一种控制光刻设备的扫描功能的方法。使用第一对准策略。监控晶片被曝光以确定与扫描功能相关的基准线控制参数。基准线控制参数周期性地从监控晶片重新获得。从基准线控制参数确定参数漂移。基于所述确定结果采取校正动作。使用不同于第一对准策略的第二对...

本发明公开了一种用于热调节光刻设备的部份的热调节系统及热调节方法。所述系统包括：蒸发器，定位成与部份热接触，以通过蒸发器内流体的蒸发来从部份提取热量；冷凝器，定位成与部份相距一距离，用于通过冷凝器内流体的冷凝来从冷凝器内的流体去除热量；...

本发明公开了一种用于调节辐射束的光学设备、光刻设备和器件制造方法。在一种极紫外光刻设备中，照射系统包括琢面场反射镜和琢面光瞳反射镜。反射镜内部的场琢面反射镜将极紫外辐射聚焦到特定的相关光瞳琢面反射镜，由此将其引导至目标区域。每个场琢面反...

本发明公开了一种光刻设备和方法。所述光刻设备包括投影系统，投影系统包括多个反射性光学元件。反射性光学元件中的一个设置有开口，所述开口穿过反射性光学元件。所述开口由覆盖层封闭，所述覆盖层对于EUV辐射基本上是透明的。覆盖层防止污染物进入到...

本发明公开了一种多层反射镜以及一种光刻设备。所述多层反射镜构造并布置成反射波长在大约6.4nm至大约7.2nm范围内的辐射。多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层。第一和第二层选自下列项构成的组：U(铀)或其化合物或其氮化物...

本发明涉及一种光刻方法和组件。一种确定图案特征的属性对于用以提供该图案特征的光刻设备的光学像差变化的灵敏度的光刻方法。所述方法包括：控制光刻设备的配置以建立第一像差状态，和在光刻设备处于该第一像差状态时用该光刻设备形成图案特征的第一图像...

本发明公开了一种平面马达以及包括该平面马达的光刻设备。该平面马达包括：定子，包括多个定子极，多个定子极以具有第一节距的重复布置的方式布置，多个定子极面对移动平面的第一侧；和动子，包括多个动子极，多个定子极以具有第二节距的重复布置的方式布...

一种EUV辐射源，包括燃料供给装置，配置成提供燃料至等离子体形成位置。燃料供给装置包括贮液器，配置成将燃料保持在以将燃料保持为液体状态的足够高的温度条件下，和压力容器，配置成容装贮液器，压力容器与贮液器至少部分地热隔离。EUV辐射源还包...

一种光谱纯度滤光片，包括：材料实体，多个孔延伸通过所述材料实体。孔布置成抑制具有第一波长的辐射并允许具有第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔。第二波长辐射比第一波长辐射短。所述材料实体由钨-钼合金或钼-铼合金或钨-铼合金或钨-钼-铼...

本发明公开了一种光刻设备和平台系统。所述平台系统包括：物体台，构造成保持物体；短行程致动器元件，构造成在第一移动范围上对所述物体台移位；和长行程致动器元件，构造成在第二移动范围上对所述短行程致动器元件移位，所述第二移动范围大于所述第一移...

一种EUV辐射源，包括：燃料源，配置用于将燃料供给至等离子体形成位置。所述燃料源包括：喷嘴，配置用于喷射燃料液滴；以及液滴加速器，配置用于加速燃料液滴。EUV辐射源包括激光辐射源，配置用于在等离子体形成位置处照射通过所述燃料源供给的燃料。

一种照射系统，包括配置成调节入射到场多小面反射镜装置上的辐射束的光瞳反射镜和场多小面反射镜装置。场多小面反射镜装置包括多个反射型场小面，其能够在相对于入射束的第一取向和第二取向之间移动。在其第一取向的场小面有效地将入射辐射反射朝向相应的...

在光刻设备中，使用包括多个可移动琢面以将辐射引导至光瞳琢面反射镜上的可选择位置的场反射镜设置照射模式。从一组预定照射模式选择基础照射模式并且可移动琢面被设置以实现该模式。为了调节成像参数，可移动琢面的一部分被设置到不同位置。确定哪些琢面...

本发明公开了一种用于计算结构的电磁散射属性和用于近似结构的重构的方法和设备。还公开一种用于重构光栅轮廓的CSI算法。针对于电流密度J求解体积积分方程通过选择E和J的连续分量而采用与电场ES和电流密度J相关的矢量场FS的固有结构以确定J的...

检验方法和检验设备可用于例如通过光刻技术的器件制造中检测半导体晶片上的处理缺陷。用移动测量斑沿着扫描路径照射管芯的条带。检测散射辐射以获得角度分辨光谱，其被在条带上进行空间积分。将散射数据与通过测量或计算获得的参考光谱库比较。基于比较，...

本发明公开了一种具有等离子体辐射源的设备和形成辐射束的方法以及光刻设备。所述设备包括等离子体辐射源(24)和翼片阱(25)，该翼片阱设置有基本上平行于等离子体源(20)的辐射的方向延伸的多个薄翼片(20)。在等离子体辐射源(20)和翼片...

本发明公开了一种投影系统、光刻设备和器件制造方法。其中公开了投影系统、光刻设备和器件制造方法的各种配置。根据所公开的配置，所述投影系统配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。所述投影系统包括光学元件，所述光学元件包括第一面和第二面...

本发明公开一种光刻设备，包括衬底台位置测量系统和投影系统位置测量系统，分别用以测量衬底台和投影系统的位置。衬底台位置测量系统包括安装在衬底台上的衬底台参考元件和第一传感器头。衬底台参考元件在基本上平行于衬底台上的衬底的保持平面的测量平面...

本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。所述光刻设备包括：衬底台，构造成保持衬底；投影系统，配置成将图案化的辐射束投影通过开口并投影到衬底的目标部分上；和管道，具有位于开口内的出口。所述管道配置成将气体传送至所述开口。光刻设备还包括由控...

本发明公开了一种光学设备、扫描方法、光刻设备和器件制造方法。所述设备(AS)测量光刻衬底(W)上的标记(202)的位置。测量光学系统包括用于用辐射斑(206)照射标记的照射子系统(504)和用于检测由标记衍射的辐射的检测子系统(580)...