用于光刻系统中的衬底对准的目标不对称性测量技术方案

本公开的一些实施例可以改善量测设备中的目标标记不对称性的测量以改善结合光刻过程执行的测量中的准确度。例如，一种量测系统可以包括被配置成接收从衬底上的目标衍射的多个衍射阶的投影系统。所述量测系统还可以包括检测器阵列和被配置成在所述投影系统与所述检测器阵列之间传输所述多个衍射阶的波导装置。所述检测器阵列可以被配置成检测所述多个衍射阶中的与所述多个衍射阶中的其它衍射阶在空间上分离的每个衍射阶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及量测系统，例如用于测量和使用结合光刻过程使用的量测系统中的目标标记不对称性的方法和系统。

技术介绍

1、光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在ic的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括被连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次性曝光至目标部分上来辐照每个目标部分；和所谓的扫描器，其中，通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束扫描图案的同时平行或反向平行于这种扫描方向同步地扫描目标部分来辐照每个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上而将图案从图案形成装置转印至衬底。

2、在光刻操作期间，不同处理步骤可以要求不同层连续地形成在衬底上。因此，可以有必要以高准确度相对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量测系统，包括：

2.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述检测器阵列被配置成单独地测量所述多个衍射阶中的每个衍射阶的强度。

3.根据权利要求2所述的量测系统，其中，所述检测器阵列被配置成确定所述多个衍射阶中的每个衍射阶落在所述检测器阵列上的位置的分布测量结果。

4.根据权利要求3所述的量测系统，还包括：

5.根据权利要求4所述的量测系统，其中，所述正衍射阶和所述负衍射阶的所测量的强度之间的所述差基于所述目标的不对称性。

6.根据权利要求4所述的量测系统，其中，所述分布测量结果的所述改变基于与所述目标相关联的层厚度变化...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种量测系统，包括：

2.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述检测器阵列被配置成单独地测量所述多个衍射阶中的每个衍射阶的强度。

3.根据权利要求2所述的量测系统，其中，所述检测器阵列被配置成确定所述多个衍射阶中的每个衍射阶落在所述检测器阵列上的位置的分布测量结果。

4.根据权利要求3所述的量测系统，还包括：

5.根据权利要求4所述的量测系统，其中，所述正衍射阶和所述负衍射阶的所测量的强度之间的所述差基于所述目标的不对称性。

6.根据权利要求4所述的量测系统，其中，所述分布测量结果的所述改变基于与所述目标相关联的层厚度变化。

7.根据权利要求1所述的量测系统，其中：

8.根据权利要求1所述的量测系统，其中，所述波导装置被布置成使得所述检测器阵列被配置成检测所述波导装置的输入端的远场辐射图案。

9.根据权利要求8所述的量测系统，还包括：

10.根据权利要求8所述的量测系统，其中，所述波导装置与所述检测器阵列之间的距离被布置成使得所述检测器阵列在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·R·桑德，M·U·阿高恩卡，K·肖梅，S·R·胡伊斯曼，塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩，F·G·C·比基恩，帕特里克·华纳，S·索科洛夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：