测量衬底上的至少一个目标的方法技术

公开了一种确定针对衬底上的至少一个目标的测量结果的校正的方法，该目标包括一个或多个感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，感兴趣参数敏感型子目标各自对感兴趣参数敏感，感兴趣参数非敏感型子目标对感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感，该方法包括。所述方法包括：获得与所述一个或多个感兴趣参数敏感型子目标中的每个感兴趣参数敏感型子目标相关的相应的第一测量参数值；获得与所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标中的每个感兴趣参数非敏感型子目标相关的相应的第二测量参数值；以及使用所述第二测量参数值确定对每个所述第一测量参数值的校正，和/或根据所述第二测量参数值检测可能影响第一测量参数值的准确性的效应的存在。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及在集成电路的制造中的量测应用。

技术介绍

1、光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm至20nm的范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以表示为cd＝k1×λ/na，其中λ是所采用的辐射波长，na是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，cd是“临界尺寸”(通常印制的最小特征尺寸，但在这种情况下为半节距)，k1是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种确定针对衬底上的一个或多个目标的各自测量结果的校正的方法，所述一个或多个目标包括多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述一个或多个目标包括一个或多个感兴趣参数敏感型子目标使得每个目标包括一个或多个所述感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述感兴趣参数敏感型子目标分别对感兴趣参数敏感，所述感兴趣参数非敏感型子目标对所述感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感兴趣参数非敏感型子目标中的至少一些感兴趣参数非敏感型子目标中每个包括周期性校准子目标，所述周期性校准子目标包括对称的周期性结构。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种确定针对衬底上的一个或多个目标的各自测量结果的校正的方法，所述一个或多个目标包括多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述一个或多个目标包括一个或多个感兴趣参数敏感型子目标使得每个目标包括一个或多个所述感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述感兴趣参数敏感型子目标分别对感兴趣参数敏感，所述感兴趣参数非敏感型子目标对所述感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感兴趣参数非敏感型子目标中的至少一些感兴趣参数非敏感型子目标中每个包括周期性校准子目标，所述周期性校准子目标包括对称的周期性结构。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二测量参数值包括来自所述多个感兴趣参数非敏感型子目标的每个感兴趣参数非敏感型子目标的至少一个衍射阶的强度值或相关度量。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括确定描述测量束的至少一个或多个部分内的强度的强度图；和

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述一个或多个目标中的至少一个目标中每个包括多个感兴趣参数非敏感型子目标。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述一个或多个目标包括所述衬底上的多个目标，并且其中，对于所述多个目标中的各个不同目标，所述目标内的所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·加西亚格兰达，K·H·W·范德伯斯，J·A·T·雅各布斯，岳正恬，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：