光刻设备和器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。所述光刻设备包括：照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上，其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。如果反射镜块的加速度大且衬底台相对于反射镜块局部地滑动，会发生滑动。滑动会导致曝光误差，因为衬底的位置不再由所需的精确度来确定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备和一种制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一 个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(扫描方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部 分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬 底上。 在光刻设备中，衬底将被定位在投影系统下面，所述投影系统用于将图案形成装 置的图像投影到衬底的目标部分上。为了将图案形成装置的图像投影到衬底的不同的目标 部分上并且为了扫描在投影系统下面的衬底，移动衬底。因而，通过定位系统，反射镜块是 可移动的。反射镜块通过衬底台(也称为晶片台)将其移动传递给衬底。衬底台通过真空、 经由突节夹持到反射镜块(也称为编码器块)。通过在投影系统下面更快地移动衬底可以 实现光刻投影设备的更高生产量。通过更高的加速可以实现更快的移动，更高的加速可以 引起反射镜块和衬底台之间的(局部)滑动。反射镜块和衬底台之间的滑动会导致衬底移 动到与之前确定的位置不同的另一位置，因而导致错误地曝光衬底。
技术实现思路
本专利技术旨在避免反射镜块和衬底台之间的(局部)滑动。 根据本专利技术的实施例，提供一种光刻设备，包括照射系统，其配置用于调节辐射 束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束 的横截面上赋予所述辐射束、以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬 底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分， 其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。附图说明 下面仅通过示例的方式，参考附图对本专利技术的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中 图1示出根据本专利技术实施例的光刻设备； 图2a示出传统突节的横截面； 图2b-2d示出根据本专利技术的突节的横截面； 图3示出根据本专利技术实施例的反射镜块；禾口 图4a和4b示出根据本专利技术另外实施例的反射镜块。 图5a和5b每一个示出设置有夹持突节的反射镜块和衬底台的垂直剖面。 具体实施例方式图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括照 射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的 辐射)；图案形成装置支撑结构或支持结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑图案形成装置 (例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM 相连。所述设备还包括反射镜块MB(也称为编码器块)，其设置有构造用以保持衬底(例如 涂敷有抗蚀剂的晶片)W的衬底台(也称为晶片台)WT。衬底台WT用真空夹持在反射镜块 上。突节设置在反射镜块和衬底台WT之间。反射镜块连接到配置成根据确定的参数精确 定位衬底的第二定位装置PW。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS， 其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包 括一根或多根管芯)上。 照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静 电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。 所述图案形成装置支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设 计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置 MA。所述图案形成装置支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保 持图案形成装置MA。所述图案形成装置支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需 要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于 所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语掩模版或掩模都可 以认为与更上位的术语图案形成装置同义。 这里所使用的术语图案形成装置应该被广义地理解为表示能够用于将图案在 辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意， 被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图 案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的 器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。 图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编 程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如 二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩 模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地 倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜 矩阵反射的辐射束。 这里使用的术语投影系统应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语投影透镜可以认为是与更上位的术语投影系统同义。 如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。 所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多反射镜块(和/或两个或更多的掩模台或掩模支撑结构)的类型。在这种多台机器中，可以并行地使用附加的台或支撑结构，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台或支撑结构用于曝光。 光刻设备也可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便充满投影系统和衬底之间的空间。浸没液体也可以应用到光刻设备的其他空间，例如图案形成装置(例如，掩模)和投影系统之间的空间。浸没技术可以用于增大投影系统的数值孔径NA。这里所用的术语浸没并不意味着诸如衬底等结构必须浸入到液体中，而只意味着在曝光过程中液体位于投影系统和衬底之间。 参照图l，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。该源和光刻设备可以是分离的实体(例如当该源是受激准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源S0传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源S0可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上，其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。

【技术特征摘要】
US 2008-10-7 61/103,396一种光刻设备，包括照射系统，其配置用于调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；反射镜块，其设置有构造用以保持衬底的衬底台；和投影系统，其配置用以将所述图案化的辐射束投射到所述衬底的目标部分上，其中所述反射镜块构造并布置用以减小所述反射镜块和所述衬底台之间的滑动。2. 根据权利要求1所述的设备，其中，在所述反射镜块中设置狭槽。3. 根据权利要求2所述的设备，其中，所述狭槽设置于反射镜块的用于夹持所述衬底 台的夹持区域和用于将致动器连接到所述反射镜块的致动器区域之间。4. 根据权利要求2所述的设备，其中，所述狭槽沿基本上垂直于所述夹持区域的方向 设置。5. 根据权利要求2所述的设备，其中，所述狭槽沿基本上平行于所述夹持区域的方向设置。6. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述反射镜块包括具有高于大约100GPa的杨氏 模量的材料。7. 根据权利要求1所述设备，其中，突节设置在所述反射镜块和所述衬底台之间且在 所述反射镜块上的用于夹持所述衬底台的整个夹持区域上。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：RTP考姆彭，MMPA沃梅尤恩，AB杰尤恩克，ER鲁普斯卓，JJ奥腾斯，P斯密特斯，HJM凡阿毕伦，AA梅尤恩迪杰克斯，M霍本，RWAH理纳尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]