用于对准或重叠的标记结构，限定它的掩模图案及使用该掩模图案的光刻投影装置在光刻投影中用于将标记结构成像在基底上的掩模图案，该标记结构在使用中布置成用于确定光学对准或重叠，该掩模图案包括组成部分以限定标记结构，该组成部分被分成多个分段元件...

一种量测设备布置成以离轴照射模式照射多个目标。仅利用一个第一级衍射束获得目标的图像。在目标是复合光栅的情况下，可以根据不同光栅的图像的强度获得重叠测量。重叠测量可以被针对于由光栅在像场中的位置变化引起的误差进行校正。

在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束...

本发明涉及一种光刻设备，其布置成将图案从构图部件投影到基底上，光刻设备具有用于保持基底的基底台，该基底台包括调节系统，该调节系统用于保持调节流体并调节该基底台，其中，该调节系统包括压力阻尼器，该压力阻尼器与该调节系统成流体连通，并且布置...

本发明公开了一种光刻设备(1)，包括：投影系统(7)，其配置成将所述图案化的辐射束(9)投影到衬底的目标部分上；真空室(8)，在使用期间所述图案化的辐射束(9)被投影通过真空室；和净化系统(13、16、17)，其配置成在所述室(8)内提...

本发明提供一种制造光谱纯度滤光片的方法，其中在基底材料的第一表面内形成开口，所述开口对应于光谱纯度滤光片的多个孔。化学处理基底材料的至少围绕第一表面内的开口的表面以形成第二材料的层，并且从第二表面蚀刻基底材料，使得开口从基底材料的第一表...

一种形成光谱纯度滤光片的方法，所述光谱纯度滤光片包括多个孔，所述多个孔配置成透射极紫外辐射和抑制第二类型的辐射的透射，其中以对应于在所述孔之间形成的壁的图案在基底材料中形成沟道。用格栅材料填充所述沟道以形成所述格栅材料的壁；和选择性地移...

公开了一种照射系统，该照射系统具有可以配置成形成照射模式的多个可移动反射元件(22a、22b、22c)和相关的致动器。所述致动器中的一个或更多个布置成在第一位置、第二位置和第三位置之间移动，并因此在第一方向、第二方向和第三方向之间移动相...

一种透射型光谱纯度滤光片配置成透射极紫外辐射(λ＜20nm)。滤光片包括网格状结构，包括在例如硅等载体材料中形成的多个微观孔。在该区域的至少一部分内的网格状结构被形成为以便在预期的操作条件范围内具有负的泊松比。通过形成适于在正交方向上同...

本发明公开了一种光学设备，具有可移动反射元件(110)和相关的致动器(109)。所述致动器包括第一磁体(113)和第二磁体(114)，所述第一磁体连接至所述可移动反射元件使得所述第一磁体的移动将导致所述可移动反射元件移动，所述第二磁体连...

本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是用于使光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性匹配的方法，其中所述匹配包括优化照射源和投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处...

本发明涉及源、掩模和投影光学装置的优化。本发明的实施例提供了用于优化光刻投影设备的方法，所述方法包括优化其中的投影光学装置，且优选地包括优化源、掩模和投影光学装置。投影光学装置有时被广义地称为“透镜”，因此联合的优化过程可以用术语“源掩...

一种光刻投影设备设置有EUV辐射系统，该EUV辐射系统包括：源腔；供给装置，构造和布置成将目标材料供给至预定的等离子体形成位置；光学系统，所述光学系统由三个或更多的反射镜形成，布置成在所述目标材料位于所述预定的等离子体形成位置时建立延伸...

用于物体检查的方法和系统包括基于不想要的微粒与将要被检查的物体相比由于其不同的材料带来的不同的响应，使用分光技术检查物体表面上的不想要的微粒。使用来自物体表面的次级光子发射的能量分辨光谱术和/或时间分辨光谱术获得拉曼和光致发光光谱。将要...

一种用于确定重叠误差的标记，包括子特征(46)，该子特征的最小节距大致等于产品特征的最小节距。对变形和像差的敏感性因此与对产品特征的敏感性相同。然而，当显影标记时，子特征并入并且仅显影较大的特征的轮廓。

一种透射型光谱纯度滤光片，配置成透射极紫外辐射，且包括具有多个孔的滤光片部分，所述孔用于透射极紫外辐射和抑制第二类型的辐射的透射。所述孔可以通过各向异性蚀刻过程在诸如硅等半导体材料中制造。半导体材料设置有耐氢层，诸如氮硅化合物Si3N4...

公开了一种反射元件阵列，至少一个反射元件安装在安装部件上，安装部件包括至少部分地放置在套管内的杆。杆的第一端固定至套管的第一端并且所述杆的第二端是可移动的，所述套管包括第一可弹性变形部分，所述第一可弹性变形部分配置成弯曲、以便允许发生所...

本发明公开用于物体检查的系统和方法，尤其是用在光刻过程中的掩模版检查。所述方法包括用干涉测量法结合参照辐射束与探测辐射束；和存储它们的复场图像。然后将一个物体的复场图像与参照物体的复场图像对比，以确定差值或差异。所述系统和方法在掩模版的...

为了改善重叠测量，通过使用散射术由对准传感器在光刻设备中测量衬底上的产品标识光栅。之后，关于产品标识光栅的横向轮廓的信息，诸如其不对称性，由所述测量确定。在将重叠标识光栅印刷到抗蚀剂膜上之后，重叠标识光栅相对于产品标识光栅的横向重叠被通...

提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括：照射系统IL，用于提供极紫外辐射束B；遮挡装置MB，用于控制通过所述辐射束对图案形成装置MA的照射；支撑件MT，用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束；衬底台WT，用于保持衬底...