曝光第二部分之前，相对移位基板和图案化的辐射束一水平位移。8.如权利要求7的方法，其中图案化的辐射束具有在单曝光中可印刷在硬掩模上的最小特征间距，并且其中水平位移小于最小特征间距。9.如权利要求8的方法，其中水平位移是最小特征间距的约一半。10.如权利要求2的方法，进一步包括在曝光第一部分之后和在曝光第二部分之前相对移位基板和图案化的辐射束一水平位移，其中图案化的辐射光束具有在单曝光中可印刷在硬掩模上的最小特征间距，并且其中水平位移小于最小特征间距。11.如权利要求10的方法，其中水平位移是最小特征间距的约一半。12.如权利要求1的方法，进一步包括在对硬掩模层进行蚀刻处理之前，将与硬掩模层的第一和第二部分不同的第三部分暴露到来自图案化的辐射束的第三剂量的辐射，第三剂量足以基本改变第三部分的蚀刻特征，其中在蚀刻处理期间基本移除了第三部分。13.一种用于图案转移的方法，包括在基板上提供辐射敏感硬掩模层；提供配置以在基板和图案化的辐射束之间的第一相对位置处的硬掩模层上产生特征间隔的图案化的辐射束，其中将硬掩模层的第一部分暴露到蚀刻增强辐射剂量；在基板和图案化的辐射束之间的第二相对位置处提供图案化的辐射束，第二相对位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：S拉尔巴哈多尔辛，S马沙，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]