用于清洁光刻装置的元件的方法，例如清洁诸如收集反射镜的光学元件的方法，包括提供含有氮的气体；从至少部分气体产生氮基团，由此形成含有基团的气体；以及向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体。光刻装置包括辐射源和光学元件，以及布...

公开了一种光刻设备，包括构造以支撑第一制品或第二制品的制品支架，所述第一制品能在辐射束的束路径中在辐射束的截面中赋予辐射束图形以形成构图的辐射束，所述第二制品将被放置在构图的辐射束的束路径中，该制品支架具有多个支撑突起，在使用中在所述支...

在浸没光刻设备中，通过减小衬底台上的间隙尺寸或区域和／或覆盖间隙来减少或防止浸没液体中的气泡形成。

公开了一种用于产生辐射束的辐射系统。该辐射系统包括用于产生ＥＵＶ辐射的脉冲ＥＵＶ辐射源，和安装在ＥＵＶ源前面用于选择性通过来自所述ＥＵＶ源的ＥＵＶ辐射束的光谱范围的光谱过滤器。该光谱过滤器被安装在与脉冲ＥＵＶ源同步移动的可移动支架上，以...

提出一种使用光刻设备将图形的图像转移到衬底上的方法。该方法包括选择包括光瞳滤波器参数的多个参数；对于所选参数计算图形的图像；在处理范围上计算表示所计算的图像的属性的变化的度量；并根据度量结果调整多个参数。

光刻装置可以以基底曝光结构的形式工作，以将辐射图案曝光到基底上，以及以辐射束检查结构的形式工作，其中如果该光刻装置处于基底曝光结构时由辐射束检查装置检查将要被曝光到基底上的辐射图案。在辐射束检查结构中，修正光刻装置的操作，使得将要曝光到...

本发明公开了一种防止或者降低浸没式投影设备的污染的方法。所述设备包括至少一个浸没空间，当所述设备将辐射束投射到衬底上时，用液体至少部分地填充所述浸没空间。所述方法包括在利用所述设备将辐射束投射到衬底上之前用漂洗液漂洗至少部分浸没空间。

本发明涉及作为对准标记的二进制正弦子波长格栅，更具体地说涉及用于衬底上的对准标记，所述对准标记包括周期的２维阵列结构，所述结构的间隔小于对准束但是大于曝光束，以及所述结构的宽度从阵列的一端正弦地变化到另一端。

利用相对低分辨率曝光修整其中例如重复图形的相对高分辨率曝光的光刻设备和方法。因此，提供了在图形中将形成高分辨率图形和提供柔韧性之间的折衷。

一种光刻系统，包括干涉曝光单元和光刻单元。该光刻单元可以包括单独可控元件阵列。可以设置该光刻系统以使得由干涉曝光单元曝光的各线的间距是对应于单个单独可控元件的光刻单元曝光区的尺寸的整数倍。

本发明公开了一种光刻设备，其包括用来保持多个压印模板的模板保持器和用来保持基板的基板保持器，所述模板保持器位于基板保持器的下方。

一种光刻装置，包括配置成调节辐射光束的照明系统，将构图部件支撑在投影平面中的构图部件支撑件，该构图部件对辐射光束构图，保持基底的基底台；将图形化光束投影到基底上的投影系统，和交换装置，该交换装置用于在投影过程中与保持可交换对象的可交换对...

公开了一种光刻设备。该设备包括保持衬底的衬底台。衬底台是可移动的，以便在衬底测量位置和衬底处理位置之间传送衬底。该设备还包括测量系统，用于在衬底台将衬底保持在测量位置中时测量衬底的至少一个方面或特性。测量系统用于将至少一个测量束和／或测...

在以减小间距印刷特征的双曝光处理中，测量在第一曝光中印刷的特征的临界尺寸，并用作第二曝光的目标。

公开了一种光学计量系统，它具有：测量系统，配置成照射计量标记并纪录部分反射的、透射的、或二者的电磁场；以及表征装置，配置成根据所记录的场来确定表明计量标记结构的标记形状参数，表征装置包括：场计算单元，配置成基于预期场的代数特征值－特征向...

公开了一种光刻装置，其具有与基底台隔开地形成的盖板和通过控制该盖板的温度来稳定基底台的温度的装置。公开了一种光刻装置，其具有布置在盖板和基底台之间的热绝缘体，使得该盖板用作基底台的热屏蔽。公开了一种光刻装置，其包括确定基底台的变形并参考...

本发明提供具有接触凸块的微器件以及制造该微器件的方法，其中微器件例如是集成电路。该微器件在该微器件两侧或多侧上具有接触凸块。本发明还提供叠置式微器件。

用于在辐射脉冲期间补偿光刻设备中衬底的运动的设备和方法包括提供被配置来与衬底基本上同步地移动入射到衬底上的构图的辐射束的可在枢轴上转动的反射镜。

本发明提供了用于校正热引起的光刻曝光衬底的区域变形的方法。第一，提供一种模型来预测热引起的多个衬底区域的区域变形信息。接着基于通过模型所预测的热引起的变形信息修改所使用的预先规定曝光信息以设置区域曝光。最后根据所修改的预先规定曝光信息将...

一种光刻装置，在其投影系统的光瞳平面中具有更换光学元件的组件。该光学元件可以是光瞳滤光器，并且可以与中间掩模标准规定的物理尺寸一致，例如具有大体上等于５、６或９英寸的侧边。