热调节单元、衬底搬运装置和光刻设备制造方法及图纸

技术编号：41330288 阅读：32 留言：0更新日期：2024-05-13 15:08

本发明专利技术提供了一种用于对衬底进行热调节的热调节单元，所述热调节单元包括：顶表面；设置在所述顶表面上的多个气体入口和气体出口；连接到所述多个气体入口和气体出口的多个压力阀，其中所述多个压力阀中的每个压力阀被配置成在使用期间被连接到压力供应件以产生跨越所述热调节单元的整个所述顶表面的空间压力分布；控制装置，所述控制装置被配置成控制所述多个压力阀在使用期间产生所述空间压力分布，其中，所述控制装置被配置成接收表示待调节的所述衬底的形状的衬底形状数据，并且其中，所述控制装置被配置成控制所述多个压力阀以基于所述衬底形状数据来调整所述空间压力分布。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于衬底搬运装置、衬底支撑件或光刻设备中的温度调节单元，以及一种使用所述温度调节单元的方法。

技术介绍

1、光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、随着半导体制造过程持续进步，几十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(moore’s law)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(euv)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

3、为了确保所述图案在所述衬底上的准确定位，重要的是确保衬底温度或温度分布是准确已知的并且在预定边界内。为了确保这一点，通常在将所述图案施加到衬底上之前对所述衬底进行热调节。已经观察到，使用已知的调节系统，当前被应用于半导体器件的衬底可能不能被适当地调节。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种用于对衬底进行热调节的热调节单元，包括：

2.根据权利要求1所述的热调节单元，其中，所述空间压力分布为所述衬底提供真空预加载式气体轴承。

3.根据前述权利要求中任一项所述的热调节单元，其中，所述空间压力分布包括多个同心环形压力区域。

4.根据前述权利要求中任一项所述的热调节单元，其中，所述多个气体出口是沿一个或更多个同心圆被布置的。

5.根据前述权利要求中任一项所述的热调节单元，其中，所述多个气体入口是沿一个或更多个同心圆被布置的。

6.根据前述权利要求中任一项所述的热调节单元，其中，所述顶表面包括多个凹槽，每个凹槽包括一个或更多个气体入口或一个或更多个气体出口。

7.根据权利要求6所述的热调节单元，其中，所述多个凹槽是弧形或圆形形状的。

8.根据前述权利要求中任一项所述的热调节单元，其中，所述衬底形状数据包括翘曲数据。

9.根据权利要求8所述的热调节单元，其中，所述控制装置被配置成基于所述翘曲数据来确定用于所述多个压力阀的控制序列和/或控制设置点。

10.根据权利

11.根据任一前述权利要求所述的热调节单元，还包括具有至少一个自由度的支撑卡盘。

12.一种使用根据前述权利要求中任一项所述的热调节单元的方法，包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的使用热调节单元的方法，还包括以下步骤：

14.一种衬底搬运装置，包括根据权利要求1-11中任一项所述的热调节单元。

15.根据权利要求14所述的衬底搬运装置，还包括用于接收衬底的入口端口、和被配置成将所述衬底定位到所述热调节单元上的搬运机器人。

16.一种衬底支撑件，包括根据权利要求1至11中任一项所述的热调节单元。

17.一种使用根据权利要求16所述的衬底支撑件的方法，包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的使用衬底支撑件的方法，还包括以下步骤：

19.一种光刻设备，包括根据权利要求1至11中任一项所述的热调节单元、根据权利要求14至15中任一项所述的衬底搬运装置、或根据权利要求16所述的衬底支撑件。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】