光刻设备、等离子体源以及反射方法技术

一种光刻设备，包括：等离子体源，其包括配置成包围等离子体形成位置（２）的容器（１）、配置成将光辐射（８）转移到或离开所述容器的光学装置（３）和反射器（６），反射器（６）布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻设备、等离子体源以及用于转移光学装置和等离子体源之间 的辐射的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个 目标部分，和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描 所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标 部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移 到衬底上。用以产生极紫外(EUV)辐射或光的方法包括，但不限于将具有例如氙、锂或锡等 元素的材料转变成在极紫外范围内具有发射谱线的等离子体状态。在一种这样的方法中， 通常称为放电产生的等离子体(“DPP”)，这种等离子体可以通过在一对电极之间放电来产 生。在另一方法中，可以通过用激光束辐照目标材料，例如具有相关谱线发射元素的材料的 液滴、束流或簇，来产生所需的等离子体。后一种工艺被称为激光产生等离子体(“LPP”)。对于这些工艺的每一种，通常在例如真空室等密封的容器内产生等离子体，并且 使用多种类型的量测设备进行监测。除了产生极紫外辐射，这些等离子体工艺还会在等离 子体室内产生不想要的副产物，包括来自等离子体形成过程的热量、高能离子以及离散的 碎片，例如在形成等离子体过程中没有完全离子化的源材料的原子和/或块。这些等离子体形成过程中的副产物会潜在地损坏或减低多种等离子体室光学元 件的操作效率，这些光学元件包括但不限于，量测探测器的表面、用于成像等离子体形成过 程的窗口、以及在激光产生等离子体的情况下的激光输入窗口。热量、高能离子和/或源材 料碎片可以以多种方式损坏光学元件，包括加热光学元件、给光学元件涂覆降低光透过率 的材料、透入光学元件以及例如损坏结构完整性和/或光学性能(例如用以反射这种短波 长光的反射镜的能力)、腐蚀或侵蚀光学元件和/或扩散进入光学元件。此外，一些光学元件(例如激光输入窗口)形成真空室的一部分，因而当等离子体室处于真空时，它们处于一定应力之下。对于这些元件，淀积和热会结合在一起使这些元件 产生裂纹(即破裂)，因而导致真空的损失以及潜在地需要昂贵的维修。
技术实现思路
本专利技术旨在保护等离子体源中的光学元件不受极紫外诱发的损伤和污染。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括包围等离子体源的容器；用于将 光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器的光学装置；和布置在所述光学装置 和所述等离子体源之间的光学路径上的反射器，用于在所述光学装置和所述等离子体源之 间反射所述光辐射，其中所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括等离子体源，所述等离子体源包 括容器，配置成包围等离子体形成位置；光学装置，配置成将光辐射转移到所述容器或使 光辐射转移离开所述容器；和反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之 间的光学路径上。所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所 述光辐射。所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。等离子体源可以是激光产生等离 子体(LPP)源。根据本专利技术的一方面，提供一种等离子体源，包括容器，配置成包围等离子体形 成位置；光学装置，配置成将辐射转移到所述容器或使辐射转移离开所述容器；和反射器， 布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间的光学路径上。所述反射器配置成在所 述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述辐射。所述反射器在操作时形成为熔融 金属反射镜。根据本专利技术的一方面，提供一种用于在光学装置和等离子体源之间转移辐射的方 法，所述方法包括提供包围在容器内的等离子体源；提供光学装置，用于将光辐射转移到 所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和提供熔融金属反射镜，所述金属反射镜布置在 所述等离子体源的视线上，用于将所述光辐射反射到或反射离开所述光学装置。根据本专利技术的一方面，提供一种用于在光学装置和等离子体源中的等离子体形成 位置之间转移辐射的方法。所述方法包括将所述等离子体形成位置包围在容器中；用所 述光学装置提供光辐射到所述容器或使所述光辐射离开所述容器；和用布置在所述等离子 体形成位置的视线上的熔融金属反射镜将所述光辐射反射到所述光学装置或使光辐射反 射离开所述光学装置。附图说明下面仅通过示例的方式，参考附图对本专利技术的实施例进行描述，其中示意性附图 中相应的标记表示相应的部件，在附图中图1示出根据本专利技术实施例的光刻设备；图2示意地示出图1中的光刻设备的等离子体源的实施例；图3示出等离子体源的实施例；图4示出等离子体源的实施例；图5示出等离子体源的实施例；和图6示出根据等离子体源的实施例的遮挡件的实际示例。具体实施例图1示意地示出了根据本专利技术一个实施例的光刻设备。所述设备包括照射系统 (照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑 结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据 特定参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其 构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定参数精确地定位 衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于 将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多 根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静 电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT支撑，即承载图案形成装置的重量。支撑结构MT以依赖于图案形 成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件 的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术 保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可 移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。 这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”可以被认为与更为上位的术语“图案形成装置”同 义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在 辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该注意 的是，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果 该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形 成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：等离子体源，包括：容器，配置成包围等离子体形成位置；光学装置，配置成将光辐射转移到所述容器或使光辐射转移离开所述容器；和反射器，布置在所述光学装置和所述等离子体形成位置源之间的光学路径上，所述反射器配置成在所述光学装置和所述等离子体形成位置之间反射所述光辐射，其中所述反射器在操作时形成为熔融金属反射镜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MMJW范赫彭，WA索尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]