用于光刻掩模版的快速交换装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于在真空光刻系统中移动和更换掩模版的方法和设备，且具有最小的颗粒产生和脱气。在本发明专利技术的例子中，可旋转交换装置（ＲＥＤ）的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。ＲＥＤ的第二臂支撑和缓冲第二基板。第一和第二基板被设置在距离ＲＥＤ的旋转轴线基本上等距的位置上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻设备和一种用于制造器件的方法。
技术介绍
光刻术被广泛地公认为制造集成电路(IC)以及其它器件和/或结构中的关键工 艺。光刻设备是在光刻过程中一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标 部分上)的机器。在用光刻设备制造集成电路(IC)期间，可以将可选地称为掩模或掩模版 的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬 底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地， 经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层上。通常， 单个衬底包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。制造IC的不同层通常需要用不同的 掩模版使不同的图案在不同的层上成像。因此，必须在光刻工艺期间更换掩模版。市场要求光刻设备尽可能快速地执行光刻工艺，以最大化制造能力且保持每一器 件的成本低。因此，优选地，在光刻工艺期间改变掩模版，花费至少可能的时间。不幸的是， 传统的掩模版交换装置未被设计以在真空环境中起作用，其被设计成在真空环境中起作用 的这些不足够快速。它们也易于出现真空密封问题且具有大量的轴承，上述两者导致了脱 气和颗粒污染物的进一步的问题。颗粒污染物导致浪费生产能力、时间和材料的制造缺陷。 脱气可能污染透镜，其降低了有效的曝光功率和降低了生产率或完全地破坏了透镜。这种 浪费降低了铸造效率，且增加了制造费用。
技术实现思路
期望提供一种掩模版交换装置和器件制造方法，其解决在真空光刻术系统中以最 小的颗粒产生和脱气来实现掩模版快速交换的问题。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于快速地交换光刻掩模版的方法。可旋转 交换装置(RED)的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。RED的第二臂支撑和缓冲 第二基板。第一和第二基板被设置成距离RED的旋转轴线具有基本上相等的距离。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，其中，在附 图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1示出了根据本专利技术的实施例的光刻设备。图2A示出了根据本专利技术的实施例的双臂型可旋转的交换装置的俯视图。图2B示出了根据本专利技术的实施例的可旋转的交换装置的侧视图。图2C示出了根据本专利技术的实施例的具有支撑件的可旋转交换装置的侧视图。图2D-E示出了根据本专利技术的实施例的双臂型可旋转交换装置的俯视图。图3A-D示出了根据本专利技术的实施例的三臂型可旋转交换装置的俯视图。图4示出了根据本专利技术的实施例的方法。图5示出了根据本专利技术的实施例的另一方法。图6A-G示出了根据本专利技术的实施例的可旋转交换装置的示例性动态操作。现在将参考附图对本专利技术的一个或更多的实施例进行描述。在附图中，相同的参 考标记可以表示一致的或功能上类似的元件。另外，参考数字最左边的数字可以表明参考 标记首次出现的附图。具体实施例方式本专利技术的说明书公开了包括这一专利技术的特征的一个或更多的实施例。公开的实施 例仅举例说明本专利技术。本专利技术的范围不限于公开的实施例。本专利技术由随附的权利要求来限定。描述的实施例和在说明书中对“一个实施例”、“一种实施例”、“一个示例性实施 例”等的参考，表示描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每一实施例不必 包括特定的特征、结构或特性。此外，这样的措辞不必表示同一实施例。另外，当特定的特 征、结构或特性结合实施例进行描述时，可以理解，不论是否结合其它实施例详细描述实现 这样的特征、结构或特性，它们都在本领域技术人员的知识范围内。本专利技术的实施例可以在硬件、固件、软件或它们的任何组合中实现。本专利技术的实施 例也可以实现为存储在机器可读介质上的指令，其可以通过一个或更多的处理器来读取和 执行。机器可读介质可以包括用于存储或发送作为机器(例如计算装置)可读形式的信息 的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁盘 存储介质、光学存储介质、闪存装置、电学、光学、声学或其它形式的传送信号(例如载波、 红外信号、数字信号等)以及其它。另外，固件、软件、程序、指令可以在此处被描述成执行 特定动作。然而，应当理解，这样的描述仅是为了方便，且这样的动作实际上由计算装置、处 理器、控制器或用于执行固件、软件、程序、指令等的其它装置来产生。图1示意性地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备100。所述光刻设备100 包括照射系统(照射器)IL,配置用于调节辐射束B (例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩 模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并与配置用于精确地定位 图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；和衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底 (例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。 光刻设备100还具有投影系统(例如反射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于 将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多 根管芯)上。所述照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电 磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射B。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100的设计以及诸如图 案形成装置MA是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑 结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支 撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构 MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。术语“图案形成装置MA”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横 截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B 的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模 版、掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的， 并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模 类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射 镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予 由所述反射镜矩阵反射的辐射束B。术语“投影系统"PS可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射 型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、 或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。因为其它气体可能吸收过多 的辐射或电子，所以真空环境可以用于EUV或电子束辐射。因此真空环境可以在真空壁和 真空泵的帮助下被提供给整个束路径。如这里所示的，所述光刻设备100是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地， 所述光刻设备100可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。所述光刻设备100可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的 掩模台)WT的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，所述方法包括以下步骤：　　（ａ）在可旋转交换装置（ＲＥＤ）的第一臂上接收用于保持第一掩模版的第一基板；和　　（ｂ）缓冲由所述ＲＥＤ的第二臂支撑的第二基板，　　其中，所述第一和第二基板被设置在距离所述ＲＥＤ的旋转轴线基本上等距的位置上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RGM兰斯博根，GH哈罗德，RJ约翰森，HJG范德维登，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]