【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光刻设备的投影系统的腔室、一种用于光刻设备的投影系统，和一种光刻设备。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于(例如)集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影射至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
2、为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
3、由于在使用euv辐射的光刻设备内euv辐射很大程度上被物质吸收，则所述euv辐射的光学路径在真空条件下(即，处于明显低于大气压的压力)。具体地，包括用于投影所述euv辐射至衬底上的光学元件的系统的所述投影系统可以在真空条件下被保持在所述光刻设备的专用隔室中。经由所述隔室的开口将所述euv辐射投影在所述衬底上。为了避免或减轻污染物经由所述开口进入至所述投影系统中，通常应用气锁或气体密封。然而，已知气锁或气体密封可能干扰经图案化的所述衬底的热条件和/或在所述开口附近被使用的任何传感器的热条件。另外，光学元件(例如所述投影系统中的光学元件)也可能遭受由所述气锁所引起的热干扰影响。这样的干扰可能不利地影响诉讼图案化过程的准确度。
技术实现思路
1、本专利技术的目标
2、根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的投影系统的腔室，所述腔室包括：
3、开口，所述开口被配置成在使用期间使经图案化的辐射束能够被投影至被布置在所述腔室外的衬底上；
4、管道，所述管道具有在所述孔口中的出口，所述管道被配置成传递气体至所述开口以用于提供对所述开口的气体密封；
5、过滤器，所述过滤器被布置在所述气体的流动路径中、并且布置在所述出口处或附近，所述过滤器被配置成对所述气体进行热调节。
6、根据本专利技术的另一方面，提供一种用于光刻设备的投影系统，所述投影系统包括根据本专利技术所述的腔室和多个光学元件，所述光学元件布置在所述腔室中并且被配置呈在使用期间将经图案化的辐射束投影到所述衬底上。
7、根据本专利技术的又一方面，提供一种包括根据本专利技术的投影系统的光刻设备。
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1.一种用于光刻设备的投影系统的腔室，所述腔室包括：
2.根据权利要求1所述的腔室，其中，所述过滤器包括多孔金属材料或陶瓷材料。
3.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器包括经烧结的金属片。
4.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器被配置成对所述气体进行热调节以形成用于所述衬底的预定热负载。
5.根据权利要求4所述的腔室，其中，所述预定热负载大致为零。
6.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述出口沿整个所述开口延伸。
7.根据权利要求6所述的腔室，其中，所述过滤器覆盖大致整个所述出口。
8.根据权利要求6或7所述的腔室，其中，所述过滤器布置在所述出口中。
9.根据权利要求6、7或8所述的腔室，其中，所述过滤器相对于所述开口的表面向内布置。
10.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述腔室被配置成应用于真空环境中，并且其中，所述管道被布置成从低压力源接收所述气体，所述低压力源的压力在约2kPa至1Pa的范围内，优选地在1kPa
11.根据权利要求10所述的腔室，其中，所述过滤器被配置成具有为所供应的气体的平均自由路径长度的至多1/10的孔隙尺寸，或者其中，所述过滤器的厚度为所供应的气体的所述平均自由路径长度的至少10倍，优选地至少20倍。
12.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器被配置成至少部分地防止粒子进入所述腔室或污染所述衬底。
13.一种用于光刻设备的投影系统，所述投影系统包括：
14.一种光刻设备，包括根据权利要求13所述的投影系统。
15.一种光刻系统，包括根据权利要求14所述的光刻设备和用于产生辐射束的辐射源。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于光刻设备的投影系统的腔室，所述腔室包括：
2.根据权利要求1所述的腔室，其中，所述过滤器包括多孔金属材料或陶瓷材料。
3.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器包括经烧结的金属片。
4.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述过滤器被配置成对所述气体进行热调节以形成用于所述衬底的预定热负载。
5.根据权利要求4所述的腔室，其中，所述预定热负载大致为零。
6.根据前述权利要求中任一项所述的腔室，其中，所述出口沿整个所述开口延伸。
7.根据权利要求6所述的腔室，其中，所述过滤器覆盖大致整个所述出口。
8.根据权利要求6或7所述的腔室，其中，所述过滤器布置在所述出口中。
9.根据权利要求6、7或8所述的腔室，其中，所述过滤器相对于所述开口的表面向内布置。
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【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗西斯克斯·约翰内斯·约瑟芬·詹森，E·J·阿尔勒马克，J·格泽尔卡，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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