光刻设备和洛伦兹致动器制造技术

本发明专利技术公开了一种光刻设备和一种洛伦兹致动器。光刻设备包括用于在第一和第二部分之间在第一方向上产生力的致动器，该致动器包括每一个彼此相对地连接到所述设备的第一部分的第一磁体组件和第二磁体组件，第一磁体组件包括第一主磁体系统和第一辅助磁体系统，第二磁体组件包括第二主磁体系统和第二辅助磁体系统，第一和第二主磁体系统在它们之间沿垂直于第一方向的第二方向限定空间。所述致动器包括连接到第二部分的线圈。第一辅助磁体系统的至少一部分和第二辅助磁体系统的至少一部分之间的距离小于第一主磁体系统和第二主磁体系统之间的最小距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备和一种洛伦兹致动器，所述光刻设备包括用于在所述设备的第一部分和第二部分之间提供力的洛伦兹致动器。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常是衬底的目标部分上)的机器。 例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩 模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图 案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯) 上。通常，图案的转移是通过把图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进 行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备 包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每 一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(扫描方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部 分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬 底上。 上述类型的光刻设备可以采用多个致动器以定位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：照射系统，其配置用以调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，其构造用于保持衬底；投影系统，其配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和致动器，其配置用于在所述设备的第一和第二部分之间产生沿第一方向的力，所述致动器包括：第一磁体组件和第二磁体组件，每一个磁体组件彼此相对地连接到所述设备的第一部分，所述第一磁体组件包括第一主磁体系统和第一辅助磁体系统，并且所述第二磁体组件包括第二主磁体系统和第二辅助磁体系统，所述第一和第二主磁体系统在它们之间沿基本上垂直于所述第...

【技术特征摘要】
US 2008-10-7 61/103,412一种光刻设备，包括照射系统，其配置用以调节辐射束；支撑结构，其构造用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在所述辐射束的横截面上赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，其构造用于保持衬底；投影系统，其配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和致动器，其配置用于在所述设备的第一和第二部分之间产生沿第一方向的力，所述致动器包括第一磁体组件和第二磁体组件，每一个磁体组件彼此相对地连接到所述设备的第一部分，所述第一磁体组件包括第一主磁体系统和第一辅助磁体系统，并且所述第二磁体组件包括第二主磁体系统和第二辅助磁体系统，所述第一和第二主磁体系统在它们之间沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向限定空间，其中所述第一和第二磁体组件以海尔贝克构造布置，以提供磁场，所述磁场的至少一部分基本上沿所述第二方向，导电元件，其连接到所述设备的所述第二部分并且至少部分地布置在所述第一和所述第二主磁体系统之间的所述空间中，以便通过由导电元件承载的电流与所述磁场的相互作用产生力，其中所述第一辅助磁体系统的至少一部分与所述第二辅助磁体系统的至少一部分之间的距离小于所述第一主磁体系统和所述第二主磁体系统之间的最小距离。2. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一磁体组件包括所述第一辅助磁体 系统的两个辅助磁体和所述第一主磁体系统的主磁体，所述第一主磁体系统的所述主磁体 至少部分地位于所述第一辅助磁体系统的两个辅助磁体之间，且其中所述第二磁体组件包 括所述第二辅助磁体系统的两个辅助磁体和所述第二主磁体系统的主磁体，所述第二主磁 体系统的所述主磁体至少部分地位于所述第二辅助磁体系统的两个辅助磁体之间，其中所 述辅助磁体的磁极化方向基本上相互反向平行并且基本上垂直于所述主磁体的磁极化方 向。3. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，布置在所述第一主磁体系统和第二主磁体 系统之间的所述空间内的导电元件的所述部分的方向被设置成使得由其承载的电流的方 向基本上垂直于所述第一方向和第二方向。4. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一主磁体系统和第二主磁体系统中 的每一个包括至少一个磁体，所述磁体的方向被设置成使得所述磁体的磁极化方向基本上 垂直于所述第一方向并且基本上平行于所述第二方向。5. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一主磁体系统和第二主磁体系统的 每一个包括第一和第二主磁体，所述第一和第二主磁体的方向设置成使得它们的磁极化方 向相互反向平行。6. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一磁体组件和第二磁体组件中的至 少一个包括背铁，所述背铁设置成使得所述第一磁体组件和第二磁体组件中的至少一个位 于所述背铁和所述导电元件之间。7. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述致动器还包括磁通引导元件，所述磁通 引导元件基本上在所述第一磁体组件和第二磁体组件的外侧部分之间延伸，所述磁通引导元件配置用于将所述第二磁场的一部分从所述第一磁体组件和第二磁体组件中的一个引 导到所述第一磁体组件和第二磁体组件中的另一个。8. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一辅助磁体系统的至少一部分和所 述第二辅助磁体系统的至少一部分之间的距离是所述第一主磁体系统和所述第二主磁体 系统之间的距离的至少一半。9. 根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一辅助磁体系统的至少一部分和所 述第二辅助磁体系统的至少一部分之间的距离是所述第一主磁体系统和所述第二主磁体 系统之间的距离的至少1...

【专利技术属性】
技术研发人员：FA布恩，HPGJ范阿格特玛尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]