光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件技术

本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学元件和包括这种光学元件的光刻设备，一种用于制造器件的方法以及由该方法制造的器件。更具体地，光学元件可以用作用于激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)源的反射掠入射光谱纯度滤光片。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学元件，用于提高第一波长的辐射的光谱纯度，所述光学元件包括第一层、第二层和在第一层和第二层之间的第三层，其中：第一层包括第一材料；第二层包括第二材料，所述第二层配置成对所述第二波长的辐射是基本上透明的；和第三层包括第三材料，位于所述第一层和所述第二层之间，所述第三层对所述第二波长的辐射是基本上透明的；其中当第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游处，所述第一层配置成沿第一方向对第一波长的辐射是基本上反射的且对第二波长的辐射是基本上透明的；和第三层配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：W·A·索尔，V·Y·班尼恩，J·H·J·莫尔斯，M·M·J·W·范赫彭，A·M·亚库林，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：