提供了一种浸没液体，包括：具有相对较高蒸汽压力的离子形成成分，例如酸或基剂。还提供了使用该浸没液体的光刻方法和光刻系统。

为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及曝光设备的投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案、用于印刷特定标记到衬底上。这种标记可以通过例如散射仪等检验设备测量以确定是否在焦距、剂量和其他相关性质中存在误差。这种测试图案布置成使...

第一目标群和第二目标群蚀刻在衬底中。第二目标群具有相对于第一目标群的不对称性。这能够允许区分不同的目标群并且确定不同目标群的特性。

提供了一种致动器系统，所述致动器系统配置成相对于所述致动器系统的基座将部件移动。致动器系统包括第一和第二致动元件，每个包括彼此连接的且具有不同的热膨胀系数的两个材料部。所述两个致动元件配置成使得，如果一个致动元件的温度被增加，则它沿着与...

本发明提供一种光刻设备，包括辐射系统，用于通过辐射源发射的辐射提供辐射束。辐射系统包括用于捕获从辐射源发射的材料的污染物阱（８）。旋转污染物阱包括多个元件（１１），所述多个元件从公共的旋转捕获轴线（Ａ）沿径向方向（Ｒａ）延伸并且布置用于...

本发明涉及光刻设备和过程，尤其涉及用于优化用在光刻设备和过程中的照射源和掩模的工具。根据特定的方面，本发明通过允许直接计算成本函数的梯度，显著地加速了所述优化的收敛。根据其它的方面，本发明允许同时优化源和掩模，由此显著地加速了整体的收敛...

一种压印光刻方法包括使用衬底或压印模具中的空隙空间。一旦可压印介质已经就位，在压印模具和衬底上的可压印的、可流动的介质之间捕获的气窝可能导致不规则。通常在可压印介质就位之前，通过气体流入或扩散到空隙空间，空隙空间允许气窝消散。作为压印模...

根据本发明的方法提供计算有效的用于设计测规图案的方法，该测规图案用于校准在模拟过程中使用的模型，并且最小化模型参数之间的简并，因而最大化用于参数校准的图案覆盖。更具体地，本发明涉及设计测规图案的方法，该方法用最小数量的测规和在用于成像具...

本发明提供一种用于测量衬底的性质的散射仪，包括焦距感测布置，其包括引导第一辐射束到聚焦布置上的布置（６５），以通过聚焦传感器布置（６１）检测。聚焦控制器（６７）提供表示聚焦布置（１５、６９）和衬底（Ｗ）的相对位置的控制信号，其中需要所述...

本发明公开了一种收集器组件（３００），其包括用于将来自辐射发射点（３１）（诸如极紫外辐射发射点）的辐射反射至中间焦点（１８）的第一收集器反射镜（３３），来自所述中间焦点的辐射用在用于器件制造的光刻设备中。在辐射发射点（３１）前面的第二收...

为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及其投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案用于将特定标记印刷到衬底上。然后通过例如散射仪等检查设备测量该标记，以确定焦距和剂量以及其他相关性质是否存在误差。测试图案配置成使得焦距和剂量的...

提供一种投影系统（ＰＳ），在一个实施例中，所述投影系统包括两个框架。投影系统的光学元件安装在第一框架（２００）上。使用第一测量系统（９１０）相对于第二框架（３００）测量光学元件的位置。第二测量系统（９２０）用于测量与第二框架变形相关的参...

一种透射光谱纯度滤光片（１００），配置成透射极紫外辐射。光谱纯度滤光片（１０２Ｆ）包括滤光片部分（１００），所述滤光片部分（１００）具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔（１０４）。每个孔（１０４）通过各向异性蚀刻工艺...

在一个实施例中，公开了一种光刻设备，所述光刻设备包括：调制器，配置成使衬底的曝光区域由根据期望的图案调制的多个束进行曝光；和投影系统，配置成将调制后的束投影到衬底上。调制器可以是相对于曝光区域可移动的和／或投影系统可以具有用于接收多个束...

一种辐射系统，配置成产生辐射束。所述辐射系统包括：辐射源（５０），配置成产生发射辐射和碎片的等离子体；辐射收集器（７０），配置成引导所收集的辐射至辐射束发射孔（６０）。磁场产生装置（２００）配置成产生具有磁场强度梯度的磁场，以将等离子体...

一种辐射源（ＳＯ）配置成生成极紫外辐射。所述辐射源（ＳＯ）包括等离子体形成部位（２），所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束（５）接触而形成等离子体所在的位置；出口（１６），所述出口配置成允许气体出离辐射源（ＳＯ）；和污染物阱（２３...

一种光谱纯度滤光片（３０）配置成反射极紫外辐射。所述光谱纯度滤光片（３０）包括：基底（３１）；和抗反射涂层（３２），所述抗反射涂层在所述基底（３１）的顶表面上。所述抗反射涂层（３２）配置成透射红外辐射。滤光片还包括多层堆叠体（３３），所...

一种光谱纯度滤光片包括孔阑。光谱纯度滤光片被配置成通过配置成吸收第一波长的辐射和允许第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔阑，来提高辐射束的光谱纯度。所述第一波长大于所述第二波长。光谱纯度滤光片可以用于改善极紫外（ＥＵＶ）辐射束的光谱...

提供了一种投影系统（ＰＳ），该投影系统包括：传感器系统（２０），所述传感器系统（２０）测量至少一个参数，所述参数与在所述投影系统（ＰＳ）内支撑光学元件（１１）的框架（１０）的物理变形相关联；和控制系统（３０），所述控制系统（３０）基于来...

一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外（ＥＵＶ）辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。光谱纯度滤光片可以是源模块和／或光刻设备的一部分。