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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
致动器、光刻设备以及致动器构造方法技术
本发明公开了一种致动器、光刻设备以及致动器构造方法。所述致动器包括:线圈;冷却体,配置成冷却所述线圈;一定量的传热材料,固定地布置在所述冷却体和所述线圈之间;和机械连接装置,配置成将所述线圈连接到所述冷却体。
遮蔽构件、光刻设备以及器件制造方法技术
本发明公开一种光刻设备和一种器件制造方法。所述光刻设备包括衬底台、流体处理结构和交换台。衬底台配置用以支撑衬底。流体处理结构配置用以供给浸没液体并将浸没液体限制到限定在投影系统和衬底台、衬底或两者之间的空间。交换台包括遮蔽表面,遮蔽表面...
光刻设备和器件制造方法技术
本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。本发明也公开了一种确定光刻设备的图案形成装置的更高阶变形的方法以及相关设备。该更高阶变形采用透射成像装置来测量。在主实施例中,使用增强型掩模板,其可以具有位于周界中、像场的划线中或像场自身中的附加...
检查方法和设备技术
本发明公开了一种检查方法和设备。具体地,在一方面中,公开一种用于探测物体上存在缺陷或不存在缺陷的检查方法,所述物体包括具有物理深度的凹陷。所述方法包括:将辐射引导到所述物体上,所述辐射具有基本上等于所述凹陷的光学深度的两倍的波长;探测被...
压印光刻设备和方法技术
本发明公开了一种压印光刻装置和方法。具体地,所述方法用于通过使用具有图案化表面的压印模具在衬底上由紫外线可固化的可压印液体介质形成图案化层。所述方法包括:将所述图案化表面与紫外线可固化介质放在一起并持续一填充时间段,用紫外辐射照射所述紫...
定位系统、光刻设备和方法技术方案
公开了一种定位系统、光刻设备和方法。具体地,公开了一种用以定位具有主体的可移动物体的定位系统。所述定位系统包括:物体位置传感器、物体致动器以及物体控制器,其中定位系统还包括加强构件,用以增大所述物体的主体的刚性和/或衰减所述物体的主体内...
光刻设备和监控方法技术
本发明公开了一种光刻设备和监控方法,所述光刻设备包括辐射束监控设备,所述辐射束监控设备包括被配置以产生衍射图案的光学元件和成像检测器,所述成像检测器被设置在所述光学元件的后面,但不在所述光学元件的焦平面中,使得所述成像检测器能够检测所述...
光刻设备制造技术
本发明公开了一种用于浸没式光刻的阻挡构件(10)。所述阻挡构件包括位于底表面上的抽取器组件(70),所述抽取器组件(70)设置成面对衬底(W)。所述抽取器组件包括板(200),所述板(200)设置成将位于液体去除装置和所述衬底之间的空隙...
浸没式光刻设备和器件制造方法技术
本发明公开了一种浸没式光刻设备以及一种器件制造方法。所述浸没式光刻设备具有压强传感器,所述压强传感器配置成测量衬底和投影系统之间的空间内的浸没液体的压强。一控制系统响应于压强传感器产生的压强信号并且控制定位装置以施加力到所述衬底台、以补...
涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备技术
本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备,并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果,产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。
光刻设备制造技术
本发明公开了一种光刻设备,所述光刻设备包括:湿度测量系统,所述湿度测量系统包括:可调谐激光二极管,配置以发射测量辐射束,所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长,所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长;和连接至辐射探测器的信号处理...
光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸
本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。在所述装置中,投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸
本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。其中,构造成可干燥浸入式光刻装置中的表面的气刀被优化设计,以便通过保证在被干燥的表面上的液体膜中建立压力梯度来去除液体。
光刻装置和采用数据过滤的器件制造方法制造方法及图纸
光刻装置和采用数据过滤的器件制造方法。一种在衬底上形成图案的装置和方法。其包括投影系统,图案形成装置,低通滤光器,和数据操作处理装置。投影系统将辐射光束以子辐射光束阵列投射到衬底上。图案形成装置调制子辐射光束以在衬底上基本上产生被请求的...
光刻设备和用于校正光刻设备的台的位置的方法技术
本发明公开了一种光刻设备和一种用于校正光刻设备的台的位置的方法。所述光刻设备包括:用以保持物体的台,所述台在运动范围内相对于参照结构是可移动的;磁体结构,用以在所述运动范围的至少一部分内提供空间变化的磁场,所述磁体结构相对于参照结构和所...
光刻设备和器件制造方法技术
本发明提供一种光刻设备和器件制造方法。本发明公开一种形成用于光刻设备的至少一个监控晶片的方法。监控晶片能够与扫描控制模块结合使用以定期地从监控晶片获取用于限定基线的测量结果,由此根据基线确定参数漂移。由此,可以实现对所述漂移执行容许和/...
控制光刻设备的方法和设备技术
本发明提供一种控制光刻设备的方法和设备。使用扫描器在衬底上执行光刻曝光过程。扫描器包括若干子系统。在曝光期间存在有在系统中产生的重叠误差。使用散射仪测量重叠误差以获得重叠测量值。执行模型化以通过重叠测量值单独地确定估计的模型参数的不同子...
光刻设备和方法技术
本发明公开了一种光刻装置及其方法。本发明还公开了一种器件制造方法,所述方法包括采用照射系统调节辐射束。所述调节包括:控制照射系统的独立可控的元件的阵列和相关的光学部件,以将辐射束转换成所需的照射方式,所述控制包括将不同的独立可控元件根据...
光刻设备和器件制造方法技术
本文公开了一种光刻设备和器件制造方法,尤其是一种控制光刻设备的扫描功能的方法以及如此配置的光刻设备。所述方法包括以下步骤:曝光监控晶片,以确定与所述扫描功能相关的基线控制参数;从所述监控晶片周期性地获取所述基线控制参数;根据所述基线控制...
衬底台、光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法技术
本发明公开了一种衬底台、光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法。所述衬底台包括:位于所述衬底台上的编码器板;在所述编码器板与所述衬底台的顶部表面之间的间隙,所述间隙相对于所述衬底台的外周位于所述编码器板的径向向内的位置处;以及在所述间隙的...
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