【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及辐射源，所述辐射源适合于结合光刻设备使用或形成光刻设备的一部分，且尤其涉及流体流生成器。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示
【技术保护点】
一种辐射源，包括：贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接，配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流；激光辐射组件，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述燃料的流上，以产生用于产生辐射的等离子体；和污染物过滤器组件，定位在辐射源的燃料流路中且在喷嘴出口的上游，污染物过滤器组件的过滤介质被通过由至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上。
【技术特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,6801.一种福射源，包括 贮存器，配置成保持一体积的燃料； 喷嘴，与贮存器流体连接，配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流；激光辐射组件，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述燃料的流上，以产生用于产生辐射的等离子体；和 污染物过滤器组件，定位在辐射源的燃料流路中且在喷嘴出口的上游，污染物过滤器组件的过滤介质被通过由至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上。2.根据权利要求1所述的辐射源,其中过滤介质通过已经被收缩配合成围绕过滤介质且将夹持力施加至过滤介质的一个或更多的物体保持在适合的位置上。3.根据权利要求1或2所述的辐射源，其中一个或更多的围绕物体包括下述中的一个或更多个 污染物过滤器组件的部件； 污染物过滤器组件的进口； 污染物过滤器组件的出口； 污染物过滤器组件的过滤介质外壳；或 用于运送燃料的导管。4.根据前述权利要求中任一项所述的辐射源，其中所述过滤介质包括下述中的一个或更多个 陶瓷材料； 包括氧化锆的陶瓷材料； 包括氧化铝的陶瓷材料； 包括碳化娃的陶瓷材料；或 包括氮化硅的陶瓷材料。5.一种流体流生成器，包括 贮存器，配置成保持一体积的流体； 喷嘴，与贮存器流体连接，且配置成沿着一轨迹引导流体的流； 污染物过滤器组件，定位在流体流生成器的流体流路中且在喷嘴出口的上游，污染物过滤器组件包括过滤介质，其中所述过滤介质被配置成通过由至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上。6.一种方法，包括 将过滤介质包含到流体流生成器的污染物过滤器组件中；和 利用在污染物过滤器组件的使用期间将至少部分地围绕过滤介质且保持夹持力的一个或更多的物体将过滤介质夹持在一位置上。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法还包括 对在污染物过滤器组件的使用期间将至少部分地围绕过滤介质的所述一个或更多的物体进行加热，用于使得所述一个或更多的物体膨胀至允许过滤介质定位在一位置上的程度，由此所述一个或更多的物体围绕过滤介质； 将过滤介质定位在所述位置上；和冷却或允许冷却围绕过滤介质的所述一个或更多的物体，使得至少部分地围绕过滤介质的所述一个或更多的物体将夹持力施加到过滤介质。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述加热步骤是加热至超过过滤器的操作温度的温度，使得在过滤器的操作期间保持夹持力。9.一种方法，包括步骤 从流体流生成器过滤器的污染物过滤器组件移除过滤介质，所述过滤介质通过至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体被夹持在过滤器组件内的合适位置上； 移除通过至少部分地围绕过滤介质的所述一个或更多的物体所提供的夹持力；和 移除未被夹持的过滤介质。10.根据权利要求8或9所...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·范德埃克，A·T·W·凯姆彭，A·C·库普尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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