【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可应用于例如利用光刻技术的器件制造中的检验方法和使用光刻技术制造器件的方法。尤其地,本专利技术涉及散射仪的方法和设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。 通常,单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机,在所述步进机中,通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓的扫描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。为了监测光刻过程,需要测量图案化的 ...
【技术保护点】
1.一种散射仪,配置成测量衬底的性质,所述散射仪包括:聚焦布置;聚焦传感器;聚焦控制器,响应于所述聚焦传感器以提供有效地引起致动器布置调整所述聚焦布置和衬底的相对位置的控制信号,其中需要所述相对位置以在调整过程期间聚焦辐射束;和焦距偏离布置,适于提供偏离给聚焦布置产生的焦距,以补偿在所述调整过程期间所述散射仪的聚焦和在使用散射仪期间所述散射仪的聚焦之间的差异。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·范鲍克斯米尔,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL
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