本发明公开一种可变磁阻装置、台设备、光刻设备以及器件制造方法。一种可变磁阻装置包括第一和第二磁性部件、线圈、测量线圈以及控制单元。第一和第二磁性部件相对于彼此是可位移的，以提供具有可变磁阻的磁路。线圈在使用时用于接收用于产生通过磁路的磁...

本发明公开了一种从用于光刻中的设备去除污染物的方法以及一种适用于从用于光刻中的设备去除污染物的衬底，所述方法包括：将衬底装载到所述设备中，所述衬底包括刚性支撑层以及设置在所述刚性支撑层上的可变形层；将所述衬底的所述可变形层与所述设备的表...

本发明公开了一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束；支撑结构，构造成支撑图案形成装置，图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化辐射束；衬底台，构造成保持衬底；台系统，用以相对于参照结构定位衬底台；投影系统，...

本发明公开了一种测量系统、方法和光刻设备。所述测量系统配置成得出物体的位置量，所述测量系统包括：至少一个位置量传感器，配置成提供各自的位置量测量信号；位置量计算器，配置成由所述位置量测量信号确定所述物体的位置量，其中所述位置量计算器包括...

本发明涉及一种光刻设备和光刻设备冷却方法，所述光刻设备包括：照射系统，配置成调节辐射束；支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在辐射束横截面中将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；衬底台，构造成保持衬底；投影系统，配置成将...

本发明公开了使用间隔物和自对准辅助图案的多重图案化光刻。本发明涉及光刻设备和工艺，更具体地，涉及用于印刷超越光刻设备的分辨率极限的目标图案的多重图案化光刻。自对准辅助图案(SAP)是基于一些预定的设计规则使用几何布尔运算以自动的方式由原...

本发明公开了一种辐射系统和光刻设备，所述辐射系统用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在...

本发明公开一种位移装置、光刻设备以及定位方法。所述位移装置具有相对于彼此是可位移的第一和第二部分，所述第一部分设置有磁体系统，所述第二部分设置有线圈组件单元组，线圈组件单元组包括：具有平行于第二方向取向的电流导体的至少三个第一线圈组件单...

提供了一种浸没液体，包括：具有相对较高蒸汽压力的离子形成成分，例如酸或基剂。还提供了使用该浸没液体的光刻方法和光刻系统。

本发明提供一种具有单独可控光学元件阵列的照射系统以及光刻设备，其中每个元件在能够被选择以便形成想要的照射模式的多个取向之间是可移动的。照射系统包括控制器，用以控制一个或多个元件的取向，所述控制器配置成施加力至所述一个或多个元件，其至少部...

本发明公开了一种衬底台、一种光刻设备、一种衬底边缘平坦化方法及一种器件制造方法。所述衬底台支撑衬底。所述衬底台包括衬底支撑件，所述衬底支撑件用于支撑所述衬底并且沿第一方向向衬底的边缘施加弯曲力。设置衬底边缘操作装置，其配置用于沿第二方向...

本发明公开了一种流体处理结构、光刻设备和器件制造方法。所述流体处理结构用于光刻设备，所述流体处理结构在从配置成包含浸没流体的空间至在所述流体处理结构外部的部位的边界上依次具有：布置在第一线中的细长开口或多个开口，其在使用中被引导朝向衬底...

本发明公开了一种流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构配置成供给浸没液体至限定在投影系统和面对流体处理结构的正对表面之间的空间。流体处理结构的下表面具有：供给开口，配置成朝向正对表面供给流体；多个抽取开口，配置成...

本发明公开了一种用于光学邻近效应校正的多变量求解器以及一种求解方法，其中本发明的方法遵循在掩模布局中的边缘片段的统一运动如何改变在所述布局中的控制点上的抗蚀剂图像值，以及如何同时确定针对在所述布局中的每个边缘片段的校正量。表示在掩模布局...

本发明公开了一种器件制造方法，所述方法包括步骤：把浸没液体限制在空间中，所述空间被限定在投影系统、衬底和/或衬底台、流体处理结构、以及在所述流体处理结构与所述衬底和/或所述衬底台之间延伸的浸没液体的弯月面之间，所述投影系统被设置用于把图...

本发明公开了一种浸没式光刻设备，包括：被配置用于支撑衬底的衬底台；和流体处理系统，所述流体处理系统位于衬底台和/或衬底上方，所述流体处理系统包括具有多孔构件的抽取器，所述多孔构件具有表面，所述表面具有至少一个相对于衬底和/或衬底台倾斜的...

本发明公开了一种编码器类型的测量系统、一种光刻设备和一种测量方法。所述测量系统被配置用于测量可移动对象的位置依赖信号，包括：可安装在所述可移动对象上的至少一个传感器；传感器目标对象，其可安装在基本静止的框架上；以及安装装置，其被配置用于...

本发明公开了一种具有改进的用于等离子体清洁处理的适应性的物体。所述物体包括：第一外表面区域；第二外表面区域，其中所述物体构造并布置成与可去除盖协同操作使得所述盖可连接至所述物体以覆盖所述第二外表面区域，且其中与所述可去除盖连接的所述物体...

本发明公开了一种测量光刻设备中动态定位误差的性质的方法、数据处理设备以及计算机程序产品。光刻设备通过相对于彼此以一系列的移动来移动衬底和图案形成装置使得图案被施加到衬底上的期望位置上而操作。移动固有地包括在一个或多个轴线上的引起在被施加...

本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。所述浸没光刻设备包括：流体处理系统，配置成将浸没液体限制到投影系统的最终元件和衬底和/或台之间的局部空间；和气体供给装置，配置成供给气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况...