一种设置成可将图案从图案形成装置投影到衬底上的光刻投影装置，其具有：液体供给系统，其设置成可将浸渍液体提供到所述投影系统的最后元件和带有浸渍液体的所述衬底之间的空间内；和安装在衬底台上的传感器，它可在浸入到来自所述液体供给系统的浸渍液体...

本发明提供一种光刻装置和器件制造方法，其中光刻装置包括：用于支撑构图部件的支撑结构，构图部件用于根据理想的图案对辐射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；以及用于用液体至少部分填充投射系统与...

本发明公开了一种光刻设备和一种洛伦兹致动器。光刻设备包括用于在第一和第二部分之间在第一方向上产生力的致动器，该致动器包括每一个彼此相对地连接到所述设备的第一部分的第一磁体组件和第二磁体组件，第一磁体组件包括第一主磁体系统和第一辅助磁体系...

本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。进一步地，公开了一种用于探测由大致在第一方向上延长的至少一条线形成的延长图案的特性的探测方法。所述延长图案形成在衬底上或在衬底台上，优选地延伸超过至少５０倍线宽的长度。所述延长图案是聚焦敏感的...

本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。进一步地，公开了一种用于探测由大致在第一方向上延长的至少一条线形成的延长图案的特性的探测方法。所述延长图案形成在衬底上或在衬底台上，优选地延伸超过至少５０倍线宽的长度。所述延长图案是聚焦敏感的...

本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。进一步地，公开了一种用于探测由大致在第一方向上延长的至少一条线形成的延长图案的特性的探测方法。所述延长图案形成在衬底上或在衬底台上，优选地延伸超过至少５０倍线宽的长度。所述延长图案是聚焦敏感的...

本发明公开了一种衬底台、一种光刻设备以及一种器件制造方法。在所公开的台中，设置开口用于将浸没流体提供到所述台的顶部表面。在实施例中，存在两个这样的开口。第一开口围绕所述台的衬底支撑结构，而第二开口围绕所述台的外部边缘延伸。

本发明涉及一种衬底台、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述衬底台在使用期间采用多种方法在台和支撑在台上的物体的边缘之间进行密封。尤其是，在位于台上的物体和台本身之间形成毛细通路。在毛细通路径向向内侧处过压的存在和／或弯液面钉扎特征将液体...

本发明公开了一种光刻设备（１），包括：投影系统（７），其配置成将所述图案化的辐射束（９）投影到衬底的目标部分上；真空室（８），在使用期间所述图案化的辐射束（９）被投影通过真空室；和净化系统（１３、１６、１７），其配置成在所述室（８）内提...

本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。所述光刻设备包括：照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有...

本发明公开了一种光刻设备和方法。所述方法包括步骤：使用至少表示器件的构成部分的所期望的形状或尺寸的信息来实现器件的构成部分的所期望的形状或尺寸，所期望的形状或尺寸与材料层的被测量的性质相关，在所述材料层中将生成器件的构成部分，所述实现过...

本发明公开了一种光刻设备和例如用于光刻设备的湿度测量系统。湿度测量系统包括可调谐激光二极管，配置以发射测量辐射束，所述测量辐射束具有在一波长范围内的波长。所述波长范围包括与水分子的吸收峰相关的第一波长。信号处理单元连接至辐射探测器。信号...

本发明公开了一种光刻设备以及去除污染物的方法，该光刻设备包括：流体供给系统，其配置以将清洁流体提供到将要清洁的表面。清洁流体包括：２５－９８．９９ｗｔ％的水；１－７４．９９ｗｔ％的选自一种或更多种二元醇醚、酯、醇和酮的溶剂；和０．０１－...

本发明公开一种光刻设备和运行该光刻设备的方法。所述光刻设备包括投影系统，和液体限制结构，该液体限制结构配置用以至少部分地将浸没液体限制到由投影系统、所述液体限制结构和衬底和／或衬底台所限定的浸没空间，其中在投影系统、液体限制结构和浸没空...

本发明公开了一种光刻装置和一种器件制造方法。所述光刻装置包括围绕充满液体的空间的密封元件，其具有在其下表面对相对低的压力源和相对高的压力源开口的凹槽，通过该凹槽，液体和／或气体从所述密封元件和所述基底之间排出。

本发明提供一种流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。公开的流体处理结构设计用于全浸湿浸没光刻术。流体处理结构具有用于将流体提供到投影系统和衬底和／或衬底台之间的空间的第一开口、阻挡液体流出流体处理结构和衬底之间的空间的阻挡件、以...

本发明涉及一种光刻投影装置。该投影装置包括用于支撑构图装置例如中间掩模版的支撑结构。当通过投影光束照射中间掩模版时，利用中间掩模版上的图案对投影光束进行构图。投影系统构成和设置为使中间掩模版的受照射部分成像到基底的目标部分上。存在有用于...

光刻装置包括用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影光学组件（ＰＬ），所述组件包括多个可移动的光学元件（Ｍ１－Ｍ６）和用于感测各个光学元件（Ｍ１）的位置和／或定向的多个传感器单元（２５），所述可移动光学元件（Ｍ１－Ｍ６）以彼此隔开...

本发明公开了一种光刻设备及器件制造方法。所述光刻设备包括台、遮蔽构件、流体处理结构和流体抽取系统。所述流体处理结构可以被配置用于将液体供给并限制在投影系统和（ｉ）衬底、或（ｉｉ）所述台、或（ｉｉｉ）遮蔽构件的表面或（ｉｖ）从（ｉ）至（ｉ...

一种浸没光刻装置，包括温度控制器，它用于将投影系统ＰＬ的最后元件、基底Ｗ和液体三者的温度调整到接近公共靶部温度Ｔ４。对这些元件整体温度的控制以及温度梯度的减小改善了成像一致性和一般的性能。采取的措施包括通过一个反馈电路来控制浸液流率和温度。