光刻投影装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种光刻投影装置。该投影装置包括用于支撑构图装置例如中间掩模版的支撑结构。当通过投影光束照射中间掩模版时，利用中间掩模版上的图案对投影光束进行构图。投影系统构成和设置为使中间掩模版的受照射部分成像到基底的目标部分上。存在有用于确定中间掩模版相对于投影系统的空间位置的组件。该组件包括一测量单元，该测量单元具有足以确定所需空间位置的数量的传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻投影装置，包括用于保持构图装置的支撑结构， 以通过投影光束的照射对所述冲殳影光束构图；构成和设置为将构图装置的受 照射部分成像到基底的目标部分上的投影系统，以及用于确定所述构图装置 相对于所述投影系统的空间位置的组件，所述组件包括一测量单元，该测量 单元具有足以确定所述空间位置的许多传感器。
技术介绍
这里使用的术语构图装置应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予 带图案的截面的装置，其中所述图案对应于在基底的目标部分上形成的图 案；本文中也使用术语光阀。 一般地，所述图案与在目标部分中形成的器 件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(参见下文)。这种构图装 置的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相 移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射 光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透 射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩 模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐 射束中的所需位置，并且如果需要则该台会相对光束移动。-可编程反射镜阵列。这种装置的一个例子是具有一粘弹性控制层和 一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的 已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射 光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射 光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编 程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局 部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一 轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以与未寻址反射 镜不同的方向将入射的辐射光束反射；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射 镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩 阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵 列。关于如这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5, 296, Wl、美国专利US5， 523， 193、 PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文絲处引入作为 参照。在可编程M镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是才 或者工作台， 例如，所趙构條需要可以是固定的或者是可移动的；- 可编程LCD阵列。例如由美国专利US 5, 229, 872给出的这种结构的一 个例子，它^Lil里引^v作为参照。如上所述，^il种情况下支撑结构可以^)医 絲者工作台，例如所錢构4娥需要可以是固定的或者是可移动的。为简单起见，本文的其^P分在一定的情况下M以掩模和掩模台为例-， 可是，^j^i^样的例子中所讨论的一^f、理应适用于上述更宽范围的构图装置。it^投影装置可以用于例如M电路(IC)的制造。在这种情况下，构图 装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成^^已涂覆^1敏 感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个 管芯(die) ) 。 -*1也，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻 目标部分由投影系统逐个相继驗。在目前采用掩模台上的4^^进储图的装 置中，有两种不同类型的机器。在一类ife^)投影装置中，通过将4r^l模图案 一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或 步进-重复装置'另一种装置(通常称作步进-扫描装D通it^投影^^下沿给 定的参考方向(扫描方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行-或 者反平行的方向同步扫描1^台来^#^~目标部^因为-feM兌，投影系 贿一个放大系数M (通常<1)，因otbft絲台的扫^l^V是对掩模台扫描 逸复的M倍。关于^pi^E描述的光刻设备的更多信息可以从例如US6， 046， 729 中获得，该文献il^作为参考引入。在用光厕投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成4象在至少部分由一层4yt敏感材料(抗蚀剂)覆盖的M上'在这种成像步骤之前，可以对M进行^t处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对M ^^f亍其它的处理，如膝^烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成^#征' 以这一系列工艺为M，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图^&然后可 进行^f可不同的处理，如蚀刻、离子;iA (掺杂)、金属化、氧化、化学-机 光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么必须对#~~新层重 复^F步^者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例 :Wt刀割或者锯割技术将这些器件彼此^f，单个器件可以安^L栽体上，与管 脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的微芯片制造半^^加工实^AJ'1 (Microchip Fabrication:A Practical Guide to Semiconductor Processing) 5， 一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co. ， 1997， ISBN 007-06725(M)中获得，处作为参考引入。为了筒单^L，賴:影系,下文称为镜头；可是，该术语应广^JiW 释为包含各种类型的投影系统，包括例^4斤射光学装置，^^光学装置，和反 折射系统。，系M^可以包樹娥这些设计类型中^i殳计的M部件，该 旨部件用于引导、整形或者控制旨的投影M，这种部件在下文还可总体 iM者单独;緣作镜头，，。另外，^^装置可以是具有两个或者多个基底台 (和/或两个或者多个掩模台)的类型。在这种多錄，，器件中，可以并行 4M这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多 个其它台用于曝光。例如在US5， 969， 441和W098/40791中描述的Ji^Ut^装置，i^作为参考引入。林申请中，虽然M结合本专利技术的装置在制造IC中的应用，但^该 明确理解这种装置可能具有许多其它应用。例如，它可用于制造^iUt学系统、 用于>^##器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。^^页域的技 术人员将理解，^t种可替换的用途范围中，在i兌明书中^f可术语中间4fet莫 版，，，晶片，，或者管芯(die)，，的佳月应iU;分别可以由更脊逸的术语 掩模，，狄，和目标部分代替。^^文件中，4^I的术语,，和^^包含所有类型的电磁储， 包括紫外(UV)缺(例如具有365， 248， 193， 157或者126nm的波长)械 紫外(EUV)驗(例如具有5-20nm的波长范围)，以錄子束，如离子絲 者电子束。具有用于确定构图装置相对于投影系统的空间位置的组件的光刻投影装置 例如从美国专利6， 359， 678中已知。然而，具有US6， 359， 678中公开的组件的 一个问题是，构图装置相对于投影系统的位置测量不够准确。不准确的原因之 一是，温度变化引^BL件尺寸变化，反ii^又引起热W^力，和/或振动^ 响构图^i相对于投影系统的位置测量。特别是，投影系统和传感恭t间关于 x轴和/或y轴的相对旋转可产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻投影装置，包括：　支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所需的图案对辐射束构图；　投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及　配置用于确定所述构图装置相对于所述投影系统的空间位 置的组件，所述组件包括测量单元，所述测量单元具有安装在所述投影系统上的多个传感器，　其中，所述测量单元配置用于将辐射束引导到所述构图装置的一部分上，所述部分位于所述构图装置的图案区外部和与所述构图装置的图案区相邻的位置上。

【技术特征摘要】
EP 2003-6-27 03077013.51.一种光刻投影装置，包括支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所需的图案对辐射束构图；投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及配置用于确定所述构图装置相对于所述投影系统的空间位置的组件，所述组件包括测量单元，所述测量单元具有安装在所述投影系统上的多个传感器，其中，所述测量单元配置用于将辐射束引导到所述构图装置的一部分上，所述部分位于所述构图装置的图案区外部和与所述构图装置的图案区相邻的位置上。2. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，还包括EUV辐射源。3. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述测量单元包括6 自由度的干涉仪测量系统。4. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述传感器中的至少 一个配置成在所述构图装置的图案区外的所述构图装置的反射部件上使 用激光束。5. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中，所述光刻投影装置 配置用于沿着扫描方向照射所述构图装置，并且所述构图装置相对于所 述投影系统的空间位置利用第一平面中的至少三个测量点、第一直线上 的不在第一平面内的至少两个测量点以及既不在第一平面内也不在第一 直线上的至少一个测量点来确定，所述第一平面与所述扫描方向成一角 度。6. 根据权利要求5所述的光刻投影装置，其中所述测量点位于所述 支撑结构上。7. 根据权利要求5所述的光刻投影装置，其中所述测量点中的至少 两个位于所述构图装置上，且位于所述构图装置的图案区外。8. 根据权利要求4所述的光刻投影装置，其中所述反射部件是反射条。9. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述测量单元配置用 于确定所述构图装置在第一方向上相对于所述投影系统的位置，当所述 构图装置被所述支撑结构所保持时，所述第一方向与所述构图装置的图 案区的平面基本上垂直。10. 根据权利要求1所述的光刻投影装置，其中所述部分是反射性 的，且所述图案区和所述部分位于所述构图装置的同一侧。11. 一种光刻投影装置，包括.. . 支撑结构，配置用于保持构图装置，所述构图装置配置用于根据所需的图案对辐射束构图；投影系统，配置用于将带图案的辐射束投影到基底的目标部分上；以及测量单元，配置用于在所述构图装置被所述支撑结构所保持时将辐 射束引导到所述构图装置的一部分上，所述部分位于所述构图装置的图 案区外部和与所述构图装置的图案区相邻的位置上，所述测量单元还配 置用于采用所述辐射束确定所述构图装置在第一方向上的位置，在所述 构图装置被所述支撑结构所保持时，所述第一方向与所述构图装置的图 案区的平面基本垂直。12. 根据权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述部分是反射性 的，且所述图案区和所述部分位于所述构图装置的同一侧。13. 根据权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述测量单元配置 用于沿着第一方向引导所述辐射束。14. 根据权利要求11所述的光刻投影装置，其中所述测量单元安装 在所述投影系...

【专利技术属性】
技术研发人员：PR巴特雷，WJ博克斯，DJPA弗兰肯，BAJ卢蒂克惠斯，EAF范德帕施，MWM范德维斯特，MJM恩格尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]