组件、调节系统、光刻装置和方法制造方法及图纸

一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和／或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括调节系统和至少一个对象的组件、调节系统、光刻装置、用于调节区域的方法以及光刻器件的制造方法。
技术介绍
光刻装置是将所需的图案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的设备。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，或者可称为掩模(mask)或中间掩模(reticle)，可用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一个或者多个管芯(die))上。这种图案的转移通常是通过成像到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般而言，单个基底包含由被相继构图的相邻靶部构成的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描器，在步进器中，对每一靶部的辐照是通过一次性将整个图案曝光到该靶部上来进行的；在扫描器中，对每一靶部的辐照是通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案穿过一辐射束，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描该基底。还可以通过将图案压印到基底上而把图案从构图部件转移到基底上。包括调节系统和至少一个对象的组件可从现有技术了解。例如，欧洲专利EP0498499在其附图18中示出了光刻装置的一部分。该装置包括干涉仪系统以及可动基底台附近的空间，相应的干涉束在该空间中传播。期望的是恒定的层流气体(空气)流经该空间，以使该干涉仪系统具有更高精度。众所周知，对于传播过一定气体体积(如空气)的干涉束来说，该体积中的气体应该极其纯净，并具有均匀的温度，以便为该传播束提供基本上恒定的气体折射率。气体折射率的微小变化可能会产生难以接受的干涉测量误差。可以控制所供给气体的纯度和温度。在空气的情况下，该空气例如具有的纯度级为一级，其温度例如稳定在0.10℃的范围内或者更好。
技术实现思路
希望的是改进该组件，其中该调节系统能够良好地调节相应区域。而且，还希望提供一种改进的调节系统和方法。此外，还希望提供一种改进的光刻装置和方法。按照本专利技术的一个实施例，提供一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和/或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。根据另一个实施例，提供一种调节系统，包括第一流体分配室；和第二流体分配室，其包括位于第二室的下游部分中的多个流体出口通道，这些流体出口通道构造成使得在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150，其中，第一分配室包括流体流量调节器，所述流体流量调节器构造成将流体从第一室均匀地分配到第二室内，使得在使用过程中，第二室中在各流体出口通道的上游入口处的平均压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。根据一个实施例，提供一种光刻装置，其包括根据本专利技术的一个实施例的组件和/或根据本专利技术的一个实施例的调节系统。根据又一个实施例，提供一种调节区域的方法，该方法包括使用调节系统的多个流体出口通道向被调节区域提供调节流体；和一对象至少部分地可移入和/或移出该被调节区域，根据该对象的位置调整从流体出口通道流出的调节流体的流出量。根据另一个实施例，提供一种光刻器件制造方法，包括用图案化投影束照射基底的靶部，该基底由基底支撑件保持；用调节系统调节该基底支撑件附近的区域，该调节系统包括向该被调节区域提供调节流体的流体出口通道；将该基底支撑件至少部分地移入和/或移出该被调节区域；和根据该基底支撑件的位置来改变从多个流体出口通道流出的调节流体的流出量。附图说明现在参考所附示意图通过示例对本专利技术各实施例加以说明，附图中相同的参考标号表示相同的部件，其中图1示意性地示出了光刻装置的一个实施例；图2A示意性地示出了在图1中示出的部分装置的截面，其中基底支撑件处于第一位置；图2B是类似于图2A的视图，其中基底支撑件处于第二位置；图3是类似于图2B的视图，它示出了本专利技术的一个实施例；图4是在图3示出的实施例中多个流体出口通道的截面；图5示意性地示出了本专利技术的一个实施例的透视图。具体实施例方式图1示意性地示出了光刻装置的一个实施例。该装置包括照明系统(照明器)IL，其构造成调节辐射束B(例如UV辐射或其它辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA并与第一定位装置PM连接，该第一定位装置PM构造成依照某些参数精确定位该构图部件；基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与第二定位装置PW连接，该第二定位装置PW构造成依照某些参数精确定位该基底；投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其构造成将利用构图部件MA赋予辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。该照明系统可以包括各种类型的光学部件来引导、成形或者控制辐射，这些光学部件例如是折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者它们的任意组合。该支撑结构保持该构图部件，其对该构图部件的保持方式取决于该构图部件的方位、光刻装置的设计以及其它条件，例如该构图部件是否保持在真空环境中。该支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持该构图部件。该支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述掩模支撑结构可根据需要而是固定的或者是活动的。该支撑结构可以确保构图部件例如相对于该投影系统位于所需位置。在这里，术语“中间掩模”或者“掩模”的任何使用均可认为与更上位的术语“构图部件”同义。这里所使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够向辐射束的截面中赋以图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给该辐射束的图案可以并不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给该辐射束的图案对应于在靶部中形成的器件(如集成电路)内的特定功能层。该构图部件可以是透射型的或者反射型的。构图部件的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其类型例如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰减相移型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小型反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向对入射辐射束进行反射。这些倾斜的反射镜可以在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋以图案。这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反射折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，以适合于所用的曝光辐射，或者适合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在这里，术语“投影透镜”的任何使用均可以认为与更上位的术语“投影系统”同义。此外，这里所使用的术语“光学系统”应广义地解释为包含任意类型或波长的电磁能，可使用光学器件或控制操作所需的任何装置来控制该电磁能。如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者可替换地，该装置也可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。该光刻装置可以具有两个(双平台)或者更多个基底台(和/或两个或更多个支撑结构)。在这种“多平台式”装置中，可以并行使用这些附加的台，或者可以在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和／或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。

【技术特征摘要】
1.一种包括调节系统和对象的组件，该调节系统包括向被调节区域提供调节流体的流体出口通道，至少部分对象可移入和/或移出该被调节区域，其中，该调节系统构造成根据该对象的位置来调整从该流体出口通道流出的调节流体的流出量。2.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象和所述调节系统构造成彼此配合，以调整从多个流体出口通道流出的调节流体的流出量。3.如权利要求2所述的组件，其特征在于，所述对象布置成一种非接触式闸，该非接触式闸包括一闸面，该闸面可移动到与至少多个流体出口通道的出口侧相面对的位置，以在没有机械接触所述出口侧的情况下限制从这些流体出口通道流出的流体流动。4.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象至少可移动到第一数量的流体出口通道的出口侧，以及可移动离开该第一数量的流体出口通道的出口侧，其中，所述调节系统布置成当所述对象已经移动离开这些出口侧时，该第一数量的流体出口通道能将一定量的调节流体排放到该被调节区域中，以及当所述对象移动到这些出口侧时，能基本上限制从该调节系统的该第一数量的流体出口通道流出的流体流动。5.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约50Pa。6.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的压力比该流体出口通道的相应下游出口侧处的压力最多高大约10Pa。7.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成在使用过程中，在各流体出口通道的上游入口处的静压与该流体出口通道的相应下游出口侧处的动压大致相同。8.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约150。9.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统构造成在使用过程中，流过各流体出口通道的流体的雷诺数小于大约20。10.如权利要求1所述的组件，其特征在于，各流体出口通道的长度是相应流体通道的直径的至少10至30倍。11.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象可移动到使得该对象与该调节系统限定了一狭缝的位置，该狭缝构造成向来自与该狭缝邻近的流体出口通道的流体流出物提供流动阻力；并且，所述调节系统构造成在该狭缝所提供的流动阻力的影响下显著减小来自与该狭缝邻近的流体出口通道的流出量。12.如权利要求1所述的组件，其特征在于，各流体出口通道具有蜂窝状截面。13.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述调节系统包括第一流体分配室和第二流体分配室以及流量调节器，该流量调节器构造成将流体从第一室均匀地分配到第二室内，其中，所述流体出口通道由该第二室的下游部分提供。14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述调节系统构造成使第一室相对于第二室保持在相对较高的过压下。15.如权利要求13所述的组件，其特征在于，所述流体流量调节器由大量流体通道、一织物层或这两者提供，它们在第一室和第二室之间延伸。16.如权利要求13所述的组件，其特征在于，所述第一室、第二室或这两个室具有变化的横向截面。17.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象构造成保持或支撑基底。18.如权利要求1所述的组件，其特征在于，还包括测量系统，所述测量系统构造成经由所述区域朝着所述对象引导一束。19.如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述对象和流体出口通道的出口侧之间的最近距离是小于5mm、小于大约3mm或大约2.25mm中之一，或者更小。20.如权利要求1所述的组件，其特征在于，各流体出口通道的长度选择成使得该被调节区域中的临时压力脉冲基本上不会导致潜在的非调节流体经由相应的出口通道到达该第二室。21.一种调节系统，包括第一流体分配室；和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·范德哈姆，T·A·R·范埃姆佩，H·沃格，N·J·J·罗塞特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL