辐射源制造技术

本发明专利技术提供了一种辐射源。根据本发明专利技术的第一方面，提供一种辐射源，包括：贮液器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成引导激光辐射到等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中生成用于生成辐射的等离子体；和燃料污染物控制布置，所述污染物控制布置包括：用于生成磁场的磁场生成元件；用于生成电场的电场生成元件；磁场生成元件和电场生成元件一起配置成确保在使用中磁场和电场在燃料内的污染物的位置或潜在位置处交叠，并确保磁场和电场的通量线在该位置处不平行以便控制污染物的移动。

【技术实现步骤摘要】
辐射源
本专利技术涉及辐射源，其适于与光刻设备结合使用，或形成光刻设备的一部分。更一般地，本专利技术还涉及用于生成流体流的布置，以及控制这种布置内污染物的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如制造集成电路（IC）。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯）上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。通常，单个衬底将包含连续形成了图案的相邻目标部分的网络。光刻技术被广泛认为是制造集成电路（IC）和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术所制造的特征的尺寸变得越来越小，对于实现将要制造的微型的IC或其他器件和/或结构来说，光刻技术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利法则给出，如等式（1）所示：其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷的特征的特征尺寸（或临界尺寸）。由等式（1）可知，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种方式来实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外（EUV）辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内的波长的电磁辐射。还提出可以使用小于10nm波长的EUV辐射，例如在5-10nm范围内的波长，诸如6.7nm或6.8nm的波长。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。通过使用等离子体可以产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于容纳等离子体的源收集器模块。可以例如通过引导激光束到燃料上，例如合适的燃料材料（例如锡，目前被认为是最有希望的，因此可能是用于EUV辐射源的燃料的选择）的颗粒（即，液滴）或合适气体或蒸汽的流（例如Xe气体或Li蒸汽），产生等离子体。最终的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器进行收集。辐射收集器可以是镜像的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包封结构或室，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体（LPP）源。在也可以采用使用激光器的可替换的系统中，可以通过使用放电形成的等离子体生成辐射-放电产生等离子体（DPP）源。所提出的LPP辐射源生成连续的燃料液滴流。辐射源包括用于朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的喷嘴。液滴需要以高精度引导至等离子体形成位置，以便确保激光束可以被朝向液滴引导并与液滴接触。为了实现其，燃料应该通过喷嘴而不遭受任何非预期的或非人为的阻碍或限制。这种阻碍或限制可能由燃料中沉积在喷嘴内表面上的污染物引起。污染物可能导致通过喷嘴引导的液滴流不具有一种或多种想要的性质，例如期望的轨迹或期望的液滴尺寸、形状或频率。结果，这会导致辐射源整体上不能如想要的那样起作用，例如不能生成辐射，或不能生成想要的强度的辐射或想要的持续时间的辐射。虽然已经关于在LPP辐射源中使用的喷嘴描述了多个问题，但是关于在其他流体（例如液体）流生成器（液滴或是连续的）中使用的喷嘴，例如在喷墨印刷等中使用的喷嘴，可能遭遇相同或类似的问题。此外，所述问题不限于包括液滴的流-当要生成连续的流时可能遭遇相同或类似的问题。
技术实现思路
期望消除或减轻现有技术中的至少一个问题，无论这里或其他地方所提及的，或期望提供一种已有设备或方法的替换方案。根据本专利技术的第一方面，提供了一种辐射源，包括：贮液器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成引导激光辐射到等离子体形成位置处的所述流上以在使用中生成用于生成辐射的等离子体；和燃料污染物控制布置，所述污染物控制布置包括：用于生成磁场的磁场生成元件；用于生成电场的电场生成元件；磁场生成元件和电场生成元件一起配置成确保在使用中磁场和电场在燃料内的污染物的位置或潜在位置处交叠，并确保磁场和电场的通量线在该位置处不平行以便控制污染物的移动。燃料污染物控制布置可以配置成驱动污染物离开使其不通过所述喷嘴。燃料污染物控制布置可以配置成驱动污染物通过喷嘴。燃料内的污染物的位置或潜在位置是下述中的一个或更多个位置：在喷嘴内，或在从贮液器通向至喷嘴的管道内；在贮液器内，或在贮液器内和在喷嘴开口的附近区域内，或在贮液器内和在从贮液器通向至喷嘴的管道的开口附近区域内；在贮液器上游的另一贮液器内，或在该另一贮液器内和在通向至贮液器的管道的开口附近区域内，或在通向至贮液器的管道内。磁场生成元件和/或电场生成元件可以适当地定位成在该位置或潜在位置周围或围绕该位置或潜在位置分布。喷嘴和/或通向至喷嘴的管道可以包括机电搅动器或与机电搅动器相连，用于引起喷嘴振动或其中包含的流体振动。机电搅动器可以被与外部电场和/或外磁场屏蔽（即，通过屏蔽件）。磁场生成元件可以包括：螺线管，所述螺线管围绕燃料内的污染物的该位置或该潜在位置（例如，用于生成恒定的或变化的磁场）；和/或一个或更多个永磁体（用于生成恒定的磁场）。电场生成布置可以包括下列中的一个或更多个：电极；或两个电极；或，位于燃料内的污染物的位置或潜在位置的大体相对侧上的两个电极；或电容器，该电容器的相对的板定位在燃料内的污染物的位置或潜在位置的大体相对侧上。磁场生成元件和/或电场生成元件可以配置成确保在使用中该磁场和/或电场在燃料内的污染物的位置或潜在位置处提供基本上均匀的磁场和/或电场。根据本专利技术的第二方面，提供了一种光刻设备，包括：照射系统，用于提供辐射束；图案形成装置，用于在辐射束的横截面中赋予辐射束图案；衬底保持装置，用于保持衬底；投影系统，用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，且其中光刻设备还包括本专利技术的任一方面所述的辐射源或与本专利技术的任一方面所述的辐射源相关联。根据本专利技术的第三方面，提供了一种流体流生成器，包括：贮液器，配置成保持一体积的流体；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿一轨迹引导燃料流；和流体污染物控制布置，所述流体污染物控制布置包括：用于生成磁场的磁场生成元件；用于生成电场的电场生成元件；磁场生成元件和电场生成元件一起配置成确保在使用中磁场和电场在流体内的污染物的位置或潜在位置处交叠，并确保磁场和电场的通量线在该位置处不平行以便控制污染物的移动。根据本专利技术的第四方面，提供了一种在流体流生成器中的污染物控制方法，所述布置包括配置成保持一体积的流体的贮液器；和与贮液器流体连接并配置成沿一轨迹引导流体流的喷嘴，所述方法包括以下步骤：通过建立磁场和电场来控制污染物的移动，其中磁场和电场在流体内的污染物的位置或潜在位置处交叠，磁场和电场的通量线在该位置处不平行以便促使流体移动，以便继而控制包含在流体内的污染物的移动。根据本专利技术的第五方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射源，包括：贮液器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成引导激光辐射到等离子体形成位置处的所述流上以在使用中生成用于生成辐射的等离子体；和燃料污染物控制布置，所述燃料污染物控制布置包括：磁场生成元件，配置成生成磁场；电场生成元件，配置成生成电场；其中磁场生成元件和电场生成元件一起配置成确保在使用中磁场和电场在燃料内的污染物的位置或潜在位置处交叠，并确保磁场和电场的通量线在所述位置处不平行以便控制污染物的移动。

【技术特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,6881.一种辐射源，包括：贮液器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成引导激光辐射到等离子体形成位置处的所述流上以在使用中生成用于生成辐射的等离子体；和燃料污染物控制布置，所述燃料污染物控制布置包括：磁场生成元件，配置成生成磁场；电场生成元件，包括设置在喷嘴的任一侧上或在所述贮液器和喷嘴之间的管道的任一侧上并且在喷嘴或管道的外面的两个电极，并且配置成生成电场；其中磁场生成元件和电场生成元件一起配置成确保在使用中磁场和电场在喷嘴或管道内的燃料内的污染物的位置或潜在位置处交叠，并确保磁场和电场的通量线在所述污染物的位置或潜在位置处不平行以便控制污染物的移动。2.如权利要求1所述的辐射源，其中燃料污染物控制布置配置成驱动污染物离开使其不通过所述喷嘴。3.如权利要求1所述的辐射源，其中燃料污染物控制布置配置成驱动污染物通过喷嘴。4.如权利要求1所述的辐射源，其中喷嘴和管道中的至少一个包括机电搅动器或与机电搅动器相连接，用于引起喷嘴振动或包含在喷嘴中的流体振动，和使机电搅动器与外部电场和/或外部磁场屏蔽。5.如权利要求1所述的辐射源，其中磁场生成元件包括：螺线管，所述螺线管围绕喷嘴或管道内的燃料内的所述污染物的位置或潜在位置；和/或一个或更多个永磁体。6.如权利要求1所述的辐射源，其中电场生成元件包括：电容器，所述电容器的相对的板定位在喷嘴或管道内的燃料内的污染物的位置或潜在位置的相对侧上。7.如权利要求1所述的辐射源，其中磁场生成元件和/或电场生成元件配置成确保在使用中所述磁场和/或电场在喷嘴或管道内的燃料内的污染物的位置或潜在位置处提供均匀的磁场和/或电场。8.如权利要求1所述的辐射源，其中燃料污染物控制布置，或一个或更多个附加的燃料污染物控制布置用作辐射源内的过滤器或净化装置。9.如前述权利要求1-8中任一项所述的辐射源，其中燃料包括锡，和/或其中污染物包括氧化锡。10.一种光刻设备，包括：照射系统，构造并布置成提供辐射束；图案形成装置，构造并布置成在辐射束的横截面上赋予辐射束图案；衬底保持装置，构造并布置成保持衬底；投影系统，构造并布置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，和其中光刻设备还包括上述权...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·J·麦斯特姆，G·H·P·M·斯温凯尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：