用于光刻的检验方法技术

一种用于确定重叠误差的标记，包括子特征(46)，该子特征的最小节距大致等于产品特征的最小节距。对变形和像差的敏感性因此与对产品特征的敏感性相同。然而，当显影标记时，子特征并入并且仅显影较大的特征的轮廓。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如可用于通过光刻技术制造器件过程中的检验方法，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括 所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。为了监测光刻过程，需要测量图案化衬底的参数，例如形成在衬底上或衬底内的连续层之间的重叠误差。已有多种技术用于测量在光刻过程中形成的显微结构，包括使用扫描电子显微镜和多种专门工具。专用检验工具的一种形式是散射仪，其中辐射束被引导到衬底表面上的目标上并且测量散射或反射束的属性。通过比较束在被衬底反射或散射前后的属性，可以确定衬底的属性。例如通过将反射束同与已知的衬底属性相关的已知测量值的库中存储的数据比较，可以确定衬底的属性。已知两种主要类型的散射仪。光谱散射仪引导宽带辐射束到衬底上并且测量散射到特定的窄的角度范围内的辐射的光谱(强度作为波长的函数)。角分辨散射仪使用单色辐射束并且测量作为角度的函数的散射辐射强度。为了确定层之间的重叠误差，在第二层上的图案被添加到第一层上的图案之上。 随后，将辐射束投影到图案上和所确定的衍射图案。用以确定重叠误差的图案是几百纳米量级的，而产品特征是几十纳米量级的。投影束被投影以曝光衬底时所通过的投影系统不是完美的并且引起像差和变形。一部分像差和变形依赖于节距，因为具有不同节距的特征将被投影通过光瞳的不同部分。因此，产品特征经历的像差可能不会被用于确定重叠误差的图案所经历，反之亦然。这会在计算重叠误差过程中导致误差，尤其是当使用反馈回路控制重叠误差时。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种用于确定重叠误差的方法，其经历与产品特征相同的敏感性。根据本专利技术的一个实施例，提供一种测量特性的方法，包括以下步骤。将具有图案的辐射束投影到衬底上，所述图案包括产品和标记，所述产品包括多个产品特征，所述标记包括多个标记特征，至少一个特征包括多个子特征。在衬底上形成所述图案。将辐射束投影到所述图案上。由所述图案检测衍射图案。基于所述衍射图案确定所述图案和下面的图案之间的重叠误差。子特征具有基本上等于产品特征的节距的最小节距，并且当形成所述图案时形成所述产品特征和所述标记特征的轮廓，但是不形成子特征的形状。根据本专利技术的另一个实施例，提供一种测量特性的方法，所述方法包括下列步骤。 将具有图案的辐射束投影到衬底上，所述图案包括产品和标记，所述产品包括多个产品特征，所述标记包括多个标记特征，至少一个特征包括多个子特征。在衬底上形成所述图案。 子特征的最小节距等于产品特征的节距，并且当形成所述图案时形成产品特征和标记特征的轮廓，但不形成子特征的形状。根据本专利技术的还一实施例，提供一种器件制造方法，包括下列步骤。将具有图案的辐射束投影到衬底上，所述图案包括产品和标记，所述产品包括多个产品特征，所述标记包括多个标记特征，至少一个特征包括多个子特征。在衬底上形成所述图案。子特征的最小节距等于产品特征的节距，并且当形成所述图案时形成产品特征和标记特征的轮廓，但不形成子特征的形状。本专利技术的其他特征和优点以及本专利技术不同实施例的结构和操作将在下文中参照附图进行描述。应该指出的是，本专利技术不限于这里所描述的具体实施例。在这里给出的这些实施例仅是示例性用途。基于这里包含的教导，附加的实施例对本领域技术人员将是显而易见的。附图说明这里附图并入说明书并且形成说明书的一部分，其示出本专利技术并且与说明书一起进一步用来说明本专利技术的原理，以允许本领域技术人员能够实施和使用本专利技术。图1示出光刻设备；图2示出光刻单元或光刻簇；图3示出第一散射仪；图4示出第二散射仪；图5示出根据本专利技术一个实施例的产品特征和重叠标记；图6示出根据本专利技术一个实施例的重叠标记的一种发展形式。结合附图通过下面详细的说明书，本专利技术的特征和优点将变得更加清楚，在附图中相同的附图标记在全文中表示相应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、 功能类似的和/或结构类似的元件。元件第一次出现的附图用相应的附图标记中最左边的数字表示。具体实施例方式本说明书公开了一个或多个实施例，其中并入了本专利技术的特征。所公开的实施例仅给出本专利技术的示例。本专利技术的范围不限于这些公开的实施例。本专利技术由未决的权利要求来限定。所述的实施例和在说明书中提到的“ 一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括特定的特征、结构或特性。而且，这些段落不必指的是同一个实施例。此外，当特定特征、结构或特性与实施例结合进行描述时，应该理解，无论是否明确描述，实现将这些特征、结构或特性与其他实施例相结合是在本领域技术人员所知的知识范围内。本专利技术的实施例可以应用到硬件、固件、软件或其任何组合中。本专利技术的多个实施例还可以应用为存储在机器可读介质上的指令，其可以通过一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括任何用于以机器(例如，计算装置)可读形式存储或传送信息的机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存装置；被传播信号的电、光、声或其他形式(例如，载波、红外信号、数字信号等)，以及其他。此外，这里可以将固件、软件、程序、指令描述成执行特定动作。 然而，应该认识到，这些描述仅为了方便，并且这些动作实际上由计算装置、处理器、控制器或其他执行所述固件、软件、程序、指令等的装置来完成的。然而，在详细描述这些实施例之前，给出应用本专利技术的多个实施例的示例性背景环境具有指导意义。图1示意地示出了一光刻设备。所述光刻设备包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台) MT,其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置 PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PL，其配置成用于将由图案形成装置MA 赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊成，理查德·范哈伦，毛瑞特斯·范德查尔，李贤宇，琼布鲁特·瑞纳，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：