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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
光刻设备和器件制造方法技术
本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。具体地,公开了一种位置测量系统,用以测量可移动物体相对于另一物体的位置,所述系统包括:两个或更多个一维(1D)编码器头,其安装在可移动物体和所述另一物体中的一个上,并且每一个配置成沿测量方向发...
光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸
一种光刻装置和器件制造方法,其使用了限定在容器(13)中的高折射率的液体,该液体至少部分地填充投射透镜的最终元件和基底之间的成像区域。对在溶解了大气气体的液体中形成的或者从暴露于液体的装置元件中放气形成的气泡进行检测并去除,使得气泡不会...
基于衍射标记分析的对设计布局中的优化图案的选择制造技术
本发明是基于衍射标记分析的设计布局中优化图案的选择。本发明大体上涉及基于衍射标记分析选择最优的图案,更具体地,涉及使用最优的图案用于光刻成像的掩模优化。对来自设计布局的初始的较大组的目标图案的多个目标图案的每一个产生相应的衍射图。从多个...
光刻设备和图案形成装置制造方法及图纸
本发明公开了一种光刻设备和图案形成装置,光刻设备包括:照射系统,配置以调节辐射束;支撑件,构造以支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够在其横截面中将图案赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束;衬底台,构造以保持衬底;和投影系统,配置以将所述...
校准方法和使用这种校准方法的光刻设备技术
本发明公开了一种校准方法和使用这种校准方法的光刻设备。所述校准方法包括:将图案形成装置的图案投影到衬底上;测量投影图案的最终位置;和从测量位置得出台位置的校准,其中,在测量期间,衬底围绕衬底的中心轴线从旋转开始位置朝向至少一个其他旋转位...
对于全芯片源的图案选择和掩模优化制造技术
本发明涉及对于全芯片源的图案选择和掩模优化的光刻设备和过程,尤其涉及用于优化在光刻设备和过程中使用的照射源和掩模的工具。根据特定的方面,本发明使得能够覆盖全芯片图案,同时通过从在源和掩模优化中使用的全组片段智慧地选出小组的临界设计图案来...
光刻设备、器件制造方法及施加图案至衬底的方法技术
本发明公开一种光刻设备、器件制造方法及施加图案至衬底的方法。所述光刻设备包括用于接收从对准标记投影到掩模板上的辐射的至少一个图案对准传感器。处理器处理来自传感器的信号,以求解投影对准标记中的空间信息,用以建立用于测量衬底支撑件和图案化位...
光刻设备、器件制造方法、清洁系统以及图案形成装置的清洁方法制造方法及图纸
一种光刻设备,包括被配置以调节辐射束的照射系统和被配置以支撑图案形成装置的支撑结构。图案形成装置被配置以将图案赋予辐射束。所述设备包括图案形成装置清洁系统,所述图案形成装置清洁系统被配置以提供静电力至污染物颗粒,所述污染物颗粒位于图案形...
用于真空应用的机器人制造技术
一种在光刻设备的真空室内定位工件的机器人。机器人的第一部件位于真空室内用以沿平移轴线定位工件。轴支撑第一部件,使得轴的对称轴线垂直于平移轴线,并且第二部件围绕对称轴线平移轴并沿平行于对称轴线的方向移动轴。第二部件包括:气体轴承,配置成沿...
用于光刻掩模版的快速交换装置制造方法及图纸
本发明提供了一种用于在真空光刻系统中移动和更换掩模版的方法和设备,且具有最小的颗粒产生和脱气。在本发明的例子中,可旋转交换装置(RED)的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。RED的第二臂支撑和缓冲第二基板。第一和第二基板被设置在距...
包含内部传感器和微小反应器的光刻设备和用于处理内部传感器的感测表面的方法技术
光刻设备(1)包括被构造且被布置以将辐射束(B)投影到衬底(W)的目标部分(C)上的投影系统(PS)、具有感测表面(202)的内部传感器(201)和相对于传感器(201)可移动的微小反应器(210)。微小反应器包括用于包含氢的气体(22...
光刻设备和操作光刻设备的方法技术
本发明公开了一种光刻设备和操作光刻设备的方法以及一种清洁液体供给系统。清洁液体供给系统可以供给乳化的清洁液体,以清洁浸没式光刻设备。
光刻设备和污染物检测方法技术
一种光刻设备(1),所述光刻设备包括:容器(5),所述容器封闭具有用于被探测用于污染物控制的测试表面(4)的部件(40);和光学探针,所述光学探针被配置成发射和接收光学探测束(2)。所述容器(5)包括第一光学端口(8)和第二光学端口(9...
靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法技术
一种靶材被配置成用于被构造且被布置以产生具有在6.8nm范围内的波长的辐射束的源中。靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物,或Tb,或被配置以减小Tb的熔化温度的基于Tb的合成物。
评估衬底的模型的方法、检查设备和光刻设备技术
本发明提出了一种评估衬底的模型的方法。使用第一波长的辐射进行散射测量。之后改变辐射的波长,且进行另外的散射测量。如果散射测量在波长范围上是一致的,那么模型是足够准确的。然而,如果散射测量随着波长变化而变化,那么衬底的模型是不充分准确的。
致动器系统、光刻设备以及器件制造方法技术方案
公开一种致动器系统,其具有第一致动器(XP1)和第二致动器(XP2),配置成控制光刻设备的光学部件的相对位置。第一致动器(XP1)配置成提供光刻设备的第一部件的安装点和光刻设备的第二部件之间、平行于致动方向的位移。第二致动器(XP2)配...
光刻设备和方法技术
一种可控地驱动电动致动器的驱动系统包括:电流传感器系统(143),所述电流传感器系统感测由所述致动器(M1)传导的电流(I);和驱动器(141),所述驱动器基于所述电流传感器系统的输出信号电动地驱动所述致动器。所述电流传感器系统包括至少...
光刻设备、等离子体源以及反射方法技术
一种光刻设备,包括:等离子体源,其包括配置成包围等离子体形成位置(2)的容器(1)、配置成将光辐射(8)转移到或离开所述容器的光学装置(3)和反射器(6),反射器(6)布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射...
构造和布置以产生辐射的装置、光刻设备以及器件制造方法制造方法及图纸
一种装置被构造和被布置成使用通过气体介质的放电来产生辐射。所述装置包括第一电极和第二电极(12a、12b);和液体供给装置,其被布置成提供液体至所述装置中的位置上。所述装置被布置成电供给有电压,且将电压至少部分地供给至第一电极和第二电极...
光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件技术
一种光学元件包括第一层(4),所述第一层包括第一材料,并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2),所述第二层包括第二材料,并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元...
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