辐射源制造技术
【技术实现步骤摘要】
辐射源
本专利技术涉及辐射源，其适于与光刻设备结合使用，或形成光刻设备的一部分。更一般地，本专利技术还涉及用于生成流体流的布置，以及控制这种布置内污染物的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如制造集成电路（IC）。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯）上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。通常，单个衬底将包含连续形成了图案的相邻目标部分的网络。光刻技术被广泛认为是制造集成电路（IC）和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术所制造的特征的尺寸变得越来越小，对于实现将要制造的微型的IC或其他器件和/或结构来说，光刻技术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利法则给出，如等式（1）所示：其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调节...
【技术保护点】
一种辐射源，包括：贮液器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成引导激光辐射到等离子体形成位置处的所述流上以在使用中生成用于生成辐射的等离子体；和燃料污染物控制布置，所述燃料污染物控制布置包括：磁场生成元件，配置成生成磁场；电场生成元件，配置成生成电场；其中磁场生成元件和电场生成元件一起配置成确保在使用中磁场和电场在燃料内的污染物的位置或潜在位置处交叠，并确保磁场和电场的通量线在所述位置处不平行以便控制污染物的移动。
【技术特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,6881.一种辐射源，包括：贮液器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成引导激光辐射到等离子体形成位置处的所述流上以在使用中生成用于生成辐射的等离子体；和燃料污染物控制布置，所述燃料污染物控制布置包括：磁场生成元件，配置成生成磁场；电场生成元件，包括设置在喷嘴的任一侧上或在所述贮液器和喷嘴之间的管道的任一侧上并且在喷嘴或管道的外面的两个电极，并且配置成生成电场；其中磁场生成元件和电场生成元件一起配置成确保在使用中磁场和电场在喷嘴或管道内的燃料内的污染物的位置或潜在位置处交叠，并确保磁场和电场的通量线在所述污染物的位置或潜在位置处不平行以便控制污染物的移动。2.如权利要求1所述的辐射源，其中燃料污染物控制布置配置成驱动污染物离开使其不通过所述喷嘴。3.如权利要求1所述的辐射源，其中燃料污染物控制布置配置成驱动污染物通过喷嘴。4.如权利要求1所述的辐射源，其中喷嘴和管道中的至少一个包括机电搅动器或与机电搅动器相连接，用于引起喷嘴振动或包含在喷嘴中的流体振动，和使机电搅动器与外部电场和/或外部磁场屏蔽。5.如权利要求1所述的辐射源，其中磁场生成元件包括：螺线管，所述螺线管围绕喷嘴或管道内的燃料内的所述污染物的位置或潜在位置；和/或一个或更多个永磁体。6.如权利要求1所述的辐射源，其中电场生成元件包括：电容器，所述电容器的相对的板定位在喷嘴或管道内的燃料内的污染物的位置或潜在位置的相对侧上。7.如权利要求1所述的辐射源，其中磁场生成元件和/或电场生成元件配置成确保在使用中所述磁场和/或电场在喷嘴或管道内的燃料内的污染物的位置或潜在位置处提供均匀的磁场和/或电场。8.如权利要求1所述的辐射源，其中燃料污染物控制布置，或一个或更多个附加的燃料污染物控制布置用作辐射源内的过滤器或净化装置。9.如前述权利要求1-8中任一项所述的辐射源，其中燃料包括锡，和/或其中污染物包括氧化锡。10.一种光刻设备，包括：照射系统，构造并布置成提供辐射束；图案形成装置，构造并布置成在辐射束的横截面上赋予辐射束图案；衬底保持装置，构造并布置成保持衬底；投影系统，构造并布置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，和其中光刻设备还包括上述权...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·J·麦斯特姆，G·H·P·M·斯温凯尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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