辐射源、光刻设备以及器件制造方法技术

一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外（ＥＵＶ）辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。光谱纯度滤光片可以是源模块和／或光刻设备的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光谱纯度滤光片、用于极紫外(EUV)辐射光刻设备的辐射源、光 刻设备以及器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而 实现的。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部 分；和扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同 时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。为了能够将更小的结构投影到衬底上，已经提出使用极紫外辐射(EUV)，所述极紫 外辐射是具有在10-20nm范围内，例如在13-14nm范围内的波长的电磁辐射。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外（ＥＵＶ）辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·J·杰克，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL