ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有3480项专利

  • 光刻装置可以以基底曝光结构的形式工作,以将辐射图案曝光到基底上,以及以辐射束检查结构的形式工作,其中如果该光刻装置处于基底曝光结构时由辐射束检查装置检查将要被曝光到基底上的辐射图案。在辐射束检查结构中,修正光刻装置的操作,使得将要曝光到...
  • 本发明公开了一种光刻设备,其包括用来保持多个压印模板的模板保持器和用来保持基板的基板保持器,所述模板保持器位于基板保持器的下方。
  • 一种通过重构确定衬底上的对象的近似结构的系统和方法。其可以被应用于例如显微结构的基于模型的量测中,例如以便估计光刻设备的重叠性能或临界尺寸(CD)。散射仪被用以确定对象的近似结构,例如衬底上的叠层上的光栅。晶片衬底具有上层和下层。衬底包...
  • 本发明公开了一种EUV光刻设备(100),包括:源收集器设备(SO),其中通过激发燃料以提供发射辐射的等离子体(210)来产生极紫外辐射。所述源收集器设备(SO)包括腔(310),所述腔(310)与腔外部的引导通路(320)流体连通。用...
  • 本发明公开了一种光谱纯度滤光片,尤其是用在将EUV辐射用作投影束的光刻设备中。所述光谱纯度滤光片包括衬底内的多个孔。孔由壁限定,壁具有侧表面,所述侧表面相对于衬底的前表面的法线是倾斜的。
  • 本发明公开一种光刻装置及器件制造方法。本申请记载了光刻投影装置中的排放装置的各个实施例,这些实施例例如具有一特征,当在排放装置中不存在液体时该特征可减小流入排放装置的气体。在一个示例中,提供一被动型液体去除装置,使得该排放装置中的气体压...
  • 压印光刻,在实施例中公开了一种压印方法,包括将衬底上的可压印媒介的第一和第二间隔目标区分别与第一和第二模板接触,以在媒介中形成相应的第一和第二压印,以及将第一和第二模板与被压印媒介分离。
  • 压印光刻,在实施例中公开了一种压印方法,包括将衬底上的可压印媒介的第一和第二间隔目标区分别与第一和第二模板接触,以在媒介中形成相应的第一和第二压印,以及将第一和第二模板与被压印媒介分离。
  • 本发明公开一种用以产生有效的基于模型的亚分辨辅助特征(MB-SRAF)的方法。产生SRAF引导图,其中每个设计目标边缘位置为给定场点表决有关布置在该场点上的单像素SRAF将改善还是弱化整个过程窗口的空间图像。在一个实施例中,SRAF引导...
  • 本发明公开了光刻设备和器件制造方法,其中装置被提供用于降低在投影系统的第一元件和投影系统的第二元件之间传播的振动的程度。所公开的方法包括使用多个串联的弹性构件作为振动隔离系统的一部分,使用多个隔离框架分离地支撑第一投影系统框架和第二投影...
  • 本发明涉及一种光刻设备和修正光刻设备内的辐射束的方法。所述光刻设备包括安装在辐射束路径中的束修正设备。所述束修正设备包括:管道,配置成允许流体流过,所述管道布置成使得在使用时辐射束穿过管道以及流过所述管道的流体。束修正设备还包括热交换器...
  • 本发明公开了一种测量方法、光刻设备和衬底。图案利用光刻步骤形成在衬底上。图案包括在衬底上彼此相邻地定位的且具有各自的第一和第二周期的第一子图案和第二子图案。图案被观察以获得组合的信号,组合的信号包括具有第三周期的拍分量,第三周期处于比第...
  • 本发明涉及一种光刻设备和器件制造方法。光刻设备包括:投影系统、承载装置和驱动系统,驱动系统用于在参考正交的轴线X和Y定义的平面中相对于投影系统移动承载装置,其中:驱动系统包括:穿梭件,构造成且布置成平行于Y轴线移动;穿梭件连接器,用于将...
  • 本发明涉及一种定位系统、光刻设备和用于定位控制的方法。一种用于控制光刻设备的上级部件和下级部件之间的相对位置的定位系统,其中每一部件的位置由一组直角坐标定义,所述定位系统包括:测量装置,配置成在测量坐标上确定所述部件中的一个部件的瞬时位...
  • 本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是匹配光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性的方法,其中所述匹配包括优化投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处的实施例,所述...
  • 一种光刻设备和可移除构件。所述光刻设备布置成将图案形成装置的图案传递至衬底上,所述光刻设备具有第一物体和安装在第一物体上以改善至/来自第二物体的热传递的平面构件。
  • 本发明公开了一种控制器、一种光刻设备、一种控制物体的位置的方法以及一种器件制造方法。所述控制器配置成用于控制具有布置用以作用在物体上的多个致动器的致动器系统。控制器使用增益平衡矩阵将表示想要施加至物体的重心的一组力的第一控制信号转换成表...
  • 一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的焦距。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有以衬底上的光刻设备的焦距的不同函数变化的相对的侧壁角之间具有不对称的至少一个特征。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上产生...
  • 本发明涉及一种更新校准数据的方法和器件制造方法。一种用于更新第一位置检测系统的校准数据的方法,所述第一位置检测系统适合于确定物体的位置,所述第一位置检测系统包括目标和多个传感器,所述目标和所述传感器中的一者被安装到所述物体上,所述校准数...
  • 本发明提供了一种源、掩模和投影光学装置的优化流程。本发明的实施例提供用于优化光刻投影设备的方法,所述方法包括优化其中的投影光学装置。当前的实施例包括几个流程,包括优化源、掩模和投影光学装置和各种连续的且迭代的优化步骤,其将投影光学装置、...